Технология флеш-памяти 3D NAND

    Всем привет! Как вы знаете, современная планарная флеш-память NAND почти исчерпала свой потенциал. Основной её проблемой является то, что уменьшать размеры кристалла становится все труднее. По прогнозам экспертов, 14-15 нм технологические нормы станут пределом планарной флеш-памяти, по крайней мере на ближайшее время. А на смену ей придет технология «вертикальной» флеш-памяти – 3D NAND.


    Очень важно понимать, что же мешает дальнейшему уменьшению размеров кристалла. Прежде всего, для освоения более тонких техпроцессов необходимо дорогостоящее оборудование, покупка которого может в дальнейшем не оправдаться с экономической точки зрения. И если приобретение новых литографических машин – вопрос решаемый, то проблему перетекания заряда из одной ячейки в другую, из-за которой возникают ошибки, решить не так легко.


    Словом, индустрия оказалась в ситуации, когда ресурсы обычной, планарной, флеш-памяти оказались исчерпаны. Поэтому появилась идея размещать ячейки не только в плоскости, но еще и слоями. Таким образом, чип получает трехмерную структуру и способен вмещать значительно больше информации на единицу площади, нежели двухмерные кристаллы. Технология получила название 3D NAND. Тут же стоит отметить, что производители используют различные техники для создания трехмерной памяти, поэтому архитектура 3D NAND у каждой компании может иметь свои особенности и отличия.


    Первой компанией, наладившей производство трехмерной флеш-памяти под названием 3D V-NAND и накопителей на их основе, был корейский гигант Samsung. Еще в 2013 году они объявили о выпуске первых трехмерных чипов типа MLC, насчитывающих 24 слоя.  А уже через год 3D реализацию получила флеш-память TLC, число слоев которой увеличилось до 32.


    Как вы знаете, в основе конструкции планарной флеш-памяти лежит транзистор с плавающим затвором. Плавающий затвор обладает способностью удерживать заряд в течение длительного времени. Как оказалось, в этом кроется основной недостаток конструкции: при уменьшении техпроцесса вследствие износа ячеек заряд может перетекать из одной ячейки в другую. Для решения этой проблемы Samsung использует технологию 3D Charge Trap Flash, что в переводе с английского означает «ловушка заряда».


    Её суть заключается в том, что заряд теперь помещается не в плавающий затвор, а в изолированную область ячейки из непроводящего материала, в данном случае — нитрида кремния (SiN). Тем самым снижается вероятность «утечки» заряда и повышается надежность ячеек.

    Помимо всего прочего, применение технологии CTF позволило сделать чипы памяти более экономичными. По данным Samsung, экономия может достигать 40% в сравнении с планарной памятью.


    Трехмерная ячейка 3D V-NAND представляет собой цилиндр, внешний слой которого является управляющим затвором, а внутренний – изолятором. Ячейки располагаются друг над другом и формируют стек, внутри которого проходит общий для всех ячеек цилиндрический канал из поликристаллического кремния. Количество ячеек в стеке эквивалентно количеству слоев флеш-памяти.


    3D V-NAND память также может похвастаться более высокой скоростью работы. Этого удалось достичь за счет упрощения алгоритма записи в ячейку – теперь вместо трех операций выполняется всего одна. Упрощение алгоритма стало возможным благодаря меньшей интерференции между ячейками. В случае с планарной памятью из-за возможных помех между соседними ячейками требовался дополнительный анализ перед записью. Вертикальная память свободна от этой проблемы, и запись выполняется за один шаг.


    Ну и несколько слов о надежности. 3D V-NAND память значительно меньше подвержена износу благодаря тому, что для записи информации в ячейку не требуется высокого напряжения. Напомним, для того чтобы поместить данные в ячейку планарной памяти применяется напряжение порядка 20 В. Для трехмерной памяти этот показатель ниже. На надежности благоприятно сказался и тот факт, что производство трехмерной флеш-памяти не требует тонких технологических норм. Например, третье поколение памяти 3D V-NAND с 48 слоями производится по отлаженному 40 нм техпроцессу.


