Совсем недавно мы рассказывали о мейнфрейме LinuxOne от IBM и плавучих дата-центрах. Сегодня мы решили вернуть к теме хранения данных и посмотреть на то, как проходит революция в области технологий флэш-памяти.
/ фото Andreas. CC
Технология NAND — синоним рекордным объёмам памяти: рекордные 128 Гбайт для 8-кристальной микросборки были доступны Micron/Intel, SK Hynix, Toshiba/SanDisk и Samsung уже в 2012 году.
Эта технология получила развитие благодаря новому подходу, позволяющему не располагать ячейки вдоль одного уровня, а ставить их вертикально. Цель — бОльшая плотность. Технология V-NAND позволила уместить в одной матрице 36 уровней ячеек памяти еще в 2014 году.
/ фото Cyferz CC
Подобных находки обычно бывают востребованы исключительно в корпоративном сегменте на этапе своего становления и снижения стоимости. Далее уже можно говорить и о внедрении в пользовательские системы и IoT-решения.
Samsung — один из лидеров этой гонки, но конкуренты не отстают. Toshiba заявила о выпуске своих продуктов на основе 3D NAND к концу года. Вместе с этим подтянулась и Intel, но она пока не готова вести диалог о каких-либо потребительских продуктах.
Суть разработки Intel и Micron заключается в замене транзисторов, принятых за основу в устройстве флэш-памяти, на микроскопические сетки проводов, связанные с помощью «селекторов». Эта технология называется 3D Xpoint.
Здесь речь может идти о приросте скорости в 1000 раз по сравнению с флэш-памятью. По мнению экспертов в промежутке пяти лет мы увидим доступные воплощения устройств на базе 3D Xpoint.
P.S. Немного о работе провайдера виртуальной инфраструктуры 1cloud:
/ фото Andreas. CC
Технология NAND — синоним рекордным объёмам памяти: рекордные 128 Гбайт для 8-кристальной микросборки были доступны Micron/Intel, SK Hynix, Toshiba/SanDisk и Samsung уже в 2012 году.
Эта технология получила развитие благодаря новому подходу, позволяющему не располагать ячейки вдоль одного уровня, а ставить их вертикально. Цель — бОльшая плотность. Технология V-NAND позволила уместить в одной матрице 36 уровней ячеек памяти еще в 2014 году.
/ фото Cyferz CC
Подобных находки обычно бывают востребованы исключительно в корпоративном сегменте на этапе своего становления и снижения стоимости. Далее уже можно говорить и о внедрении в пользовательские системы и IoT-решения.
Samsung — один из лидеров этой гонки, но конкуренты не отстают. Toshiba заявила о выпуске своих продуктов на основе 3D NAND к концу года. Вместе с этим подтянулась и Intel, но она пока не готова вести диалог о каких-либо потребительских продуктах.
Суть разработки Intel и Micron заключается в замене транзисторов, принятых за основу в устройстве флэш-памяти, на микроскопические сетки проводов, связанные с помощью «селекторов». Эта технология называется 3D Xpoint.
Здесь речь может идти о приросте скорости в 1000 раз по сравнению с флэш-памятью. По мнению экспертов в промежутке пяти лет мы увидим доступные воплощения устройств на базе 3D Xpoint.
P.S. Немного о работе провайдера виртуальной инфраструктуры 1cloud:
