Одной из основных проблемм ионисторов является то что они все низковольтные. Я в руках держал на 3.3 вольт. Про существование ионисторов больше чем на 5 вольт я что-то не припомню.
Так что только ток, только хардкор.
Да, еще хочу заметить, что второй проблемой ионистора является то что он все же конденсатор, а не аккумулятор. Поэтому запасенная энергия в нем линейно пропорциональна напряжению. В аккумуляторе есть «ступенька», когда напряжение изменяется изменяется слабо, поэтому от него удобно производить отбор мощности. При этом резкое падение напряжения после ступеньки соответствует разряженному аккумулятору.
p2p и сетевое вещание решает проблему передачи и доставки контента, но не производства. Подготовить достаточно объемную передачу — отдельный труд, требующий знаний, времени и техники. TV сейчас — это достаточно объемные и продолжительные передачи. Пусть мусорные, глупые, зомбирующие. Но простому человеку с улицы сложно записать получасовой выпуск так, чтобы он заставлял сидеть у экрана. Типичное качество и объем среднестатистической «передачи» можно сейчас посмотреть на ютьюбе. В основном это ролики минут на 5.
О, спасибо, интересный даташит. Я до этого к TPS54062 присматривался — он высоковольтный, шотки диод заменен транзистором внутри. Но КПД около 60% в моих условиях. Хотя похоже сильно больше и не будет.
Вопрос на засыпку: а с выключенной нагрузкой с какой скоростью он высаживает батарейку? выключатель в клавиатуре же стоит уже после преобразователя.
А не встречался ли вам аналогичный преобразователь с 12..18 вольт до 3.3 на малый ток (мне нужно ~10mA)?
ну как бы если система десктопная, то он есть… возможно в каких-то других случаях он тоже стоит. А потом по событию «появление сети» мы обнавляем IP на днсе. Если его не стоит — то смысла ставить только ради этого нету
Любопытное решение, но я бы порекомендовал скрипт вешать не в init.d, а как было написано в моей статье на которую вы ссылались, подключить в /etc/NetworkManager/dispatcher.d/20-dyndns.sh
В этом случае будет проихсодить обновления адреса при переподключении сети, что более логично.
ну как сказать, как сказать… к солнечному концентратору понадобится электроника трекинго солнца. потому что солнечный зайчик от концентратора должен находиться на фотоэлементе
и потом, та же вики обещает КПД монокристаллических кремниевых батарей в 24 процента. Ну возьмите такую же складную батарею, но размером в два раза больше.
И потом, это все максимальные полученные в лабораториях результаты. Коммерчески доступные имеют худшие характеристики.
Да, а еще на кпд влият куча всего, включая отражение от поверхности элемента и внутренние переотражения.
Я точно эту тему не помню уже, но вроде бы больше 50% получить невозможно — когда фотон вызывает рождение электронно-дырочной пары, они могут начать разлетаться в разные стороны. И если они разлетаются куда надо — то мы получаем ток, а если в противоположенном направлении — то никуда не уходят, а рекомбинируют, и на выходе тепло.
Потому что там фактически вместо одной батареи сделано три друг на друге. При производстве требуется использовать германий и редкоземельные металлы. В общем дорого само производство. К тому же такие элементы лучше работают при большом световом потоке — т.е требуют солнечный концентратор.
В общем все сложно.
Можно на эту тему почитать википедию en.wikipedia.org/wiki/Multijunction_photovoltaic_cell
А статью мне писать лень — это все же не непосредственно моя тема, я с ней только шапочно знаком. Так что все придется гуглить.
Нет, неверно. Поглашение основано на неком переходе между электронными уровнями. При этом фотон свет с энергией больше этого уровня таким переходом поглатится, но в электричество перейдет 1 электрон «тока» с напряжением перехода. А избыточная энергия превратится в тепло. Таким образом, если у нас есть только один уровень перехода, часть энергии светового спектра мы теряем из-за того что энергия фотона меньше перехода, и этот свет в электричество не преобразуется совсем, а другую чать из-за того что мы «обрезаем» остальной спектр по энергии перехода и как-бы делим на то что ушло в электричество, и то что ушло в тепло.
И да, наиболее эффективными получаются преобразователи на нескольких переходах, но они получаются безумно дороги и для экономической эффективности требуют солнечных концентраторов
Такое ощущение, что в статье перепутаны миллиджоули (мДж) с мегаджоулями (МДж).
