Специалисты по кибербезопасности Амстердамского свободного университета обнаружили новый механизм взлома облачной виртуальной машины. Механизм предусматривает несколько этапов. Для взлома используется небезызвестная технология Rowhammer.

Первый этап заключается в том, чтобы арендовать облачную виртуальную машину, или несколько машин, на одном хосте с жертвой.

_{Фото: micron.com}

На днях Micron объявила о том, что стартовало производство тестовых образцов регистровых модулей оперативной памяти DDR5 для использования в серверах. Они будут построены на микросхемах 10-нм класса (1Znm) и, как заявили в компании, обеспечат прирост производительности подсистемы памяти более чем на 85% по сравнению с существующими DDR4.

Ожидается, что DDR5 будут требовать меньше энергии, так как рабочее напряжение уменьшат с 1,2 до 1,1 В. При этом они обеспечат больший объем вследствие увеличения емкости самих микросхем. Из спецификации JEDEC следует, что память DDR4 обеспечивает скорость 1600–3200 МТ/с, а для памяти DDR5 этот показатель составляет 3200–6400 МТ/с. То есть, процессоры будут быстрее получать данные из памяти.

Группа VUSec по системам и сетевой безопасности в университете VU Amsterdam провела исследование, которое показало, что в защите Target Row Refresh есть уязвимость CVE2020-10255. Она делает память DDR4 по-прежнему неустойчивой к атакам вида Rowhammer. Хакеры использовали атаки такого рода шесть лет назад.

Статистика показывает, что в ноябре этого года резко подорожала стоимость модулей памяти DDR2 и DDR3 низкой плотности, что следует из отчета аналитиков TrendForce. В целом, рост за месяц выглядит не очень значительным: от 1 до 3%, в зависимости от плотности (объема) модуля. Однако в перспективе года и при сохранении подобной тенденции, цены на память предыдущих поколений могут значительно вырасти в ближайший год.



Для подобного движения существует несколько предпосылок. Первое — запланированное сокращение поставок со стороны основных производителей оперативной памяти, SK Hynix и Samsung. Оба гиганта планомерно снижают производство старых типов памяти. Особенно четко эта тенденция будет прослеживаться с вступлением в силу нового стандарта DDR5 производства Hynix, о котором на Хабре писали ранее.

На конференции Hot Chips 33 компания Samsung представила последнее достижение в области оперативной памяти DDR5 — 8-слойный модуль DRAM на 512 гигабайт со скоростью передачи данных 7,2 Гбита/с.

Экспериментальное производство таких микросхем уже началось. Сейчас идёт тестирование первых партий, а в продажу они должны поступить до конца 2021 года. А дальше — планки памяти на 768 ГБ и 1 терабайт.

Samsung представила модули оперативной памяти DDR4, созданные с помощью техпроцесса 30 нм.

Модули способны передавать данные со скоростью до 3200 миллионов транзакций в секунду, при напряжении 1,2 В. Для сравнения: скорость модулей DDR3, изготовленных по техпроцессу 30 нм и рассчитанных на напряжение 1,35 или 1,5 В, составляет до 1600 миллионов передач. Новые модули потребляют на 40 % меньше электроэнергии, чем модули DDR3, рассчитанные на напряжение 1,5 В.

Samsung Electronics объявила о начале серийного производства новой памяти DDR4, которая предназначена для корпоративных серверов, работающих в составе передовых центров обработки данных.

Использование высокоскоростных чипов памяти DRAM в работе корпоративных серверов следующего поколения значительно повышает производительность системы и снижает уровень энергопотребления. Применяя технологии модулей памяти DDR4 на раннем этапе, ОЕМ-производители могут свести к минимуму эксплуатационные расходы и значительно увеличить производительность, обеспечив, таким образом, более быстрый возврат инвестиций.

Судя по всему, модули DDR4 выйдут раньше, чем предполагалось. Один из производителей Crucial Memory разместил на своем сайте сообщение, что оперативная память нового поколения будет выпущена до конца 2013 года. Поскольку в этом году остался всего один месяц, то модули DDR4 появятся в продаже не позже декабря.



Необходимо заметить, что DDR4 обладает существенно бóльшей производительностью, чем нынешняя память DDR3.

^{(источник)}
Не так давно был опубликован стандарт на DDR4 SDRAM – оперативную память нового поколения. Стандарт во всех деталях описывает устройство памяти, но о том, в чём, собственно, отличия от памяти предыдущего поколения, или какие преимущества сулит переход на DDR4 сказано или совсем немного или не сказано вообще (вероятно, в надежде на фантазию читателей :-) ).
В этом посте я постараюсь изложить основные отличия DDR3 от DDR4, и какие преимущества несет для конечных пользователей новый стандарт памяти.

