Comments 51
Никто не будет ставить в ноутбук рядом с памятью отдельный магнит.
Да вообще нет проблем!
В HDD стоят(ли?) очень сильные магниты. И достаточно крупные.
это да, но ноутбуки с HDD теперь некая диковинка сейчас, однако
Потому что медленнее и батарейку кушают. Чему они мешали свой магнитностью в ноутбуках, что аж «никто не будет ставить в ноутбук рядом с памятью отдельный магнит»?
Потому что медленнее и батарейку кушают.
А кто вам сказал, что SSD кушает батарейку меньше? При работе и активном обмене данными SSD легко может потреблять больше HDD.
У SSD мощность может быть больше, но и скорость выше в десятки раз. То есть такой же объем данных SSD передает с меньшим потреблением энергии. Плюс не нужно крутить диски в ожидании запроса на данные.
«Работой и активным обменом данными», когда SSD и HDD расходуют энергию примерно одинаково, компьютер занимается сравнительно редко. На корпусе компьютеров до сих пор есть специальный огонёк, который обозначает такие моменты. Всё остальное время HDD крутит блины и кушает 1-2Вт, а SSD — милливаты, тут и набегает основная разница.
Плюс, как отметили выше, при одинаковой мощности в активном режиме, SSD проводит в нём меньше времени.
В современных ноутбуках есть несколько магнитов, например в динамиках или датчиках открытия/закрытия крышки.
Тоже не понял пассажа, сейчас магниты ставят даже в планшеты, исключительно для того, чтобы обложку держать и никто не переживает по этому поводу. Скорее всего автор нам что-то недоговаривает и там магнит как в установке МРТ нужен, чтобы всё работало ))
Никто не будет ставить в ноутбук рядом с памятью отдельный магнит
В электромоторах жестких дисков неодимовые магниты, как то не так уж и далеко от дисков с данными:-)
Если технологию доведут до серийного производства
именно ЕСЛИ. сколько мы видели за эти десятилетия "прорывов" ....
P.S.
статья хорошая !
Угу, про интеловский Apache Pass/Optane/3D XPoint тоже много шума было, пока реальное железо не появилось.
А можете вкратце рассказать что случилось с этой технологией?
Дешевые ссд на pcie + дешевая оперативка показала что данные технологии слишком дороги, а выхлоп для пользователя в производительности слишком мал.
оказалась не долговечнее нанд
Да просто не смогли добиться нужного процента выхода годных (что сказывается на цене), ну и характеристики (долговечность, скорость) оказались не те.
И даже если такое взлетит - полноценная поддержка в софте (чтобы, как задумывалось изначально, система моментально поднималась после включения с работающими программами без загрузки данных из файлов) весьма нетривиальна. Вот, скажем, описание изменений в SAP HANA, надо которыми поработали люди из SAP и Intel (не знаю, дошло ли оно до прода).
Лазер бьет в фотодиод, а тот выдает 60-пикосекундный электрический импульс, который и переключает магнитное состояние. То есть исследователи фактически продемонстрировали возможность вести запись напрямую светом, без отдельного шага в виде электронного сигнала.
Я даже не знаю как это комментировать
Самое главное. Как комментировать: Комментируйте, выделяя часть комментария жирным шрифтом. Так вы не будете выделяться среди всего остального нейрослопа на сайте. Это будут не просто комментарии - это бриллианты отсекаемые пальцами из под клавиатуры. Если хотите вступить в дискуссию, то просто скажите мне об этом.
Я еще в универе лет 25 назад когда учился, читал про транзисторы с какими-то бешеными параметрами в сотни гигагерц, и обещаниями иметь такие процы в скором времени. Есть большая разница между прототипом и массовым устройством.
Ну так такие транзисторы есть, как-то работают же векторные анализаторы сигнала всякие или осциллографы с полосой порядка 70-100 ГГц. Но на этой частоте длина волны только порядка 3мм, т.е. если пытаться такие транзисторы на таком расстоянии располагать, то между ними появится СВЧ-тракт с переотражениями, стоячими волнами и так далее. Поэтому в реальной схеме это будет тщательно разведённая плата из специального текстолита с кучей экранов и много места вокруг транзистора. Логический элемент на 100 ГГц так сделать может и можно, а вот процессор будет занимать пару кварталов :)
Если это память, запись и считывание сигнала в которую производится светом, а не электрическим сигналом, то это fail. Потому что это сразу ограничивает плотность хранения информации длиной волны света, а устройство выборки либо очень медленное, либо очень дорогое и все равно небыстрое, и к тому же подверженное износу.
Примерно та же история, как с "убийцой ленты" на стеклянных пластинах - скорость хорошая, объем огромен, хранение поистине вечное, изменить/стереть нельзя, кассеты вроде должны быть недорогие. И устройство чтения-записи с супер-точной оптикой и механикой, размером в морской контейнер и стоимостью как десяток лакшери-самолетов... Так и осталось дорогой лабораторной игрушкой.
В конце нулевых ещё, читал статьи про трековую память основанную на перемещении магнитных доменовы в нанотрубках, что мол через несколько лет оперативка будет не нужна и всё будет основано на этой потрясающей памяти. Полтора десятка лет прошло, а воз и ныне там.
Эм...как бы использовали такие вещи, но глубоко в прошлом - https://habr.com/ru/articles/454226/
Штука занятная и интересная, но ее время давно ушло.
