Comments 2
"… но позволит даже создать симулятор человеческого мозга"
Разве размер ячеек памяти сдерживает создание симуляции мозга? По такой логике, объединив несколько тысяч терабайтных жестких дисков, мы бы уже сейчас имели полноценную рабочую симуляцию работы мозга.
Нам еще не известны многие принципы работы структур мозга, и просто более новый вид накопителя не решит эту задачу
Разве размер ячеек памяти сдерживает создание симуляции мозга? По такой логике, объединив несколько тысяч терабайтных жестких дисков, мы бы уже сейчас имели полноценную рабочую симуляцию работы мозга.
Нам еще не известны многие принципы работы структур мозга, и просто более новый вид накопителя не решит эту задачу
Была бы очень интересная статья об очень перспективной разработке, если бы не некоторые ошибки-неточности.
Речь в статье идет не о записи информации на атомном уровне (можно ошибочно подумать, что ячейки могут памяти могут быть атомного размера), а всего лишь о разработке нового механизма записи-стирания информации, в так называемых, мемристорах (элементах памяти, где используется эффект изменения электрического сопротивления при пропускании тока). В данной статье экспериментальные образцы имел площадь 70мкм, а толщина слоев двух оксидов (аллюминия и необия), обеспечивающих эффект памяти, достигала 4 нм. Какой-либо существенной миниатюризации это не предполагает (толщина соизмерима с толщиной туннельного диэлектрика в современных flash)
Кроме того, процесс записи и стирания действительно реализован ионами и электронами. Но ошибочно полагать, что в данном устройстве идет управление движением одного конкретного иона или электрона. С точки зрения потребителя, чтобы управлять мемристором, на него необходимо подать определенное напряжение, которое находится в диапазоне -2 — +3 В, что и показано на иллюстрации к статье. www.nature.com/articles/srep13753/figures/2
Смысл статьи, к сожалению оказался несколько искажен… Мемристоры очень перспективные устройства, но в основном, за счет их потенциально высокого быстродействия, высокой радиационной стойкости и низких напряжений записи\стирания, но в них пока еще не решены проблемы деградации при большом количестве циклов записи.
Речь в статье идет не о записи информации на атомном уровне (можно ошибочно подумать, что ячейки могут памяти могут быть атомного размера), а всего лишь о разработке нового механизма записи-стирания информации, в так называемых, мемристорах (элементах памяти, где используется эффект изменения электрического сопротивления при пропускании тока). В данной статье экспериментальные образцы имел площадь 70мкм, а толщина слоев двух оксидов (аллюминия и необия), обеспечивающих эффект памяти, достигала 4 нм. Какой-либо существенной миниатюризации это не предполагает (толщина соизмерима с толщиной туннельного диэлектрика в современных flash)
Кроме того, процесс записи и стирания действительно реализован ионами и электронами. Но ошибочно полагать, что в данном устройстве идет управление движением одного конкретного иона или электрона. С точки зрения потребителя, чтобы управлять мемристором, на него необходимо подать определенное напряжение, которое находится в диапазоне -2 — +3 В, что и показано на иллюстрации к статье. www.nature.com/articles/srep13753/figures/2
Смысл статьи, к сожалению оказался несколько искажен… Мемристоры очень перспективные устройства, но в основном, за счет их потенциально высокого быстродействия, высокой радиационной стойкости и низких напряжений записи\стирания, но в них пока еще не решены проблемы деградации при большом количестве циклов записи.
Sign up to leave a comment.
Запись информации на атомном уровне с помощью ионов