Корейская SK Hynix сегодня сообщила о выпуске первого в мире модуля оперативной памяти DDR4 на 128 гигабайт, что вдвое превышает ранее представленные образцы продукции. Новый модуль также представляет собой модуль с самым плотным в мире размещением компонентов. Он базируется на 8 гигабитных чипах DDR3, созданных по 20-нанометровому процессу.

Новый модуль имеет полосу пропускания 17 Гбит/сек и работает на частоте 2133 МГц по 64-битному интерфейсу ввода/вывода. Помимо этого, он потребляет всего 1,2 Вт, против 1,35 Вт у нынешних модулей DDR3.

Добрый вечер, Хабр!

Вчера Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли RDIMM памяти стандарта DDR4 емкостью 64 ГБ. Новые модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых, в свою очередь, состоит из четырех кристаллов DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Чипы отличаются низким энергопотреблением и производятся с использованием передового техпроцесса класса 20 нм. Микросхемы собираются в единый стек с помощью новейшего метода по сквозному соединению кристаллов под названием TSV (Through Silicon Via). Новые модули высокой плотности будут играть ключевую роль в дальнейшем развитии сегмента корпоративных серверов и облачных приложений, а также в диверсификации решений для центров обработки данных.

Недавно было представлено очередное творение компании Intel — семейство микросхем Xeon E5-2600 v3. По мнению компании-разработчика, новые чипы — путь к совершенствованию «устаревших» центров обработки данных. По словам Дианы Брайант (Diane Bryant), старшего вице-президента и генерального директора Data Center Group Intel, микросхемы Xeon E5-2600 v3 — самые быстрые серверные микросхемы из когда-либо созданных компанией.

Доброй пятницы, Хабр!

Samsung Electronics объявила о начале массового производства передовой 8-гигабитной памяти DDR4, а также соответствующих модулей емкостью 32 ГБ на основе 20-нм техпроцесса для мощных серверных систем и центров обработки данных.

Спешим сообщить, что в наших дата-центрах теперь доступны для заказа выделенные серверы на базе процессоров нового семейства Intel Xeon E5v3 и памяти DDR4. Мы — первые в России, кто предлагает клиентам эти серверы самых новых и производительных на сегодняшний день конфигураций.

Полный список доступных конфигураций представлен на нашем сайте.

В этой статье мы подробно расскажем о новых процессорах и их возможностях.

Доброй пятницы, Хабр!

Компания Samsung запускает решение следующего поколения — новый чип мобильной памяти высокой плотности LPDDR4, тем самым открывая дверь в эру мобильной DRAM-памяти емкостью 4 ГБ для качественно нового уровня производительности мобильных устройств. Массовое производство первых в индустрии 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 по 20-нм тех. процессу уже стартовало. Новый чип мобильной памяти позволит продлить время работы аккумулятора и ускорить загрузку приложений на мобильных устройствах с большим экраном и высоким разрешением изображения.

26 ноября нынешнего года компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства памяти объёмом 128 Гб, предназначенных для корпоративных серверов и центров обработки данных. TSV DDR4 128 Gb будут выпускаться на базе технологии TSV («through silicon via»).

 
Спешим сообщить: в наших дата-центрах доступны для заказа выделенные серверы новых конфигураций на базе процессоров Intel Xeon E3 v5 Skylake. Следуя сложившейся традиции, Intel обкатывает новейшую архитектуру серверных процессоров на «младших» E3. В этой статье мы подробно расскажем о новых процессорах, их технических характеристиках и возможностях.

Американские исследователи из компании Third I/O на состоявшейся в Китае конференции Semicon China представили доклад, в котором рассказали о том, что уязвимости Rowhammer подвержены и чипы DDR4. Ранее считалось, что память этого типа не подвержена данной уязвимости, которую весной 2015 года обнаружили ИБ-специалисты из Google.

Не так давно мы публиковали статью Сравнение производительности процессоров Intel разных поколений, в которой представлены результаты тестирования 8-ядерных процессоров Intel Xeon E5. С тех пор, по акции, было продано несколько сотен серверов на базе процессоров V1/V2, которые стали достойным аналогом E5-2620V4/2630V3 в таких задачах как: сервер баз данных, терминальный сервер, видеонаблюдение и пр. Но, к сожалению, модельный ряд был ограничен только 2-процессорными платформами, что накладывало дополнительную финансовую нагрузку при использовании 1-процессорных конфигураций. Большое количество запросов побудило нас разработать бюджетную модель 1-процессорного сервера/рабочей станции, которая должна существенно выигрывать по производительности у платформ на базе Xeon E3/Core i7, и при этом конкурировать с ними по цене.