Samsung Electronics заложила основу нового комплекса для исследований и разработок в области полупроводников в Гихыне, Республика Корея. До 2028 года компания инвестирует в новый центр 20 трлн вон ($15 млрд). В новом центре будут проводить исследования в области следующего поколения памяти и других полупроводников, а также разрабатывать прорывные технологии.
Новый комплекс площадью 109 тыс. кв. м планируют построить к 2028 году. Создавая новый научно-исследовательский центр, Samsung Electronics стремится преодолеть ограничения масштабирования полупроводников и укрепить своё конкурентное преимущество в области полупроводниковых технологий.
Samsung 25 июля провела церемонию, посвящённую началу поставок первой партии своих 3-нм чипов, выполненных с использованием транзисторов GAA. Мероприятие посетили около 100 человек, включая министра торговли, промышленности и энергетики Южной Кореи Чжу Хен Хвана и всех ключевых сотрудников Samsung.
