Pull to refresh

Samsung заявила о первых в мире вычислениях на основе магнеторезистивной оперативной памяти

High performance *Data storage *Artificial Intelligence

Samsung представила отчет о новых разработках в области технологии MRAM Magnetoresistive Random-Access Memory). Компания заявила, что нашла способ сделать вычисления в оперативной памяти практичными с использованием данной технологии. 

Читать далее
Total votes 7: ↑7 and ↓0 +7
Views 2.6K
Comments 4

Память следующего поколения

Computer hardware
image

Flash-память остается доминирующим видом энергонезависимой (то есть сохраняющей информацию в отсутствии электрического тока) памяти благодаря широкому использованию в твердотельных накопителях (SSD) и привычных каждому USB флеш-накопителях. Но, несмотря на ее популярность и повсеместное использование, технология все еще остается проблемной, особенно если норма производства опускается ниже 30нм-процесса — скорость работы флеш-памяти снижается. Вдобавок к этому — ограниченное количество циклов записи-стирания и относительно низкая скорость самой записи (в миллисекундах). Из-за всех этих ограничений, исследователи уже давно ищут эффективную замену флеш-памяти для производства вышеупомянутых продуктов.

В настоящий момент существует несколько альтернативных разработок, которые вполне могли бы заменить кремниевую флеш-память, такие как PRAM (phase-change RAM), FeRAM (ferroelectric RAM), MRAM (magnetoresistive RAM) и RRAM (resistance-change RAM). Однако до сегодняшнего дня ученым различных университетов и компаний так и не удалось успешно применить текущую технологическую норму в производстве памяти по любой из этих технологий — либо механизм переключения режимов, либо сама платформа теряет эффективность и скорость на уровне «нано». Плюс к этому, ни одной из этих разработок не хватает таких важных в коммерческом производстве характеристик, как увеличение циклов записи-стирания (по-сравнению с флеш-памятью), долгосрочности хранения данных в отсутствии тока и высокой скорости переключения между режимами чтения/записи. Именно качественный и количественный рост этих показателей считается основным требованием в разработке энергонезависимой памяти следующего поколения.

А еще, не развлечения ради, исследователи планируют заменить эту технологию целиком. Совместная группа ученых из Samsung и корейского Sejong University недавно опубликовали занятную публикацию в журнале Nature Materials, описывающую новую технологию производства RRAM (resistance-change RAM это технология, позволяющая менять напряжение ячеек так, что ее состояние меняется с низкого сопротивления (высокая проводимость) на высокое сопротивление (низкая проводимость)) из оксида тантала (TaOx), который в тестах показал огромное преимущество над существующими технологиями, побив результаты почти по всем пунктам.
Читать дальше →
Total votes 60: ↑55 and ↓5 +50
Views 1.4K
Comments 37

Everspin начала поставки STT-MRAM-памяти

Computer hardware
image

Уже несколько лет ходят слухи о разработке новых видов компьютерной памяти, однако до сих пор эти проекты оставались на уровне лабораторных экспериментов или, в лучшем случае, штучного производства. К счастью, ситуация постепенно начинает меняться. Компания Everspin, занимающаяся разработкой магниторезистивной памяти, объявила о начале поставок 64-мегабитных модулей. Ранее максимальный объём выпускаемых ими чипов составлял лишь 16 мегабит, причём технология MRAM не позволяла существенно увеличивать плотность компоновки, поскольку это вызывает чрезмерное возрастание тока записи. В новых модулях используется технология переноса спинового момента (Spin-transfer torque), когда для смены ориентации поля в магнитном материале используется не наложение внешнего магнитного поля, а протекающий ток, в котором преобладают электроны с нужным направлением спинов. Это позволило обойти проблему увеличения плотности чипов.
Читать дальше →
Total votes 36: ↑35 and ↓1 +34
Views 15K
Comments 15

IBM и Samsung разработали 11-нм память STTMRAM

IBM corporate blog Computer hardware Popular science Data storaging


В этом месяце IBM отметила 20-летний юбилей проекта разработки магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). Изначально цель ставилась в управлении ячейкой при помощи электромагнитного поля. Сейчас проект трансформировался в разработку ячейки памяти с записью информации при помощи передачи момента вращения спина электроном. Такой тип памяти получил название STTMRAM (spin-transfertorqueMRAM).

