Comments 17
Нашли хорошие недорогие МОП-транзисторы или, возможно, обнаружили
неплохие у себя в закромах, но они слегка недотягивают по силе тока?
Обрадую вас — зачастую можно установить похожие МОП-транзисторы
параллельно, чтобы увеличить максимально проводимый ими ток. В отличие
от диодов, большинство полевых транзисторов имеют положительный
термальный коэффициент — чем больше тока через них протекает, тем
сильнее они нагреваются. При этом также растёт сопротивление, в
результате чего параллельно подключенные транзисторы выравнивают
показатели друг друга, даже если их параметры не совпадают. В таком
случае вам уже не потребуется использовать отдельные управляющие схемы —
просто запараллельте транзисторы, соединив все три контакта, и это
сработает.
Это справедливо только в ключевом режиме работы. Если полевой транзистор работает в аналоговом режиме, наличие выравнивающих ток резисторов обязательно. Подробности можно найти в "The Art of electronics", 3.6.3 "Paralleling MOSFETs".
К показанной схеме включения нагрузки можно было бы добавить предупреждение, что если на выходе появится напряжение снаружи, оно попадёт на питание устройства и может вызвать его повреждение.
Для линейных режимов вообще обычно нет документации для полевиков и собирать параллельную сборку полевиков не лучшая идея для новичка. Как раз биполяры в этом плане куда дружелюбнее. Там по крайней мере не будет "500 амперного" транзистора в корпусе Sot23)))
Режим называется "Активным", не аналоговый.
В нём используется нетипичная управляющая схема — там присутствует NPN-транзистор, но его база управляется через конденсатор, чтобы пропускать только переменную составляющую управляющего сигнала. В результате, если основной микроконтроллер повиснет, и управляющий контакт ввода-вывода застрянет на высоком уровне, транзистор не останется активен.
Следует отметить, что такая схема не подходит для управления ШИМ-сигналом.
Так же, если в данном случае управляющий сигнал формируется не программно, а аппаратно (например отдельным таймером) то зависание контроллера обычно не влияет на его работу.
МОП означает металл-оксид-полупроводник, одна из технологий производства полевых транзисторов; в некоторых областях сегодня вытесняется современными альтернативами. По-английски будет MOS. FET на русский переводится как полевой транзистор.
Сложные картинки для начинающих, тем более под картинками нет подписей(
Поясните кто знает. Для чего нужны IGBT сборки? Я читал несколько объяснений, мол они сочетают в себе преимущества полевиков (не требуют постоянного потребления тока базой) и биполярных (якобы, рассеивая меньшую мощность, т.к. биполярные транзисторы до сих пор превосходят полевые в меньшем сопротивлении току в открытом состоянии) Так ли это?
Почитал и сам нашел ответ. У IGBT и MOSFET-ов есть перекрывающиеся энергетические ниши в которых они взаимозаменяемые. Но в области высоких токов и высоких напряжений (сотни ампер, тысячи вольт) у биполярных (в составе IGBT) выше электрическая прочность и лучше характеристики.
При увеличении тока через биполярный транзистор рассеиваемая мощность растет примерно линейно, а в полевых транзисторах - квадратично. Поэтому начиная с какого-то определённого уровня токов потери в IGBT будут меньше.
Может все-таки напряжений. Насколько мне приходилось сталкиваться, IGBT всегда высоковольтные. И насколько я знаю, полевики очень непредсказуемы при больших токах и напряжениях. Вернее даже слишком нежны, потому-что требуется соблюдать слишком много условий, чтобы он не горел.
Тут дело в свойствах перехода через который течет ток. у MOSFET это эквивалент резистора с нормированным сопротивлением, соответственно при повышении тока повышается и падение и при увеличении тока в n раз получаем мощность:
P = n*I * (n*I*R), где в скобочках падение напряжения на транзисторе.
В случае же с IGBT/биполярным эквивалентом можно считать диод, где падение напряжения конечно не константа, но все же более стабильная величина зависящая от ВАХ конкретного элемента. в большинстве случаев в данном случае мощность будет выглядеть как
P = n*I * (k*Upn) (где k = некая величина из ВАХ соответствующая току n*I)
при относительно низких же токах эта особенность дает обратный эффект в виде большого падения (относительно падения на миллиомах мосфета)
Фуфло. Как тупо-подстрочный перевод, так и глупости в оригинальной статье. Например:
Паразитный диод может оказаться очень кстати, например, в случае переключения индуктивных нагрузок, так как будет рассеивать часть обратного электромагнитного поля, которое может получить транзистор. Хотя особо на него не полагайтесь. Если вам нужен диод, то лучше будет просто добавить дополнительный параллельно.
Если используется одиночный полевой транзистор, то его паразитный диод никогда не откроется выбросом напряжения самоиндукции.
Его открытие возможно только в полу- и мостовых схемах.
В некоторых продуктах, таких как паяльники Pinecil, используются два последовательных полевых транзистора, обеспечивающих дополнительную защиту от подобных случаев.
Учитывая, что там транзисторы включены встречно, один транзистор будет постоянно сквозить через диод. Скорее реализован "двунаправленный" ключ, и опять же непонятно для чего.
Позволю себе прокомментировать пару утверждений из статьи:
Сейчас выпускаются биполярные транзисторы со сниженным (различными топологическими методиками) напряжением насыщения коллектор-эмиттер, в условно "слаботочных" (примерно до ампера) переключательных схемах могут оказаться, при практическом использовании, проще полевого транзистора (с падением напряжения коллектор-эмиттер менее 100 мВ).
Ряд топологий ключевых полевых транзисторов (таких как, например, TrenchFET) крайне не рекомендуется использовать в схемах , предполагающих работу этих приборов в активном режиме: вследствие особенностей строения кристалла транзистора это может привести к отказу прибора.
FET: (F)дружелюбный (E)эффективный (T)транзистор