Когда-то в стародавние времена усовершенствование процессоров Intel считалось на «раз-два» (или «тик-так» в терминологии компании): на счет «раз» уменьшался техпроцесс производства процессоров, на счет «два» — улучшалась микроархитектура в рамках неизменного техпроцесса. Затем ходики сломались, и 14-нм техпроцесс стал прирастать плюсами, символизирующими повышение производительности в рамках одной меры. Текущий актуальный техпроцесс вообще называется 10nm SuperFin, но это ненадолго: на смену ему приходят новые индексы, и следующий будет называться Intel 7. Коротко, но не просто.
Исторически мера техпроцесса характеризовала длину затвора транзистора, однако по мере усложнения его структуры в таком виде она становилась все менее и менее показательной. Поэтому в Intel аналогично другим производителям приняли решение включить в состав новых индексов «виртуальный (или эквивалентный) размер элемента», не имеющий связи с каким-либо конкретной характеристикой процессора. Главной же величиной, обозначаемой индексом и характеризующей конкретное поколение, является прирост производительности по сравнению с предыдущим.
В период до 2025 года совершенствование техпроцессов Intel будет происходить по следующей схеме.
| Техпроцесс | Описание |
|---|---|
| Intel 7 | Ранее назывался Enhanced SuperFin 10nm Обеспечивает прирост 10-15% Используется в процессорах Alder Lake, уже находится в производстве Использует FinFET оптимизации Появление в этом году |
| Intel 4 | Ранее назывался 7nm Обеспечивает прирост 20% Сделан с помощью экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии Будет использоваться в процессорах Meteor Lake для ПК и Granite Rapids для серверов ЦОД Появление в начале 2023 года |
| Intel 3 | Обеспечивает прирост 18% Увеличенные внутренние токи, сниженное сопротивление Расширенное использование EUV-литографии Появление в конце 2023 года |
| Intel 20A | А — значит Ангстрем Новая структура транзисторов RibbonFET Новая система внутренних соединений PowerVia Появление в первой половине 2024 года |
Транзисторы RibbonFET имеют принципиально новую внутреннюю структуру, называемую Gate All Around (GAA, каналы, полностью окружённые затворами). Такие транзисторы обеспечивают более высокую скорость переключения при меньшей занимаемой площади благодаря структуре с несколькими наноканалами.
Технология PowerVia предусматривает разведение сигнальных шин и цепей питания по разные стороны силиконовой подложки. Это позволит существенным образом улучшить отношение сигнал/шум в каналах передачи данных и дополнительно повысить эффективную плотность размещения транзисторов на кристалле.
