Pull to refresh

Comments 33

Ого, а если сделать из проволочек матрицу? Это же огромный прорыв в фотосенсорах и излучателях получается. Или матрица не получится?
Фотоматрица и фонарик 2 в 1? Хмм…
Или самозарядная вспышкоматрица.
Камера, самозасвечивающая фотографии (при условии, что свойства всей поверхности матрицы неоднородный в момент снимка).
Фотоматрица и фонарик 2 в 1? Хмм…

Что-то такое
Содержимое

UFO just landed and posted this here
Очень много датчиков укомпонованных в матрицу?
Встречайте, новый Samsung Galaxy S9 c 10-гигапиксельной матрицей и встроенным маяком!
Управляемое зеркало.

Подошел к нему, а оно тебе мешки под глазами, бороду и пузо убрало.
Зачем делать световую коммуникацию в рамках одного чипа?
гальваническая развязка? снижение мощности?
Еще с топологией можно играться: лучи света можно перекрещивать, а проводники надо раскидывать по нескольким слоям металлизации. А более плотное расположение элементов — это меньшие задержки при передаче данных, а значит и возможность работать на больших частотах (если не мешают другие ограничивающие факторы).
Насколько мне известно, одной из проблем чувствительности Лазерных Гироскопов к малым угловым скоростям является то, что возбужденные в среде неонового резонатора встречные излучения лазера самосинхронизируются друг с другом из-за близости частот стоячих волн.
Может некорректно изложил суть проблемы, но, если не ошибаюсь, в невакуумной среде несонаправленные лучи лазера могут влиять друг на друга.
Потому что это выгодно.

Металлические проводники:

  • греются — тепловые потери
  • имеют емкость и индуктивность — реактивные потери
  • подвержены взаимовлиянию — искажение формы сигналов, нельзя поднимать частоту
  • нельзя легко вывести за пределы чипа — нужны буферы и прочая ересь
  • занимают много места; одна связь — один проводник
  • влияние ЭМИ и электростатики, наконец

Оптические связи лишены всех перечисленных недостатков. Плюс к тому их легко мультиплексировать (по частотам и поляризации), так же легко разделять. Не говоря уже о том, что они способны работать на гораздо бо́льших частотах.
Оптические-то лишены. А конвертирование туда-сюда бесплатное удовольствие?
Во-первых, потери энергии при конвертировании могут оказаться в разы меньше, чем активные и реактивные потери в меди. Подобные системы существуют и активно применяются (для других, впрочем, целей). Оптопары называются.

Во-вторых, что вы предпочтете, классический процессор работающий на частоте в 5 ГГц, с трудом охлаждаемый азотом, или холодный оптический чип, спокойно работающий на 50 Ггц с соответствующей производительностью? Дело не в том сколько энергии оно ест, а в том, стоит ли эта энергия того чтобы ее тратить.

P.S.: Фактические цифры знают только исследователи, поэтому гадать бессмысленно. Но преимущества и недостатки каждого подхода можно оценить и без этого.
Ограничение в 3-10 ГГц связано в том числе со скоростью света, читать тут: habrahabr.ru/post/122428/. И оптика вам в этом не поможет, а помогает техпроцесс и архитектура задающая длину линий связи.
Светящиеся «нейроматрицы» и прочие «позитронные мозги» из научной фантастики про андроидов не за горами?
А механика фатально не скажется на долголетии чипа?
А как растягивать, пьезоэффектом?
мб, можно фиксировать состояние материала в чипе?
Да, скорее всего пьезоэффектом. Кварцевые резонаторы дергаются на гигагерцовых частотах десятилетиями и не рассыпаются. Так и тут будет. Никто же не говорит что его надо на ±сантиметр деформировать.
Вот только что-то мне подсказывает, что придется долго и упорно проектировать структуру так, чтобы тепловая деформация не портила работу. Потому как свет светом, а тепловыделение от основной логики никто не отменял.
Термостабилизация — задача решаемая.
В том-то и проблема, что не термостабилизация параметров, а механическая стабилизация размеров на таких масштабах. Кстати, интересно как на такие структуры воздействуют и механические вибрации. В общем, посмотрим, случится ли практическое применение.
В Analog Devices как раз кичатся хвастаются своими Ноу-Хау в области MEMS. Стабилизация микромеханических структур, особенно в кремнии, одна из самых больших, если не главная, проблем микромеханических датчиков. Но проблема здесь, кажется, технологическая, но не фундаментальная.
„управляемой энергетической щелью“ (direct bandgap) — по-русски это будет «запрещенная зона с прямым переходом», а полупроводник становится псевдопрямозонным (pseudo-direct) из непрямозонного.
Несложно же посмотреть в любом учебнике по физике твердого тела (да даже в википедии) нормальные термины. Что такое «управляемая энергетическая щель», никому непонятно, что такое «псевдопрямозонный полупроводник» — поймет каждый, кто немного знаком с ФТТ.
Опередили вы меня. (Карма, однако, не позволяет плюсануть.) Но тогда вопрос от человека, немного знакомого с ФТТ, что всё же стоит за словом псевдопрямозонный? Банально запрещённые отбором, но осуществляемые переходы или нечто более сложное?
Исправлено, спасибо.
Переводчику, разумеется, простительны фактические и смысловые ошибки, однако следует обратить внимание на некоторые моменты.

