Комментарии 25
Звучит очень аппетитно…
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Не закопирайтят, а запатентят. И не хрен увидим, а дорого заплатим.
Я бы сказал, заплатим как обычно. Потому что пока оно не станет стоить, как текущее технологическое поколение, оно не сможет его, текущее, сменить.
Если будет прирост скорости в полтора раза, то найдутся те, кто заплатит в десять раз больше.
сначала да, а потом спустится к людям. мы же все это видели сто раз.
Отнюдь.
Вспомним хотя бы Itanium.
В десять раз больше я уж лучше заплачу за десять серверов и получу прирост скорости не в полтора, а в десять раз.
А компании, которые работают с плохокластеризуемыми задачами, купят сервер с вдвое бОльшим числом ядер. Или построят кластер на Infiniband.
Вспомним хотя бы Itanium.
В десять раз больше я уж лучше заплачу за десять серверов и получу прирост скорости не в полтора, а в десять раз.
А компании, которые работают с плохокластеризуемыми задачами, купят сервер с вдвое бОльшим числом ядер. Или построят кластер на Infiniband.
Думаю, сначала все разработки уйдут в военный сектор лет на 5. А уже потом патентование и широкий рынок.
транзистор, способный работать на частоте 427 гигагерцКак я понимаю, это далеко не частота потенциального микропроцессора на графеновых транзисторах. Кремний-германиевые транзисторы, которые используются (использовались?) в микропроцессорах, тоже способны работать на частотах в 300-500 гигагерц.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
В тепловыделении скорее
Эти значения практически не отличаются )
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Нашелся умник и назвал всех профанами ;)
Отдельно забавляет тот факт, что у вашего коммента 3 минуса, видимо один из профанов просто еще не прочитал
Один из профанов ждёт, когда artemonster снизойдёт и объяснит почему профан не прав.
Тоже хотел выпендриться, но дошел до вашего коментария :)
Кремниевые транзисторы планку в 300 гигагерц не пробили пока что, так что можно ожидать увеличения тактовой частоты процессоров раза в полтора.
Насколько я помню рекорд сейчас принадлежит транзисторам на основе арсенида индия-галлия, и он ~700 гигагерц.
Ученые Иллинойского университета создали самый быстрый в мире транзистор — он демонстрирует частоту 845 GHz, что почти на 300 GHz больше показателей опытных устройств, полученных другими исследовательскими группами. Таким образом, сделан еще один шаг для на пути преодоления частоты 1 TGz.
Образец нового транзистора выполнен из фосфида индия и арсенида галлия, в областях базы и коллекторов использовано псевдоморфное смешение структуры материалов, что позволяет уменьшить ширину запрещенных зон этих областей, увеличить скорость электронов, снизить плотность и время зарядки.
Ученые также усовершенствовали процесс производства, что привело к уменьшению вертикальных размеров компонентов транзистора (например база имеет толщину 12,5 нм). Таким образом удалось сократить расстояние, на которое перемещаются электроны, и повысить скорость транзистора.
При комнатной температуре (25 град. Цельсия) учеными была зафиксирована скорость образца транзистора 765 GHz, а при -55 град. Цельсия — 845 GHz.
Образец нового транзистора выполнен из фосфида индия и арсенида галлия, в областях базы и коллекторов использовано псевдоморфное смешение структуры материалов, что позволяет уменьшить ширину запрещенных зон этих областей, увеличить скорость электронов, снизить плотность и время зарядки.
Ученые также усовершенствовали процесс производства, что привело к уменьшению вертикальных размеров компонентов транзистора (например база имеет толщину 12,5 нм). Таким образом удалось сократить расстояние, на которое перемещаются электроны, и повысить скорость транзистора.
При комнатной температуре (25 град. Цельсия) учеными была зафиксирована скорость образца транзистора 765 GHz, а при -55 град. Цельсия — 845 GHz.
И, кстати, стократное ускорение вряд ли возможно. Есть принцип Ландауэра и эффективность современных процессоров (кпд, если угодно) уже доли процента.
Нет, не способны. Есть теоретическое ограничение в подвижности носителей — в кремнии составляет 0,15 м2/В·с, в арсениде галлия – 0,85 м2/В·с.
У графена — 20 м2/В·с (сами понимаете — электрон «бегает» по проводам далеко не со скоростью света )
У графена — 20 м2/В·с (сами понимаете — электрон «бегает» по проводам далеко не со скоростью света )
20.06.2006: A research team from IBM and the Georgia Institute of Technology has demonstrated the first silicon-germanium transistor able to operate at frequencies above 500 GHz.
Но, как верно подметил artemonster, я в этой области профан, и на своей правоте настаивать не буду :)
Но, как верно подметил artemonster, я в этой области профан, и на своей правоте настаивать не буду :)
Ну, слава богу. Можно продолжать говнокодить.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Зарегистрируйтесь на Хабре, чтобы оставить комментарий
В лабораториях IBM научились получать 10-сантиметровые листы графена