Да, ЦМД... Там, где я работал в 2002-2012 годах, был рабочий(!) и использовавшийся (!!!) компьютер, оперативная память которого была на ЦМД (не вся, конечно -- иначе это было очень медленно).
Да, про этот тип памяти читал. Но тут обещали наносекундные задержки из-за множества очень коротких дорожек и всё это в потребительскую электронику.
Ноуты с такой памятью постоянно летали в космос. Выделялись ещё оранжевой подсветкой.
Никто не будет ставить в ноутбук рядом с памятью отдельный магнит.
В ноутбук много чего не ставят. Коммерческие решения одними ноутбуками и смартфонами не ограничиваются.
Нагрев самой ячейки в момент переключения составляет около 8 градусов.
Если в одну ячейку 10 раз попеременно записать 0 и 1, то за 400 пикосекунд она нагреется на 80 градусов?
>Нагрев самой ячейки в момент переключения составляет около 8 градусов.
тысяча переключений - 8000 градусов, не? Впрочем, в случае нейросетей, например, менять веса вообще, не надо, всё упирается в скорость пересылки данных.
кстати, а где мемристорная память, которую обещали уже прям вот-вот запустить в производство несколько лет назад?
Несколько лет назад - это уже заметно больше десяти.
June 10, 2015 HP kills The Machine, repurposes design around conventional technologies
Построены фабрики по производству DRAM и SSD, с окупаемостью в десятки лет. Вложены триллионы долларов. Никто не допустит резкую смену технологий, а то уважаемые люди деньги потеряют.
"физический процесс" изменения 1T1C ячейки (это 1 бит DDR) - занимает те же десятки пикосекунд.
А вот чтобы считать микроскопический заряд (10 фемтокулон = 10*10<sup>-15</sup>) и превратить его в логическую 1 на latch-выходе из DDR - и требуется те самые 15 ноносекунд.
Как там у новой технологии обстоит дело со считыванием сигнала до стандартных ячеек - почему в статье "забыли" самое важное?Опять же "перемещение данных" (с вычислилельного кристалла на кристалл памяти или обратно) занимает примерно в 10 раз больше энергии, чем непосредственно запись в память. Ссылка https://arxiv.org/pdf/2603.26053 на in-memory computing исследование от 2026 года.
Кажется опять "колумнист изнасиловал учёного".
"физический процесс" изменения 1T1C ячейки (это 1 бит DDR) - занимает те же десятки пикосекунд.
Ну нет же. Формула напряжения конденсатора U(t) = U0 * exp(-t/tau), где характерное время переключения tau = C/R цепи. С уменьшением техпроцесса чипа отношение ёмкости к сопротивлению C/R не меняется, поэтому мы так и сидим на тех же 30-50 МГц (20-33 нс), что были достигнуты в 90ых. Единственное что понизили U0, сначала с TTL 5V до 3 V, потом до 1.7, сейчас до 1.1. Это да, ускорило почти в 4 раза (до 5-8 нс). Всё остальное это массивно-параллельное чтение 8192 ячеек за такт, чтобы выплюнуть в шину на ширине 64 бита, но уже на гигагерцах.
Так я подставил (я произвольно взял U/U0 как 1/4) и получил порядок велечины в 200 пикосекунд.
Что на порядок отличается от моего "десятки пикосекунд" и на 2 порядка от вашего.
tau = C/R
Вроде С*R.
С - площадь затвора стала меньше, как и заряд, который он аккумулировал, и переключение транзистора стало быстрее.
R - в цепях питания транзистора ограничение тока - оно уменьшилось из-за снижения U питания.
И это в целом благотворно повлияло на частоты CPU.
Неа, заряды действительно стали меньше, но и дорожки стали тоньше и пропускают совсем смешной ток. Поэтому скорость переключения не изменилась.
Да блин, можете посмотреть спецификации. У DDR1 (техпроцесс 130 нм) задержка (latency) составляет 12,5 нс, т.е. реальная скорость памяти - 80 МГц. У DDR5 техпроцесс 14 нм, задержка - 10 нс / 100 МГц. И случилось это гигантское прорывное улучшение благодаря очередному уменьшению U0 при переходе от DDR3 к DDR4. За это, правда, пришлось платить повышающими преобразователями, потому что сигналы теперь слишком слабые, чтобы ходить по материнке в чистом виде, без повышения уровней.
А что у этой памяти с латентностью?
Переключить ячейку, допустим, 1 пикосекунда. А сигнал от процессора до переключателя ячейки сколько будет идти?
И нужно ещё учитывать, что чем больше объем памяти, тем большая площадка для неё нужна. А следовательно, расстоянию, которое должен пройти сигнал до ячеек памяти, увеличивается. И снова латентность повышается.
Весь текст написан Claude :(
Между таким прототипом и коробкой на полке магазина обычно лежат десять-пятнадцать лет инженерной работы, доводки и тестирования.
Вот тогда и приходите.
А считывать данные как? Ставить датчик Холла под каждую ячейку?
Лазер бьет в фотодиод, а тот выдает 60-пикосекундный электрический импульс, который и переключает магнитное состояние. То есть исследователи фактически продемонстрировали возможность вести запись напрямую светом, без отдельного шага в виде электронного сигнала.
Писавшая статью LLM не заметила в этом предложении никакого внутреннего противоречия?
Новая DRAM в 1000 раз быстрее обычной, и она может изменить компьютерный мир