Comments 13
Так разве не хотели на гафний перейти?
0
Это совершенно не то. Диоксид гафния используется в качестве диэлектрика и заменяет в микроэлектронике традиционный оксид кремния. Intel в Penryn использовали его.
0
И чем алмаз должен помочь-то в смысле скорострельности — какие конкретно параметры?
Больше подвижность? subthreshold slope будет лучше? напряжение можно снизить?
Задачка-то простая — зарядить конденсатор следующего затвора до напряжения открывания. Температура в нее напрямую не входит
Больше подвижность? subthreshold slope будет лучше? напряжение можно снизить?
Задачка-то простая — зарядить конденсатор следующего затвора до напряжения открывания. Температура в нее напрямую не входит
0
Высокая дрейфовая скорость насыщения как электронов, так и дырок (недавно получены пленки алмаза с µe = 4500 cм2/В⋅с и µp = 3800 cм2/В⋅с), плюс к этому могут быть обеспечены более высокие рабочие частоты до 81 ГГц.
0
Подвижности немного повыше — в германии дырки 2 тыс, для электронов в 3-5 вообще можно получить много (кстати одна из реальных предложенных платформ) — а плотность состояний как выглядит при этом? скорость насыщения, скорость инжекции? 81 гигагерц чем ограничивается? intrinsic delay сделать можно хорошим — но определяется же все не этим.
и да, что там с интерфейсом с диэлектриком?
и да, что там с интерфейсом с диэлектриком?
0
Разве это не тематика Geektimes?
+1
Читал про микросхемы на основе карбида кремния. Он вроде графитизации не подверден.
0
Монокристаллический алмаз и графит разве не одно и то же?
А там и до графена совсем близко. Научатся делать «большие» моно-кристаллы алмаза — так и графен считай готов.
А там и до графена совсем близко. Научатся делать «большие» моно-кристаллы алмаза — так и графен считай готов.
0
Sign up to leave a comment.
Алмазная реанимация закона Мура