Pull to refresh
  • by relevance
  • by date
  • by rating

Эксперты нашли брешь в защите от Rowhammer. Этот вид атак на ОЗУ DDR4 использовали еще 6 лет назад

Information Security *CPU
image

Группа VUSec по системам и сетевой безопасности в университете VU Amsterdam провела исследование, которое показало, что в защите Target Row Refresh есть уязвимость CVE2020-10255. Она делает память DDR4 по-прежнему неустойчивой к атакам вида Rowhammer. Хакеры использовали атаки такого рода шесть лет назад.
Читать дальше →
Total votes 8: ↑8 and ↓0 +8
Views 1.8K
Comments 0

Новый тип DRAM поможет ускорить развитие ИИ

High performance *Data storage *Artificial Intelligence

Исследователи работают над бесконденсаторной памятью DRAM с использованием оксидных полупроводников, которая может быть встроена в трехмерные слои над кремнием процессора. Если разработка зарекомендует себя в тестах, то она позволит обеспечить экономию площади и энергии при работе больших нейронных сетей.

Читать далее
Total votes 13: ↑11 and ↓2 +9
Views 3.8K
Comments 2

Впервые с начала дефицита производители микросхем подняли цены

CPU IT-companies

Cо второго квартала 2021 года более 30 производителей полупроводников повысили цены на продукцию от 10% до 30%. В число этих компаний вошли UMC, SMIC и Power Semiconductor Manufacturing. Компания Rockchip сообщила о резком подорожании кремниевых пластин, печатных плат и даже упаковки и тестировании продукции.

Читать далее
Total votes 19: ↑16 and ↓3 +13
Views 6K
Comments 18

Samsung выпускает память DDR5 на 512 ГБ. Дальше — терабайтные микросхемы

Дата-центр «Миран» corporate blog Manufacture and development of electronics *Computer hardware Desktop PC's


На конференции Hot Chips 33 компания Samsung представила последнее достижение в области оперативной памяти DDR5 — 8-слойный модуль DRAM на 512 гигабайт со скоростью передачи данных 7,2 Гбита/с.

Экспериментальное производство таких микросхем уже началось. Сейчас идёт тестирование первых партий, а в продажу они должны поступить до конца 2021 года. А дальше — планки памяти на 768 ГБ и 1 терабайт.
Читать дальше →
Total votes 17: ↑17 and ↓0 +17
Views 7.3K
Comments 33

Facebook открыла код решения CacheLib для кэширования на энергонезависимой памяти

Open source *Data storage *Data storages *

Facebook открыла код для кэширования данных, который позволяет не полагаться на DRAM для их хранения. Данные поступают на твердотельные накопители NVM.

Читать далее
Total votes 10: ↑10 and ↓0 +10
Views 1.8K
Comments 0

Kingston остаётся лидером по производству DRAM-модулей и готовит DDR5 к выпуску в следующем году

Kingston Technology corporate blog High performance *Data storage *Computer hardware Desktop PC's
Привет Хабр! Тема DDR5-модулей оперативной памяти остается одной из самых обсуждаемых в профильных сообществах. И теперь мы можем поделиться уже конкретными планами по выпуску новых модулей.

Если вы еще не в курсе, отдельные платформы на DDR5 уже существуют, но в массовом порядке их появление запланировано на следующий год. Мы предоставим более 10 000 образцов ОЗУ DDR5 UDIMM основным производителям материнских плат и технологическим партнерам. Первые модели оперативной памяти DDR5 от Kingston положат начало целой серии высокопроизводительных решений малого и большого объема в различных форм-факторах.


Читать дальше →
Total votes 10: ↑10 and ↓0 +10
Views 808
Comments 0

Samsung начинает массовое производство 14-нм DRAM с технологией EUV

Data storage *Data storages *Manufacture and development of electronics *

Samsung объявила о начале массового производства самой маленькой в отрасли, 14-нанометровой памяти DRAM, которая основана на технологии фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV). 

Читать далее
Total votes 12: ↑12 and ↓0 +12
Views 2.1K
Comments 0

Micron подтвердила, что переходу на DDR5 мешает дефицит чипов преобразования напряжения

Computer hardware IT-companies

Micron Technology рассказала о том, что испытывает трудности с поставками модулей DDR5. Причина этому  — нехватка на рынке контроллеров питания и чипов преобразования напряжения.

Читать далее
Total votes 2: ↑2 and ↓0 +2
Views 1.6K
Comments 4

Память с калькулятором. Вычисления внутри DRAM становятся мейнстримом

Дата-центр «Миран» corporate blog Machine learning *Manufacture and development of electronics *Artificial Intelligence CPU


Всеобщий переход к параллельной обработке данных и кардинальное увеличение размера нейросетей привели к тому, что некоторые типы вычислений сейчас требуют очень быстрого доступа к памяти. В то же время разрыв в скорости доступа между микросхемой CPU и оперативной памятью чрезвычайно велик. Процессоры становятся всё быстрее, а скорость доступа к DRAM практически не растёт.

