Pull to refresh

Comments 13

Это совершенно не то. Диоксид гафния используется в качестве диэлектрика и заменяет в микроэлектронике традиционный оксид кремния. Intel в Penryn использовали его.
И чем алмаз должен помочь-то в смысле скорострельности — какие конкретно параметры?
Больше подвижность? subthreshold slope будет лучше? напряжение можно снизить?
Задачка-то простая — зарядить конденсатор следующего затвора до напряжения открывания. Температура в нее напрямую не входит
Высокая дрейфовая скорость насыщения как электронов, так и дырок (недавно получены пленки алмаза с µe = 4500 cм2/В⋅с и µp = 3800 cм2/В⋅с), плюс к этому могут быть обеспечены более высокие рабочие частоты до 81 ГГц.
Подвижности немного повыше — в германии дырки 2 тыс, для электронов в 3-5 вообще можно получить много (кстати одна из реальных предложенных платформ) — а плотность состояний как выглядит при этом? скорость насыщения, скорость инжекции? 81 гигагерц чем ограничивается? intrinsic delay сделать можно хорошим — но определяется же все не этим.
и да, что там с интерфейсом с диэлектриком?
Боюсь, что со всем этим придется писать новую статью, только уже на гиктаймсе)
и как закон Мура может быть применен к атомам, будем проецировать бозоны на оболочку?
А если серьезно, то где обещанные Intel 1024 ядерные процессоры?
Читал про микросхемы на основе карбида кремния. Он вроде графитизации не подверден.
Монокристаллический алмаз и графит разве не одно и то же?
А там и до графена совсем близко. Научатся делать «большие» моно-кристаллы алмаза — так и графен считай готов.
Совершенно разная кристаллическая структура. В том-то и суть, что графит и алмаз — это две огромных разницы.
… одна большая разница, а не две)))
Sign up to leave a comment.

Articles