Pull to refresh

Comments 15

Напомню, что mram (Магниторезистивная оперативная память) — это подобие оперативной памяти, которая сохраняет информацию после выключения питания.
Помню еще лет десять назад читал заметку о том, что вот-вот произойдет переворот в компьютерной индустрии.
За счет использования mram не будет разделения на ОЗУ и НЖМД. Обе функции будет выполнять mram, что повлечет за собой пересмотр устройства ОС в целом, ибо не надо будет что-то куда-то сохранять, все и так доступно на скоростях как у ОЗУ (по тем временам).
Да чушь это, проблема затирания памяти при отключении питания, как раз, решаема (пусть и с костылем). Нерешаема проблема с ценой за гигабайт.
Что-то мне тоже такое помнится… Правда статейка тогда была желтовата немного.
Интересно было бы представить концептуальную архитектуру бездисковой ОС на такой памяти. Может уже есть разработки?
«Palm OS does not differentiate between RAM and file system storage. Applications are installed directly into RAM and executed in place.»
Да всё как всегда, ничего особенного тут в обязательном порядке не требуется.
Просто вместо жесткого диска – рамдиск.

Новую архитектуру изобретать не обязательно.
Насколько я понимаю, память универсальная. То есть, одно пространство памяти может быть использовано и как ОЗУ, и как SSD.
Ну да, мы с вами друг другу и не противоречим. :) При загрузке ОС, небольшой драйвер резервирует под себя определенный участок оперативы, в котором с прошлых включений остались данные, и представляет доступ к нему, как к блочному устройству.

Ну и всё, радуемся и работаем. Конечно, можно сделать сложней и изощренней; но, как самый простой вариант, подходящий для существующих систем – такой будет работать.
Windows CE (и его потомок windows mobile)… ПОЛНАЯ ХРЕНЬ, сдох внутренний аккамулятор, вытащил основной, потерялись все данные ;D
В каком-то смысле OS/400, много лет назад.
К.О., объясни как получить поток электронов с преимущественной ориентацией спинов без магнитного поля?
А нигде не утверждается, что сам ток получается без использования магнитного поля. Технология STT заключается лишь в том, что на магнитный материал ячеек памяти воздействие оказывает не внешнее магнитное поле напрямую, а спин-ориентированный ток, проходящий через этот материал. Разумеется, создаётся этот ток при помощи магнитного поля, но это может делаться не прямо в самой ячейке, а «снаружи». Может быть, даже, это какой-то выделенный блок в чипе, в котором создаётся ток со спинами соответствующей ориентации и потом просто распределяется по ячейкам (впрочем, это уже моя фантазия, как там на самом деле, я не знаю).
Sign up to leave a comment.

Articles