> Для преобразования первого типа обычно используются материалы III-V групп полупроводников, которые излучают свет. Ну, а для обратного преобразования, света в электричество используются кремний и германий.

В целом вранья здесь нет, но было бы точнее сказать, что для излучения используются прямозонные полупроводники, а для поглощения — непрямозонные. ru.wikipedia.org/wiki/Запрещённая_зона Список тех и других. Отличие их состоит в том, что в прямозонных для акта поглощения или излучения изменение импульса не требуется, а в непрямозонных — требуется; таким образом, в прямозонных полупроводниках возможно излучение и затруднено поглощение (за счёт высокой вероятности переизлучения), а в непрямозонных наоборот, поглощение намного вероятнее излучения (за счёт низкой вероятности совпадения появления фонона с нужным импульсом и актом рекомбинации электрона).

> состояние, которое мы называем „управляемой энергетической щелью“ (direct bandgap)

Неправда. Direct bandgap и есть direct bandgap — прямая запрящённая зона. Никто никаких новых определений не вводил.

> Мы называем эту кристаллическую структуру „Вюрцит“ (Wurtzite). Подобная структура появляется только в проводниках сверхмалого размера.

Это полный фуфел: вюрцит — вполне конкретный минерал. Это название используется в кристаллографии как характеристика структур подобного гексагонального строения, наравне с цинковой обманкой (тот же сульфид цинка в другой конфигурации). Сейчас у меня, к сожалению, нет доступа к полному тексту статьи, поэтому не могу пока сказать, что имелось в виду. Видимо, речь о том, что арсенид галлия, о котором идёт речь в статье, обычно обладает именно сфалеритовой структурой, и вюрцитоподобная фаза может быть реализована только в наноструктурах.

В целом же, хотя пока про механически (или термически, или любым другим, помимо выращивания соответствующей структуры, способом) управляемый переход из прямого в непрямой поулпроводник я ничего конкретного не нашёл, революции вроде бы нету, потому что изменение свойств зон при механическом напряжении — и теоретически и практически общеизвестная вещь, пруфы: www.nature.com/nnano/journal/v9/n2/full/nnano.2013.277.html www.iue.tuwien.ac.at/phd/dhar/node16.html Но! Врать не буду, нужно изучать детальнее.
Спасибо за комментарий, исправил термины из второго пункта. По поводу первого — в источнике говорилось именно про группы, если вы считаете, что здесь нет прямой ошибки, пусть так и останется тогда.

По поводу третьего пункта — в первоисточнике говорится о «Wurtzite». Честно говоря, сложно сказать, что могло подразумевается авторами исследования в этом пункте, но прямой перевод именно «вюрцит». Если это ошибка, можно оставить тогда «Wurtzite».

В любом случае, большое спасибо.
> в первоисточнике говорится о «Wurtzite»

Не совсем. В статье-оригинале в Nature, прямо в аннотации написано: «The less known pseudodirect bandgap configuration can be found in wurtzite (WZ) semiconductors» и «...we show that the luminescence of WZ GaAs nanowires can be switched on and off, by inducing a reversible direct-to-pseudodirect band structure transition, under the influence of a small uniaxial stress». (Кстати, очень уже интересно ознакомиться с полной версией статьи, потому что тушение люминесценции может быть вызвано и другими причинами, помимо изменения типа перехода.) То есть — арсенид галлия с вюрцитоподобной структурой. А сам вюрцит — это ZnS.

В статье на сайте ibmresearch тоже сказано: «This structure is possible only because the nanowire dimensions are so small». Но неверно это переводить как «подобная структура появляется только в проводниках сверхмалого размера». Правильнее: «реализация такой структуры возможна только благодаря сверхмалым размерам нанопроволоки». Речь идёт о реализации структуры вюрцита в GaAs, а не вообще.
Исправил на ваш вариант :)
Sign up to leave a comment.