Доброй пятницы, Хабр!
На прошлой неделе Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска флэш-памяти с объемной компоновкой 3D Vertical NAND (V-NAND), которая призвана сделать прорыв и обеспечить возможности для дальнейшего уменьшения NAND Flash. Новая 3D V-NAND флэш-память будет использоваться в широком спектре потребительской электроники и корпоративных решений, в том числе, во встроенных NAND и SSD-накопителях.
На протяжении последних сорока лет флэш-память базировалась на плоских структурах с использованием плавающих затворов. Когда технологии производственного процесса достигли класса 10-нм и меньше, дальнейшие возможности уменьшения масштаба чипов оказались под вопросом. Причиной этому стало взаимное влияние ячеек памяти, которое крайне негативно сказывалось на надежности NAND флэш-памяти, а также увеличенные временные и финансовые затраты производства чипов.
Новые чипы Samsung V-NAND решают вышеперечисленные технические проблемы путем достижения нового уровня инноваций в цепях, структуре и производственном процессе. Samsung V-NAND обеспечивает плотность 128 гигабит в одном чипе, используя фирменную структуру ячеек на основе новой архитектуры 3D Charge Trap Flash (CTF) и технологии вертикальных соединений, связывающих ячейки в объемный массив.
Чтобы достичь нового уровня надежности флэш-памяти, компания Samsung обновила свою CTF-архитектуру, впервые разработанную еще в 2006 году. В новой архитектуре NAND Flash электрический заряд временно помещается в «ячейку ожидания» непроводящего слоя флэш-памяти, который состоит из нитрида кремния (SiN), вместо традиционно используемых плавающих затворов, что позволило предотвратить помехи во время работы соседних ячеек.
Новые V-NAND чипы не только демонстрируют повышенные показатели надежности работы (в два раза, как минимум и в десять раз — максимум), но и в два раза большую скорость записи по сравнению с обычной флэш-памятью 10-нм класса на основе плавающих затворов.
Кроме того, одним из наиболее важных технологических достижений новой памяти Samsung V-NAND является тот факт, что данный вертикальный процесс обмена данными позволяет формировать в одном кристалле более, чем 24 слоя ячеек, благодаря использованию специальной технологии травления, которая соединяет слои электронным путем, пробивая отверстия с самого высокого до самого низкого слоя.
Спустя почти десять лет упорных исследований в сфере NAND флэш-памяти вертикальной компоновки, к настоящему моменту Samsung имеет в наличии более 300 запатентованных технологий объемной 3D памяти по всему миру.
Согласно данным исследовательской компании IHS iSuppli, к концу 2016 года глобальный рынок NAND флэш-памяти достигнет уровня прибыли около $30,8 млрд., что должно составить 11% среднегодового роста в сравнении текущим годом (около $23,6 млрд.).
На прошлой неделе Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска флэш-памяти с объемной компоновкой 3D Vertical NAND (V-NAND), которая призвана сделать прорыв и обеспечить возможности для дальнейшего уменьшения NAND Flash. Новая 3D V-NAND флэш-память будет использоваться в широком спектре потребительской электроники и корпоративных решений, в том числе, во встроенных NAND и SSD-накопителях.
На протяжении последних сорока лет флэш-память базировалась на плоских структурах с использованием плавающих затворов. Когда технологии производственного процесса достигли класса 10-нм и меньше, дальнейшие возможности уменьшения масштаба чипов оказались под вопросом. Причиной этому стало взаимное влияние ячеек памяти, которое крайне негативно сказывалось на надежности NAND флэш-памяти, а также увеличенные временные и финансовые затраты производства чипов.
Новые чипы Samsung V-NAND решают вышеперечисленные технические проблемы путем достижения нового уровня инноваций в цепях, структуре и производственном процессе. Samsung V-NAND обеспечивает плотность 128 гигабит в одном чипе, используя фирменную структуру ячеек на основе новой архитектуры 3D Charge Trap Flash (CTF) и технологии вертикальных соединений, связывающих ячейки в объемный массив.
Чтобы достичь нового уровня надежности флэш-памяти, компания Samsung обновила свою CTF-архитектуру, впервые разработанную еще в 2006 году. В новой архитектуре NAND Flash электрический заряд временно помещается в «ячейку ожидания» непроводящего слоя флэш-памяти, который состоит из нитрида кремния (SiN), вместо традиционно используемых плавающих затворов, что позволило предотвратить помехи во время работы соседних ячеек.
Новые V-NAND чипы не только демонстрируют повышенные показатели надежности работы (в два раза, как минимум и в десять раз — максимум), но и в два раза большую скорость записи по сравнению с обычной флэш-памятью 10-нм класса на основе плавающих затворов.
Кроме того, одним из наиболее важных технологических достижений новой памяти Samsung V-NAND является тот факт, что данный вертикальный процесс обмена данными позволяет формировать в одном кристалле более, чем 24 слоя ячеек, благодаря использованию специальной технологии травления, которая соединяет слои электронным путем, пробивая отверстия с самого высокого до самого низкого слоя.
Спустя почти десять лет упорных исследований в сфере NAND флэш-памяти вертикальной компоновки, к настоящему моменту Samsung имеет в наличии более 300 запатентованных технологий объемной 3D памяти по всему миру.
Согласно данным исследовательской компании IHS iSuppli, к концу 2016 года глобальный рынок NAND флэш-памяти достигнет уровня прибыли около $30,8 млрд., что должно составить 11% среднегодового роста в сравнении текущим годом (около $23,6 млрд.).