Компания IBM, работавшая совместно с Samsung и GlobalFoundries, представила первый в мире кремниевый чип, выполненный по 5-нм техпроцессу. Этот чип также стал первым, в котором использовались горизонтально расположенные транзисторы с круговым затвором (GAAFET) и была применена технология фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV).
/ фото IBM Research CC
GAAFET является развитием технологии finFET, основанной на транзисторах с вертикально расположенным затвором, напоминающим «плавник», которая сегодня используется для изготовления большинства чипов с техпроцессами 22 нм и менее. Ученые из IBM, Samsung и GloFo развернули архитектуру finFET на 90 градусов, что позволило образовать горизонтальный «плавник», выполняющий функцию нанопровода, протянутого от истока к стоку.
В GAAFET от IBM имеются три нанолиста, размещенные друг на друге и проходящие между стоком и истоком. Затвор в такой конструкции получается довольно большим, что гарантирует надежность архитектуры и её производительность.
/ фото IBM Research CC
Одним из главных достоинств 5-нм GAAFET от IBM — это значительное снижение сложности формирования рисунка. Хуэймин Бу (Huiming Bu), глава отдела IBM Research, занимающегося разработкой кремниевых устройств, отмечает, что новый 5-нм чип стал первым, в котором для нанесения полупроводниковых структур использовалась фотолитография в глубоком ультрафиолете. В EUV-технологии применяется более короткая длина волны (13,5 нм), чем в современных установках для иммерсионной литографии (193 нм), что позволяет сократить количество этапов нанесения рисунка.
В IBM отметили, что им удалось вместить 30 миллиардов транзисторов в чип площадью 50 квадратных миллиметров. Для сравнения, аналогичный по площади чип, изготовленный по 7-нм процессу, вмещает только 20 миллиардов транзисторов.
Также представители компании рассказали, что по сравнению с коммерческими 10-нм чипами, новые 5-нм чипы предлагают 40% прирост производительности при таком же энергопотреблении, или 75% снижение энергопотребления при сохранении скорости работы 10-нм устройств.
Сроков начала промышленного производства новых процессоров в IBM не назвали.
IBM — американская компания, один из крупнейших в мире производителей и поставщиков аппаратного и программного обеспечения, а также ИТ-сервисов и консалтинговых услуг.
Samsung — южнокорейская группа компаний, основанная в 1938 году. На мировом рынке известна как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле.
GlobalFoundries — американская компания, которая является третьим по размеру контрактным производителем полупроводниковых интегральных микросхем. Была основана в 2009 году на основе производственного подразделения компании AMD.
P.S. Другие материалы из нашего блога:
/ фото IBM Research CC
GAAFET является развитием технологии finFET, основанной на транзисторах с вертикально расположенным затвором, напоминающим «плавник», которая сегодня используется для изготовления большинства чипов с техпроцессами 22 нм и менее. Ученые из IBM, Samsung и GloFo развернули архитектуру finFET на 90 градусов, что позволило образовать горизонтальный «плавник», выполняющий функцию нанопровода, протянутого от истока к стоку.
В GAAFET от IBM имеются три нанолиста, размещенные друг на друге и проходящие между стоком и истоком. Затвор в такой конструкции получается довольно большим, что гарантирует надежность архитектуры и её производительность.
/ фото IBM Research CC
Одним из главных достоинств 5-нм GAAFET от IBM — это значительное снижение сложности формирования рисунка. Хуэймин Бу (Huiming Bu), глава отдела IBM Research, занимающегося разработкой кремниевых устройств, отмечает, что новый 5-нм чип стал первым, в котором для нанесения полупроводниковых структур использовалась фотолитография в глубоком ультрафиолете. В EUV-технологии применяется более короткая длина волны (13,5 нм), чем в современных установках для иммерсионной литографии (193 нм), что позволяет сократить количество этапов нанесения рисунка.
В IBM отметили, что им удалось вместить 30 миллиардов транзисторов в чип площадью 50 квадратных миллиметров. Для сравнения, аналогичный по площади чип, изготовленный по 7-нм процессу, вмещает только 20 миллиардов транзисторов.
Также представители компании рассказали, что по сравнению с коммерческими 10-нм чипами, новые 5-нм чипы предлагают 40% прирост производительности при таком же энергопотреблении, или 75% снижение энергопотребления при сохранении скорости работы 10-нм устройств.
Сроков начала промышленного производства новых процессоров в IBM не назвали.
О компании IBM
IBM — американская компания, один из крупнейших в мире производителей и поставщиков аппаратного и программного обеспечения, а также ИТ-сервисов и консалтинговых услуг.
О компании Samsung
Samsung — южнокорейская группа компаний, основанная в 1938 году. На мировом рынке известна как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле.
О компании GlobalFoundries
GlobalFoundries — американская компания, которая является третьим по размеру контрактным производителем полупроводниковых интегральных микросхем. Была основана в 2009 году на основе производственного подразделения компании AMD.
P.S. Другие материалы из нашего блога:
- Облачные технологии в строительстве
- КУБИТ: организация комплексных ИТ-решений с использованием IaaS-облака «ИТ-ГРАД»
- Поведенческий анализ животных: как облако IaaS помогает предсказывать землетрясения
- IaaS в мире музыки: как облако становится стандартом размещения аудиоконтента
- Облачные технологии для решения задач в строительном бизнесе
- Гейм-индустрия: как IaaS подарил новую жизнь популярной игре Angry Birds