Вместе с IBM над этим проектом работало много партнеров. Первым была компания Motorola. Затем — компании Infineon, TDK, Micron и другие. Благодаря участию специалистов из этих компаний проект удалось превратить из чисто теоретической концепции в реальную технологию. В течение нескольких лет ряд технических проблем мешал масштабировать память до высокой плотности. Но эту проблему все же удалось решить. И сейчас мы вместе с компанией Samsung подошли к завершающему этапу. Можно сказать, что разработка уже близка к коммерческому запуску. Сейчас основная задача решена, специалисты оптимизируют основную технологию и вспомогательные инструменты. Главным достижением работы с Samsung стал перевод структуры ячейки из горизонтальной в вертикальную.
Читать дальше →
Total votes 25: ↑25 and ↓0 +25
Views 19K
Comments 42

Intel готова начать производство памяти MRAM

Intel corporate blog Computer hardware IOT
Итак, принципиально новый вид компьютерной памяти, называемый преемником как DRAM, так и NAND и продемонстрированный в конце прошлого года компаниями Samsung и Intel, начинает обретать вид реального продукта. По крайней мере, в этом направлении сделан еще один шаг: по заявлению компании Intel, она в ближайшее время готова начать производство MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) в промышленных масштабах.
Читать дальше →
Total votes 45: ↑45 and ↓0 +45
Views 27K
Comments 62

На заре компьютерной памяти

History of IT Old hardware
Sandbox
В статье есть тяжелые фото, так что убрал под спойлеры.

Введение


Проблема запоминания цифровой информации возникла раньше, чем появились собственно компьютеры. Перед тем, как говорить, о конкретных физических реализациях, введем терминологию.

Память — физическое устройство или среда хранения данных. В простейшем случае память — массив нумерованных ячеек, содержащих «1» или «0». Записанные в тетрадке нули и единицы мы памятью считать не будем, так как невозможно (или строго говоря возможно но бессмысленно) автоматическое считывание такой памяти.

С точки зрения организации доступа к данным память можно разделить на следующие несколько типов:

  • RAM – Random Access Memory, память со произвольным доступом. Можно прочитать или изменить любую ячейку.
  • ROM – Read-Only Memory, память, из которой можно прочитать любую ячейку но нельзя записать (Постоянное запоминающее устройство, ПЗУ).
  • FIFO – First In, First Out, память, в которую можно записать только сверху, а прочитать только снизу (в русских словах очередь).
  • Stack(LIFO) – Last In, First Out, Access память, доступ в которой на чтение и запись возможен только к верхнему элементу (мне очень нравится её советское название, магазин).
  • CAM — Content-addressable memory, память, адресуемая по содержимому (русское название — ассоциативная память).

Узоры на ткани


Впервые задача хранения и считывания данных из памяти была поставлена, а затем успешно решена для управления нитями в ткацком станке.
Читать дальше →
Total votes 50: ↑50 and ↓0 +50
Views 13K
Comments 13

Вспомнить всё. Разбираемся в полупроводниковой памяти

Data storages *Manufacture and development of electronics *Popular science Data storaging Electronics for beginners

Когда я писал в начале года статью “Кто есть кто в мировой микроэлектронике”, меня удивило, что в десятке самых больших полупроводниковых компаний пять занимаются производством памяти, в том числе две – только производством памяти. Общий объем мирового рынка полупроводниковой памяти оценивается в 110 миллиардов долларов и является постоянной головной болью участников и инвесторов, потому что, несмотря на долгосрочный рост вместе со всей индустрией микроэлектроники, локально рынок памяти очень сильно лихорадит – 130 миллиардов в 2017 году, 163 в 2018, 110 в 2019 и 110 же ожидается по итогам 2020 года.

Объем рынка памяти близок к трети всей микроэлектроники, а в десятке самых больших компаний памятью занимается половина. Так чем же полупроводниковая память такая особенная? Давайте разбираться.

Поехали!
Total votes 59: ↑59 and ↓0 +59
Views 15K
Comments 31