SK hynix объявила о начале массового производства HBM3, которая считается самой производительной в отрасли памятью DRAM. В октябре компания стала первой в отрасли, разработавшей HBM3.
HBM или память с высокой пропускной способностью представляет собой высокопроизводительную память, которая вертикально соединяет несколько микросхем DRAM и значительно увеличивает скорость обработки данных по сравнению с традиционными продуктами DRAM. HBM3 DRAM — это продукт HBM 4-го поколения, пришедший на смену HBM (1-го поколения), HBM2 (2-го поколения) и HBM2E (3-го поколения).
С ускорением развития передовых технологий, таких как искусственный интеллект и большие данные, крупные мировые технологические компании ищут способы быстрой обработки растущих объемов данных. Ожидается, что HBM со значительной конкурентоспособностью по скорости обработки данных и производительности по сравнению с традиционной DRAM привлечет широкое внимание отрасли.
Nvidia недавно завершила оценку производительности образцов HBM3 от SK hynix. Производитель предоставит HBM3 для систем Nvidia, поставки которых планируются в третьем квартале этого года.
Ожидается, что HBM3 от SK hynix повысит производительность ускорителя Nvidia H100 благодаря пропускной способности памяти до 819 ГБ/с, что эквивалентно передаче 163 фильмов FHD (Full-HD) каждую секунду.
В январе Intel объявила, что закрыла первую фазу продажи своего бизнеса SSD и NAND SK hynix. Последняя же создала новую дочернюю компанию Solidigm для управления производством твердотельных накопителей.
