Компания Intel планирует в первой половине этого года начать отгрузки небольших партий работоспособных чипов памяти с изменением фазового состояния (phase change memory, PCM), или, как её еще называют, PRAM. Массовое производство памяти нового поколения должно начаться до конца 2007 года. Напомним, что в продвижении PRAM заинтересованы такие крупные производители, как Fujitsu, Samsung, Renesas, Hitachi и другие.
Intel намерена выпускать чипы PRAM с соблюдением 90-нм норм. Их плотность составит 128 Мбит. Память PRAM будет производиться по технологии, купленной у компании Ovonyx, в которой предусматривается использование халькогенидов. Заведующий по технологиям флэш-памяти компании Intel Эд Доллер (Ed Doller) сообщил, что новая память сможет выдерживать до 100 млн. циклов чтения/записи и её срок эксплуатации составляет, как минимум, 10 лет.
Напомним, что осенью прошлого года компании Intel и ST Microelectronics представили 250-мм подложку с образцами PRAM-памяти плотностью 128 Мбит. Тогда Intel обещала начать отгрузку PRAM-чипов в ноябре 2006, но потом сроки поставок были перенесены. Сегодняшняя новость свидетельствует о том, что стадия исследований уже подходит к завершению, и, скорее всего, к началу 2008 года мы увидим первые устройства с встроенной PRAM-памятью (возможно, на CES 2008?).
Источник: www.3dnews.ru
Intel намерена выпускать чипы PRAM с соблюдением 90-нм норм. Их плотность составит 128 Мбит. Память PRAM будет производиться по технологии, купленной у компании Ovonyx, в которой предусматривается использование халькогенидов. Заведующий по технологиям флэш-памяти компании Intel Эд Доллер (Ed Doller) сообщил, что новая память сможет выдерживать до 100 млн. циклов чтения/записи и её срок эксплуатации составляет, как минимум, 10 лет.
Напомним, что осенью прошлого года компании Intel и ST Microelectronics представили 250-мм подложку с образцами PRAM-памяти плотностью 128 Мбит. Тогда Intel обещала начать отгрузку PRAM-чипов в ноябре 2006, но потом сроки поставок были перенесены. Сегодняшняя новость свидетельствует о том, что стадия исследований уже подходит к завершению, и, скорее всего, к началу 2008 года мы увидим первые устройства с встроенной PRAM-памятью (возможно, на CES 2008?).
Источник: www.3dnews.ru
