Pull to refresh

Comments 15

«Тонкие» технологии начинают «утолщаться» )
Однако уложенный стопкой бутерброд будет греться — слои будут подогревать друг друга. Да и еще и наводки слоев, по идее, при каких-то условиях будут друг на друга? Было бы интересно узнать про охлаждение — думается тут все будет не так тривиально.
Ну, для описания проблем и недостатков запланирована следующая часть :)
А с охлаждением тут гораздо больше проблем, чем кажется. И хорошего решения в этой области пока что нет.
Интересно, что мне доводилось читать разные футуристические фантазии в этой области — своего рода мечты программистов, как должен выглядеть процессор их мечты. Кто-то предлагал даже просверлить вертикальные каналы и пустить по ним жидкий азот, при этом некий идеал самого процессора был кубическим…
Я думал, что надо делать две мощные металлические кубические сетки, проходящие через весь куб — одна для 0V, другая для рабочего напряжения — и их же использовать для охлаждения. А остальные элементы размещать между ними. Интересно, что делают в реальности.
Я, конечно, не специалист в этой области, но чем по охлаждению процессор, сделанный по этой технологии, отличается от предыдущих, где слои уже есть, но соединения по краям только?
Про наводки согласен — вертикальные соединения должны добавить проблем.
Эта технология пока что действительно применяется только там, где нет больших проблем с охлаждением. Например, где сверху на мобильном однослойном процессоре лежит память, или весь стек из одной только памяти и состоит.
Разве вероятность дефекта на единицу площади не будет расти с увеличением кол-ва слоёв?
Даже не знаю с какого конца начать вам отвечать.
Боюсь, вы не поняли суть рассуждения.
Говоря о вероятности дефекта на единицу площади, имеется ввиду площадь, занимаемая одним кристаллом на «вафле», а не суммарная площадиьвсех слоев. Т.к. именно эта площадь определяет будет ли данный кристалл (слой) работать.
Я как раз про единицу площади на вафле. Меньше площадь на вафле, но больше слоёв и общая площадь слоёв примерноравна площади однослойного чипа. Получится что выход годных чипов не увеличится, разве не так?
Если один из слоев получился с дефектом, то только он и заменяется на рабочий. Площадь остальных слоев по прежнему остается полезной.
А в случае с однослойным процессором потеряна будет вся площадь
Но ведь в случае с 3d TSV речь идёт не о разных слоях, а, фактически об одной структуре. То есть там дефектов потенциально больше.

Поправьте, если ошибаюсь.
Написанное выше справедливо для сборки с использованием TSV из независимо изготовленных слоев. Сама расшифровка аббревиатуры TSV предполагает, что соединение проходит сквозь отверстие в кремниевом слое.
То, о чем говорите вы, тоже существует.
Скорее всего кулеры прийдётся делать точно по форме процессора, чтоб он как в паз в куллер вставлялся.
Класс! Очень удивился, что у Pentium Pro было два чипа под крышкой, понравилось фото, спасибо!

Насколько я помню из курса по микроэлектронике, в случае вот таких вот трёхмерных структур достаточно большую проблему составляет проделывание маленьких дырок в кремнии, для соединения уровней. Их вроде бы лазером делали на прототипах, интересно как планируется эту проблему решать — в очень масштабном производстве не особо-то лазером по чипам в таком количестве постреляешь…

Не могу пост плюсануть извините, кармы маловато =(
Sign up to leave a comment.