Оригинальная компьютерная архитектура фон Неймана не предусматривала разделение логики и памяти. Но прогресс не стоит на месте — и вот уже несколько производителей разработали интегрированные модули типа processing-in-memory (PIM). Это Samsung, SK hynix и израильский стартап NeuroBlade.
Читать дальше →
Total votes 29: ↑27 and ↓2 +25
Views 11K
Comments 64

Шифрованные диски взломали через холодную перезагрузку

Information Security *
Современная память (DRAM), вопреки общепринятому мнению, хранит информацию после отключения питания от нескольких секунд до нескольких минут (а если её охладить жидким азотом — до нескольких часов). Что даёт возможность, например, отключить питание загруженного компа, переставить память в другой комп, и загрузить на нем специальную утилиту, которая просканирует память и найдёт в ней ключи шифрования диска. Или не переставлять никуда память, а просто подключить USB-винт к взламываемому компу, и после передёргивания питания загрузиться с него. Взлом подтверждён для BitLocker, FileVault, dm-crypt, и TrueCrypt.

New Research Result: Cold Boot Attacks on Disk Encryption
Lest We Remember: Cold Boot Attacks on Encryption Keys (с видео)
Total votes 62: ↑59 and ↓3 +56
Views 4.2K
Comments 62

MetaSDRAM: путь к недорогой DRAM?

Computer hardware
Компания Metaram представила новую технологию производства модулей памяти. Эта технология, названная MetaSDRAM, позволяет производить 8-гигабайтные модули DRAM на основе 1-гигабитных чипов, вместо используемых сейчас 2-гигабитных и, соответственно, снизить их стоимость.

За счет использования специально разработанного чипсета (контроллеры потока данных и микросхемы управления доступом), являющегося посредником между чипами DRAM и контроллером памяти, технология MetaSDRAM обеспечивает четырехкратное увеличение объема памяти DRAM в модулях DIMM. Кроме того, по заявлению разработчика, 8-гигабайтные планки, произведенные с использованием гигабитных, чипов потребляют на 30% меньше используемых сегодня.

Чипсет MetaSDRAM MR08G2 (для создания 8-гигабайтный модулей) уже находится в серийном производстве. Но уже готов и MetaSDRAM MR16G2, который будет применяться в 16-гигабайтным модулях. Цены на чипсеты назначены, соответственно, в $200 и $450 (партия от 1000 шт.).

На данный момент об использовании MetaSDRAM в своих продуктах уже сообщили такие компании как Hynix Semiconductors и SMART Modular Technologies.

via Engadget
Total votes 7: ↑6 and ↓1 +5
Views 535
Comments 1

Прогноз цен на DRAM

Lumber room
Судя по заявлениям крупнейших производителей, они больше не могут позволить себе терять деньги из-за сверхнизких цен на DRAM, державшихся последние полгода.

Сначала председатель совета директоров PowerChip выступил с предостережением о возможном дефиците памяти на фоне резкого снижения производства, а вчера тайваньская Nanya Technology заявила о повышении цен на свою продукцию.
Samsung Electronics, которая раньше всегда очень агрессивно не давала конкурентам повышать цены, тоже несет убытки, и, скорее всего, не будет демпинговать.
Читать дальше →
Total votes 5: ↑5 and ↓0 +5
Views 188
Comments 10

Россия присматривается к Qimonda?!

Lumber room
Владимир Путин в Дрездене провел переговоры с президентом Саксонии Станиславом Тилихом (Stanislaw Tillich), после которых саксонская администрация заявила, что Россия может быть заинтересована в покупке обанкротившегося производителя DRAM.
Косвенным подтверждением этого заявления является присутствие на переговорах Виктора Христенко, которого российский премьер попросил проконтролировать процесс оценки компании.
Читать дальше →
Total votes 28: ↑26 and ↓2 +24
Views 235
Comments 23

Статистика сбоев DRAM от Google

Computer hardware
Статистика, собранная за два с половиной года на десяти серверах Google, показала, что количество ошибок в RAM гораздо выше, чем предполагалось ранее. В среднем на каждый модуль DIMM приходится 3751 ошибка в год. Если в микросхеме не реализована технология ECC, то эти ошибки так и остаются неисправленными.

Это первое столь масштабное и полное исследование надёжности оперативной памяти, используемой в стандартных ПК. Были проверены модули разных производителей и разных типов (DDR1, DDR2, FB-DIMM).



Как оказалось, количество ошибок мало зависит от температуры системы и марки DIMM, зато зависит от производителя материнской платы. Полные результаты см. здесь.
Total votes 59: ↑55 and ↓4 +51
Views 2.1K
Comments 58

Правда о PCM компании Numonyx: революция, которой не случилось

Computer hardware
Анекдот вместо предисловия:
— Вы слышали, Иванов выиграл в лотерею «Волгу».
— Вообще-то не Иванов, а Рабинович, не «Волгу», а сто рублей, не в лотерею, а в преферанс, и не выиграл, а проиграл.


