Comments 15
Вывод. К #импортозамещение — готов?На биполярных транзисторах это было бы довольно печально. Да и в принципе из дискретных компонентов.
А так статья хорошая, и весьма дотошная.
В интегральном исполнении ещё приходится обязательно следить за ТКС резисторов, за матчингом всех компонентов, за локальным нагревом отдельных частей кристалла и его градиентами, за тем, чтобы цифровая часть не шумела на аналоговую, и за длинным рядом других вещей.
На биполярных транзисторах это было бы довольно печально.
Интересно, как AD делает XFET'ы — у них вообще пол-лаптя разброс. Или в интегральных схемах гораздо лучше получаются?
В интегральном исполнении ещё приходится обязательно следить за .....
Да-да-д! [1] и [3] — интересные гитики.
У AD, к примеру, есть лазерная подстройка номиналов резисторов на своей фабрике, поэтому возможно это помогает им не так сильно перезакладываться по разбросам.
Что сейчас делают, не в курсе, но раньше точно была лазерная. Ну вообще лазерная подгонка все же имеет преимущество, тебе не нужно большую сетку для калибровки делать, а подгонка +- аналоговая получается.
подгонка +- аналоговая получается.У лазера довольно большое пятно и погрешность этого пятна, так что я сомневаюсь, что в реальности лазерная подстройка сильно лучше, скажем восьмибитной цифровой в двух точках. Зато лазерная подстройка точно намного дольше и и дороже, тогда как дополнительный кремний нынче почти ничего не стоит.
Зависит от типа лазера, длины волны и тд. В любом случае, раньше это было, что сейчас - не знаю, может если найду в каких-то статьях добавлю сюда.
Но у fabless такой возможности нету, так что цифровая калибровка наше всё)
Ещё у BarsMonster:
Относительно недавний DS2401 с "лазерно прошитым" ROM в центре;
Более(?) давний MWA120 с брызгами расплавленного тантала.
Там когда лазером подстраивают - тоже есть хитрости. Можно резать "по центру" - тогда сопротивление будет подстраиваться быстро. А если резать вдали от места, где ток проходит - то разрешение подстройки намного выше. Т.е. практически те же "биты".
Вот тут видно как сбоку режут, чтобы плавно подстраивать: https://s.zeptobars.com/ad558-HD.jpg
Высокое разрешение достижимо и с лазером. Но по цене не поспоришь - цифра победила.
Интересно, как AD делает XFET'ы — у них вообще пол-лаптя разброс. Или в интегральных схемах гораздо лучше получаются?Все дело в X — eXtra implant. От чипа к чипу разброс большой, но он не играет роли. А на одном чипе у вас согласованный массив с очень маленьким разбросом параметров относительно друг друга, и дальше половина транзисторов дополнительно легирована — но на их размер это никак не влияет.
В целом «сделай так, чтобы поведение схемы зависело от соотношений параметров компонентов, а не от их абсолютных значений» — это вообще главный принцип интегральной аналоговой схемотехники, вот они им и пользуются.
Интересная статья. Однако любой начинающий исследователь должен помнить, что существует общепризнанный институт интеллектуальной собственности и при наличии в списке использованной литературы патентов переводит статью из разряда "интересная" в "профессиональную", а самого автора в "профессионалы".
М.б. кому-то пригодится, я когда писал бакалаврскую работу по ИОН, то процентов 60-70% теории сдернул с книги Current Sources and Voltage References: A Design Reference for Electronics Engineers by Linden T. Harrison
Источник опорного напряжения — один из принципов и одна из реализаций