Bosch наладил производство силовой электроники из карбида кремния

[blind_oracle]

А как же нитрид галлия на котором нынче все новые мощные USB PD зарядники делают? Или дорого?

[ARSolog]

Вот мне тоже интересно. Какой из материалов более технологичен и экономичен?)

[AtachiShadow]

https://www.arrow.com/en/research-and-events/articles/silicon-carbide-and-gallium-nitride-compared

Если не читать статью, то вот обзор (Si - кремний, SiC - карбид кремния, GaN - нитрид галлия):

Ширина запрещённой зоны (эВ) - 3.4 - SiC, 3.2 - GaN, 1.1 - Si --- выигрывает SiC
Напряжение поля пробоя (МВ/см) - 3.5 - SiC, 3.3 - GaN, 0.3 - Si --- выигрывает SiC
Подвижность электронов (см^2/Вс) - 2000 GaN, 1500 - Si, 650 - SiC --- выигрывает GaN
Теплопроводность (Вт/см) - 5 Sic, 1.5 - Si, 1.3 - GaN --- выигрывает SiC

И ещё, в конце статьи описывают дефектность материала при производстве - пластина из GaN очень дефектная (вкратце - решето) по сравнению с Si (сравнивают только с Si).

Вот и вырисовывается картина - SiC лучше по электрическим характеристикам и что важно - лучше по теплопроводности в 2.5-3 раза. И вероятно (но не точно) SiC менее дефектен при производстве.

А подвижность электронов важна для высоких частот. Вероятно, сфера применения SiC исключает высокочастотные компоненты.

[SergeyMax]

До недавнего времени промышленность никак не могла наладить выпуск силовой электроники из карбида кремния

параграфом ниже:

В инверторе Tesla Model 3 силовая электроника из карбида кремния

[alizar]

Может, они имеют в виду, что Tesla Model 3 появилась недавно?

[Desem]

рабочая температура полупроводников SiC составляет до 200 °C, а не обычные 150 °C у кремния

то есть SiС как бы горячее чистого кремния но под полной нагрузкой ?

[Kyrgyz]

Нет. Это значит, что допускается греть кристалл сильнее при прочих равных. Это, в свою очередь, снижает требования к системе охлаждения, а оттуда уменьшаются габариты и масса.