Comments 15
Тем не менее, количество выделемого тепла все равно увеличивается с увеличением числа транзисторов
Память HBM — это DRAM, она на конденсаторах, а те кушают меньше чем транзисторы. У Xilinx есть неплохая whitepaper, где они объясняют, зачем им HBM и на чём там экономия выходит, в частности, там есть табличка на с. 3 из которой следует, что 16ГБ HBM потребляет порядка 1 Вт.
В кремниевом интерпоузере нет транзисторов. Там только проводники. Это типа подложки (substrate) только в кремнии.
Чем это лучше кремниевого моста от Интел? EMIB если не путаю. Также служит для соединения чипов, но не имеет таких ограничений на размер "упаковки". Там на сколько я помню кристаллы соединяются небольшим мостом друг с другом, а не с помощью подложки. Технологию уже обкатали на Kaby Lake - g
Чем это лучше кремниевого моста от Интел? EMIB если не путаю. Также служит для соединения чипов, но не имеет таких ограничений на размер «упаковки».
Доступностью. I-Cube4 заявлен для контрактного производства, т.е. клиенты Samsung смогут использовать это для своих чипов, а EMIB доступен только Интел для её собственных продуктов и больше никому. Хотя там TSMC собиралась в этом году допилить свой аналог EMIB — LSI.
С доступностью полностью согласен, но это временное преимущество. В обозримом будущем Intel собирается выступать как контрактный производитель. Если к этому моменту они всё таки освоят свои 7нм, которые по плотности сопоставимы с более "тонкими" техпроцессами TSMC и Samsung, то у Самсунга появится на одного сильного конкурента больше. Имхо им нужно что-то более похожее на EMIB, чтобы избавиться от недостатков кремниевых подложек.
На счёт LSI не слышал. Спасибо, почитаю.
Samsung представила новую технологию корпусирования микросхем I-Cube4