На днях на Хабре появилась ссылка на сногсшибательную новость: в технологии производства памяти произошла революция, и скоро у нас будет единая память супер-пупер память на основе халькогенидных материалов, использующая фазовые переходы, вызванные нагревом при пропускании через ячейку электрического тока. Работает быстро как DRAM, да еще и энергонезависимая, как Flash.

К сожалению, практически все, написанное в статье — неправильно…
Чтобы у хабрасообщества не создалось неправильного представления о том, что происходит в мире памяти, хотелось бы рассказать правдивую историю PCM.

На вполне резонный вопрос с галерки: «А ты собсно кто такой, чтобы нам твою якобы правду слушать?» могу ответить, что я работаю отделе разработки компании-производителя памяти (в том числе и PCM) и по долгу службы «держу руку на пульсе».
Читать дальше →
Total votes 137: ↑134 and ↓3 +131
Views 902
Comments 72

Евросоюз оштрафовал DRAM-производителей на 320,6 млн евро

Computer hardware
Как выяснили регуляторы Евросоюза, девять компаний в период с 1 июля 1998 по 15 июня 2002 года искусственно держали на необходимом уровне цены на память. По решению суда были оштрафованы:

Samsung – на 145,7 миллиона евро
Infineon – на 56,7 миллиона
Hynix Semiconductor – на 51,5
Hitachi – на 20,4
Toshiba – на 17,6
Mitsubishi Electric – на 16,6
NEC – на 10,3
и Nanya Technology – на 1,8 миллиона евро.

Величина штрафа находится в прямой зависимости от роли, которую компания играла в «заговоре». Интересно, что факт скандального сговора вскрылся, благодаря компании Micron, которая также является производителем микросхем DRAM, но успела «явиться с повинной». В 2002 году Micron добровольно раскрыла подробности сговора, а потому оштрафована не была.

via europa.eu
Total votes 82: ↑75 and ↓7 +68
Views 262
Comments 47

Samsung ускоряет память

Samsung corporate blog
Менее года прошло с тех пор, как компаниями Samsung и Toshiba было принято решение совместно разрабатывать NAND флэш-память с интерфейсом Toggle DDR 2.0. В мае этого года Samsung объявил о начале производства 64 Гбит (8 Гб) NAND-чипа с многоуровневыми ячейками (Multi-Level Cell) и вышеуказанным интерфейсом.

image

Новинка произведена по технологии 20-нм класса и имеет пропускную способность 400 Мбит/с. Это в 10 раз быстрее наиболее распространенной сегодня SDR (Single Data Rate) NAND памяти, которая обеспечивает пропускную способность в пределах 40 Мбит/с, и в три раза выше производительности памяти с интерфейсом Toggle DDR 1.0, которая ограничивается скоростью 133 Мбит/с. Разработка нацелена, в первую очередь, на рынок высокопроизводительных смартфонов, таблеток и твердотельных накопителей. Таким образом, представленные чипы обеспечат существенный прирост производительности в смартфонах нового поколения и твердотельных накопителях с интерфейсом SATA3 (скорость передачи данных может достигать 6 Гб/с).

В свою очередь, Toshiba уже готова к выпуску NAND памяти с применением 19-нанометровой технологии. В прошлом месяце компания начала пробные поставки микросхем ёмкостью 8 Гб с двухбитовыми ячейками. Шестнадцать таких чипов, упакованных в один корпус, позволяют создавать флеш-накопители на 128 Гб для коммуникаторов, планшетов и прочих гаджетов.
Читать дальше →
Total votes 20: ↑18 and ↓2 +16
Views 7K
Comments 9

Коротко о новом: Samsung запускает в массовое производство третье поколение мобильной DRAM-памяти LPDDR3

Samsung corporate blog
Samsung Electronics продолжает активно усовершенствовать свои решения для мобильных устройств следующего поколения. Несколько дней назад стало известно, что компания начала массовое производство первой в отрасли двухгигабайтной памяти третьего поколения с низким энергопотреблением и удвоенной скоростью передачи данных (LPDDR3). При ее создании использовался 30-нанометровый техпроцесс. 18 сентября новое решение было продемонстрировано на Samsung Mobile Solution Forum.


Читать дальше →
Total votes 5: ↑4 and ↓1 +3
Views 5.7K
Comments 7

DRAM Errors или не спешите винить Software

Intel corporate blog

Когда компьютер зависает или выдает пресловутый BSOD, как правило, во всем винят программное обеспечение (а также: кривые драйвера и руки недоучившихся программистов, Microsoft и лично Билла Гейтса и т.д.). Но в последние несколько лет ученые начали более пристально присматриваться к аппаратным сбоям, и обнаружили другой серьезный тип проблем, которые проявляются гораздо чаще, чем многие думают. О них и пойдет речь.
Читать дальше →
Total votes 43: ↑38 and ↓5 +33
Views 47K
Comments 51