Также мощность лазера в импульсе странным образом сравнивается с постоянной мощностью (потребления британии). Это еще если она в этом месте не перепутана с плотностью мощности (Вт/cm2). Вот она для фокусированного лазерного излучения в сверхкоротком импульсе легко может достигать и гигаватт, и террават.
Ага, но при этом такая батарея стоит как самолет. И требует солнечного концентратора для увеличения светового потока. А концентратор надо ориентировать в направлении источника.
А не лучше сделать окна в более тонком слое металла, и легировать через металлическую маску? и с HF связываться не надо.
Я сам легированием не занимался, но если так будет работать — так должно быть проще.
Чушь и популизм.
Транзисторы на основе нанотрубок не будут применены в массовом изготавлении микросхем до тех пор пока не научатся массово выращивать единичные нанотрубки вдоль чипа в заранее заданных местах.
Птому что сейчас технология выглядит следующим образом:
Мы «бросаем» на кремниевую подложку (чип) небольшое количество нанотрубок. Находим единичную нанотрубку. Пользуясь заранее нанесенными на чип маркерами напыляем контакты.
Если в этой статье и представлена какая-то новизна — то это расстояние между контактами в 10 нм.
(кстати, нанометры всегда обозначаются нм, не НМ (больше похоже на гектомоли) и не МН (вообще непонятно что)
А «закрывающиеся» транзисторы на основе единичной нанотрубки известны уже некоторое время.
У графена нулевая запрещенная зона, из-за этого нельзя не пользуясь какими-нибудь хитрыми трюками создать транзистор который будет полностью закрываться. Так что процессоров на графене скорей всего не будет. Вот в экранах он возможно появится, потому как гибкий, прозрачный, хорошо проводящий, дешевый и легко доступный. В отличие от широко используемого сейчас редкоземельного индия.
Так что только ток, только хардкор.
Да, еще хочу заметить, что второй проблемой ионистора является то что он все же конденсатор, а не аккумулятор. Поэтому запасенная энергия в нем линейно пропорциональна напряжению. В аккумуляторе есть «ступенька», когда напряжение изменяется изменяется слабо, поэтому от него удобно производить отбор мощности. При этом резкое падение напряжения после ступеньки соответствует разряженному аккумулятору.
А не встречался ли вам аналогичный преобразователь с 12..18 вольт до 3.3 на малый ток (мне нужно ~10mA)?
В этом случае будет проихсодить обновления адреса при переподключении сети, что более логично.
и потом, та же вики обещает КПД монокристаллических кремниевых батарей в 24 процента. Ну возьмите такую же складную батарею, но размером в два раза больше.
И потом, это все максимальные полученные в лабораториях результаты. Коммерчески доступные имеют худшие характеристики.
Я точно эту тему не помню уже, но вроде бы больше 50% получить невозможно — когда фотон вызывает рождение электронно-дырочной пары, они могут начать разлетаться в разные стороны. И если они разлетаются куда надо — то мы получаем ток, а если в противоположенном направлении — то никуда не уходят, а рекомбинируют, и на выходе тепло.
В общем все сложно.
Можно на эту тему почитать википедию en.wikipedia.org/wiki/Multijunction_photovoltaic_cell
А статью мне писать лень — это все же не непосредственно моя тема, я с ней только шапочно знаком. Так что все придется гуглить.
И да, наиболее эффективными получаются преобразователи на нескольких переходах, но они получаются безумно дороги и для экономической эффективности требуют солнечных концентраторов
Также мощность лазера в импульсе странным образом сравнивается с постоянной мощностью (потребления британии). Это еще если она в этом месте не перепутана с плотностью мощности (Вт/cm2). Вот она для фокусированного лазерного излучения в сверхкоротком импульсе легко может достигать и гигаватт, и террават.
Я сам легированием не занимался, но если так будет работать — так должно быть проще.
Транзисторы на основе нанотрубок не будут применены в массовом изготавлении микросхем до тех пор пока не научатся массово выращивать единичные нанотрубки вдоль чипа в заранее заданных местах.
Птому что сейчас технология выглядит следующим образом:
Мы «бросаем» на кремниевую подложку (чип) небольшое количество нанотрубок. Находим единичную нанотрубку. Пользуясь заранее нанесенными на чип маркерами напыляем контакты.
Если в этой статье и представлена какая-то новизна — то это расстояние между контактами в 10 нм.
(кстати, нанометры всегда обозначаются нм, не НМ (больше похоже на гектомоли) и не МН (вообще непонятно что)
А «закрывающиеся» транзисторы на основе единичной нанотрубки известны уже некоторое время.