я проектирую источник на 1500В, поэтому транзисторы на 1700. В первой части статьи я привожу некоторую общую инфу по карбиду кремния. В частности, решил провести сравнение с кремнием. Сравнивать транзисторы на 1700В не имеет никакого смысла, надеюсь, это понятно. Поэтому решил выбрать нишу (а именно 650В ключи), где сравнение имеет смысл.
Однополярное управление да, интересно, но тут надо придумать какието внешние воздействия для источника для проверки надёжности такого решения (чтобы он не работал в «тепличных условиях»)
На Ваших осциллограмах хорошо виден «звон» транзистора, как его побороть? Из-за звона, собснно, транзистор по большей части и нагревается, так как затвор не «плотно» прикрыт.
это свободные колебания в периоды, когда оба ключа полумоста закрыты — никакого нагрева они не вызывают, кроме того могу вас заверить, затвор в эти периоды закрыт весьма «плотно»)
В нашем случае наилучший эффект (наименьший звон — меньший нагрев) достигался где-то при 20-22 Омах
возможно вы экспериментировали с какой-то другой топологией
Кроме пожалуй тезиса про высокую частоту. Мне кажется, до 600-800кГц карбид кремния норм решение, а дальше уже GaN. К тому же, GaN имхо пока сыроватая технология и ставить в жёсткий индастриал я бы не стал. А ещё, разве GaN не существенно дороже?
Не очень понятно, что имеется в виду под «посылом». Тут немного аналитики в части сравнения с кремнием, немного про параметры, плюс поделился результатами экспериментов с затягиванием переключения SiC-MOSFET. Если вас интересуют какие-то иные теоретические или практические аспекты применения карбида кремния — напишите, возможно затрону их в другой статье.
отрицательного напряжения за затворе — не уверен, что оно нужно
у основной массы карбид-кремниевых транзисторов это рекомендуется в даташите.
я рассчитывал на то, что удастся затянуть переключение силовых транзисторов и это повлияет на КПД, соответственно ожидал существенного увеличения динамических потерь и падения КПД. Затянуть таким методом не получилось — поделился своим опытом и результатами исследования.
Какая разница какая мощность и что это «интересное» я не понял.
нет горящих баксов на заставке, вот и комментариев нету) и назвать надо было «Газонокосильщик-2015 или как я телепортировал людей в виртуальную реальность»
в данной схеме выходного электролита нету — на входе пассивный ККМ valley fill, он даёт пульсирующую постоянку, и смысл в том, чтобы минимальное значение этого напряжения было больше напряжения ледов плюс buck должен успевать отрабатывать пульсации — тогда электролит не нужен.
Имелось в виду, что такие крупные вендоры имеют больше возможностей по анализу поставщиков/производителей, поэтому их продукция это некий ориентир. К тому же у них миллионные тиражи — проверено серийкой так сказать.
К этой задаче можно подходить с двух сторон — одна это автомат, а вторая это ИП. У меня сразу вопросы: сколько было источников? какой был автомат? какое было сопротивление термисторов?
Например, давайте посчитаем, берём термистор на 120 Ом, это пусковой ток одного ИП чуть меньше двух ампер. Мощность ИП 30Вт, входной конденсатор возьмём 40мкФ (можно даже и меньше взять). Этот кап зарядится за два периода сети — вроде не много. На один условный 50А автомат можно повесить 30 шт таких ИП. Думаю, что ещё больше — это зависит от класса перегрузочной способности и быстродействия автомата. Теперь сколько мы потеряем. Грубо. В начальный момент на термисторе 2,2 Вт, это значит что если даже он прогреется до 60-70 градусов, его сопротивление станет 30 Ом, теряем 0,5 Вт, если прогреется до 100, то потери будут 0,2Вт. Нужно брать в маленьком корпусе или надеть на него термоусадку.
Кстати, множество ИП на одной шине не редкость у автоматизаторов в шкафах. И у них есть методики подбора автоматов.
Кстати, диоды на основе SiC применяются уже давно в силовой электронике. Помню ещё лет 6-8 назад применял диоды от Cree в мощных корректорах коэффициента мощности (PFC). Стоили они тогда примерно в два раза больше таких же кремниевых, но давали хороший прирост в КПД.
какие топологии имеете в виду?
Однополярное управление да, интересно, но тут надо придумать какието внешние воздействия для источника для проверки надёжности такого решения (чтобы он не работал в «тепличных условиях»)
возможно вы экспериментировали с какой-то другой топологией
Кроме пожалуй тезиса про высокую частоту. Мне кажется, до 600-800кГц карбид кремния норм решение, а дальше уже GaN. К тому же, GaN имхо пока сыроватая технология и ставить в жёсткий индастриал я бы не стал. А ещё, разве GaN не существенно дороже?
у основной массы карбид-кремниевых транзисторов это рекомендуется в даташите.
согласен, я этого и не утверждал
Какая разница какая мощность и что это «интересное» я не понял.
Мне кажется что-то типа франшизы можно продавать, такого нету у вас?
Например, давайте посчитаем, берём термистор на 120 Ом, это пусковой ток одного ИП чуть меньше двух ампер. Мощность ИП 30Вт, входной конденсатор возьмём 40мкФ (можно даже и меньше взять). Этот кап зарядится за два периода сети — вроде не много. На один условный 50А автомат можно повесить 30 шт таких ИП. Думаю, что ещё больше — это зависит от класса перегрузочной способности и быстродействия автомата. Теперь сколько мы потеряем. Грубо. В начальный момент на термисторе 2,2 Вт, это значит что если даже он прогреется до 60-70 градусов, его сопротивление станет 30 Ом, теряем 0,5 Вт, если прогреется до 100, то потери будут 0,2Вт. Нужно брать в маленьком корпусе или надеть на него термоусадку.
Кстати, множество ИП на одной шине не редкость у автоматизаторов в шкафах. И у них есть методики подбора автоматов.