Мирко Хансен (Mirko Hansen) в чистой комнате Кильского университета в микроскоп рассматривает изготовленные ячейки памяти
Учёные из Кильского и Рурского университетов (Германия) обнаружили новый метод хранения информации, при котором ионы используются для записи данных, а электроны — для чтения. В результате, становится возможным отказаться от традиционной модели в электронных устройствах. Это открывает дорогу для беспрецедентной миниатюризации устройств хранения данных. Они могут перейти буквально на атомный уровень.
Технологии традиционной памяти предполагают смещение электронов путём применения напряжения, но такая конфигурация почти на пределе с точки зрения будущего развития. Поэтому промышленность и научные круги в настоящее время сейчас исследуют универсальное решение, которое бы предусматривало минимальное движение электронов.
Специалисты из Кильского и Рурского университетов исследуют устройства, работающие за счёт электрического сопротивления. Они разработали компонент из Nb/Al/Al2O3/NbxOy/Au, который способен работать на таких линиях. Его схема показана на иллюстрации. Если приложить напряжение, то сопротивление ячейки памяти изменяется.
Компонент включает в себя два металлических электрода, разделённых «так называемым твёрдым ионным проводником» (so-called solid ion conductor). Что характерно, компоненты системы сделаны таким образом, что их не только легко производить, но и можно уменьшить практически до размеров атома.
Профессор Герман Кольштедт (Hermann Kohlstedt), руководитель наноэлектрической группы в Кильском университете в интервью Nanoweek говорит, что в этом устройстве «больше перемещается туда-сюда, чем рассчитано».
Если создавать ячейки памяти на атомном уровне, это не просто продвинет электронику вперёд, но позволит даже создать симулятор человеческого мозга.
