Comments 21
130нм — 120 млн евро
90нм — 27 млн евро
не понял, куда она экспоненциально растёт…
90нм — 27 млн евро
не понял, куда она экспоненциально растёт…
А у нас Сколково и Олимпиада(
А так я рад что технологии не стоят на месте.
Судя по публикациям сейчас каждый нанометр с трудом даётся.
А так я рад что технологии не стоят на месте.
Судя по публикациям сейчас каждый нанометр с трудом даётся.
Транзистор создать, не тех процесс отладить.
Цены на светочувствительные CMOS матрицы растут экспоненциально их размерам, хотя тех процесс куда уж толще.
Единичный элемент создать, много ума не надо, а intel из таких элементов процессоры делает, и пусть обходится не без отбраковки, урезания, но всё-же их тонкий тех процесс, ещё и экономически выгодней процессов конкурентов.
Цены на светочувствительные CMOS матрицы растут экспоненциально их размерам, хотя тех процесс куда уж толще.
Единичный элемент создать, много ума не надо, а intel из таких элементов процессоры делает, и пусть обходится не без отбраковки, урезания, но всё-же их тонкий тех процесс, ещё и экономически выгодней процессов конкурентов.
Здесь 22нм весь транзистор, у интела — реальный размер транзистора в несколько раз больше, 22нм размер самого маленького элемента (из-за происков маркетологов, которые любят «быстрее выше сильнее»). ЕМНИП, конечно.
Тут вопрос этот «22нм весь транзистор» существует в единственном экземпляре, или всё-таки воспроизводим серийно. Технологии уже давным-давно позволяют сделать не только 22нм, но и гораздо меньше, если речь идет о единичных транзисторах, или если цена не имеет значения. Интересно, как у китайских ученых с себестоимостью и серийностью дело обстоит…
Я бы отметил, что 0,543 нм — это параметр кристаллической решетки кремния, которая у него алмазноо типа. А реальное расстояние между атомами 0,23 нм, что тоже несложно заметить по масштабу фотографий.
Няня я у них поел
Только вот дислокации (которые эти самые «искусственно созданные дефекты кристаллической решетки») — они не для сжатия кремния в канале, а для его растяжения — для увеличения подвижности электронов в NMOS напряжение сжатия не нужно (как для дырок PMOS, например).
Метод называется SMT Интел его уже давно использует, для мобильных устройств такие транзисторы на подходят — токи утечки большие, поэтому IBM и примкнувшие к ним foundry такую технологию не используют, хотя мы ее проверяли и в производстве она как раз проста.
Молодцы, конечно, китайцы, но это все а) упертое старье, б) до технологии от одного транзистора еще очень далеко, а от технологии до чипа еще дальше… Но сам факт того, что они получили что-то, что было cutting age лет 6-7 назад — довольно серьезно.
Метод называется SMT Интел его уже давно использует, для мобильных устройств такие транзисторы на подходят — токи утечки большие, поэтому IBM и примкнувшие к ним foundry такую технологию не используют, хотя мы ее проверяли и в производстве она как раз проста.
Молодцы, конечно, китайцы, но это все а) упертое старье, б) до технологии от одного транзистора еще очень далеко, а от технологии до чипа еще дальше… Но сам факт того, что они получили что-то, что было cutting age лет 6-7 назад — довольно серьезно.
Эти дефекты в кремнии — они 1) долго продержатся? 2) не переместятся?
Снимок получен электронным микроскопом? Я так понимаю в фотонный микроскоп отдельные атомы не увидеть
>Возможно в будущем технологии придется покупать уже у Китая.
Я думаю, что пока Китай гонится за миниатюризацией, в недрах Интела разрабатывается что-нибудь нейронно-оптическое.
Я думаю, что пока Китай гонится за миниатюризацией, в недрах Интела разрабатывается что-нибудь нейронно-оптическое.
Sign up to leave a comment.
Китайский институт микроэлектроники создал 22нм транзисторы