Инженеры из бельгийского научно-исследовательского центра IMEC намерены в 2011 году начать выпуск кремниевых микросхем с компонентами, работающими при напряжении 0,2-0,3 вольта. Это гораздо ниже стандартного порогового напряжения (Vt), при котором возникает проводимость в транзисторах.
Пороговое напряжение зависит от состава полупроводниковой подложки, электрода, рабочей температуры. Показатель Vt в обычных транзисторах составляет около 0,7 В, а в современных КМОП — до 0,5 В. Напряжение ниже Vt, фактически, считается утечкой.
Если транзистор научится делать какую-то полезную работу при напряжении ниже порогового, можно добиться значительной экономии энергии в компьютерных микросхемах. Но ещё более важно, что можно кардинально повысить энергоэффективность микросхем и, теоретически, даже вживлять в тело человека электронику, работающую без внешних источников питания. Собственно, именно это является целью голландских учёных, работающих по проекту Human++.
Пороговое напряжение зависит от состава полупроводниковой подложки, электрода, рабочей температуры. Показатель Vt в обычных транзисторах составляет около 0,7 В, а в современных КМОП — до 0,5 В. Напряжение ниже Vt, фактически, считается утечкой.
Если транзистор научится делать какую-то полезную работу при напряжении ниже порогового, можно добиться значительной экономии энергии в компьютерных микросхемах. Но ещё более важно, что можно кардинально повысить энергоэффективность микросхем и, теоретически, даже вживлять в тело человека электронику, работающую без внешних источников питания. Собственно, именно это является целью голландских учёных, работающих по проекту Human++.