    Пока Samsung производила чипы трехмерной флеш-памяти себе в убыток (что, кстати, было официально подтверждено корейской компанией), другие производители флеш-памяти разрабатывали конкурирующие технологии. Так, компании Toshiba и SanDisk объединились в альянс для выпуска трехмерной флеш-памяти BiCS 3D NAND (Bit Cost Scalable).


    Работа над технологией началась еще в 2007 году силами одной Toshiba, а первые образцы трехмерной флеш-памяти BiCS были продемонстрированы в 2009 году. С тех пор развитие технологии не форсировалось. Кроме того, альянс Toshiba/SanDisk четко дал понять, что они не собираются выводить трехмерную флеш-память в массовое производство до тех пор, пока это не будет экономически выгодно.


    Основным отличием 3D флеш-памяти Toshiba от планарной, как и в случае с Samsung 3D V-NAND, является использование технологии CTF вместо классических транзисторов с плавающим затвором. Материалом для изолированной области также служит нитрид кремния (SiN). Принцип действия технологии в BiCS 3D NAND остается тем же самым: информация помещается не в плавающий затвор, как раньше, а в изолированную область.


    Что выгодно отличает BiCS 3D NAND от технологии 3D V-NAND, так это использование U-образных строк (линий). Это означает, что ячейки группируются не в ряд, а в имеющую форму буквы U последовательность. По словам Toshiba, такой подход позволяет добиться максимальной надежности и скорости работы. Это стало возможным благодаря тому, что в U-образном дизайне переключающий транзистор и линия истока располагаются в верхней части последовательности (а не в нижней, как при «рядном» дизайне) и не подвергаются высокотемпературному воздействию, вследствие чего уменьшается количество ошибок при чтении и записи.


    Также к преимуществам U-образного дизайна Toshiba относит и тот факт, что такая конструкция не требует использования фотолитографии в глубоком ультрафиолете. Поэтому для изготовления трехмерной флеш-памяти компания может использовать существующие производственные мощности.

    Интересно и то, что в производстве BiCS 3D NAND компания Toshiba впервые в массовом будет применять технологию тонкопленочных транзисторов (TFT).


    Что касается технических характеристик чипов BiCS, то это будут 48-слойные кристаллы памяти типа TLC. Их плотность составит 256 Гбит. При производстве будет использоваться отлаженный 30-40 нм техпроцесс. В целом, по характеристикам первые массовые чипы BiCS 3D NAND будут очень схожи с третьим поколением кристаллов Samsung 3D V-NAND.


    Альянс Micron/Intel также ведет разработку собственной трехмерной флеш-памяти. Многие эксперты предрекали, что все проекты 3D NAND будут использовать технологию CFT, однако Micron с Intel удивили всех и пошли иным путем. Основу их трехмерной флеш-памяти составляют ячейки с плавающим затвором. В Micron утверждают, что именно такая архитектура позволяет более надежно хранить заряд в ячейке.


    Кроме этого, в производстве 3D NAND используется технология «CMOS Under the Array». Её смысл состоит в том, что вся управляющая логика размещается не рядом с массивом памяти, как в 2D NAND, а под ним. Подобный дизайн позволяет освободить до 20% площади чипа и разместить на этом месте ячейки памяти.

    Micron обещает наладить массовое производство чипов трехмерной флеш-памяти уже в этом году. Это будут 32-слойные кристаллы плотностью 256 Гбит (MLC) и 384 Гбит (TLC).


    Об архитектуре трехмерной флеш-памяти SK Hynix известно не многое. Изначально южнокорейская компания планировала использовать ячейки с плавающим затвором, однако в конце концов выбор пал на технологию CTF. В этом году SK Hynix обещает наконец-то наладить массовое производство 3D NAND. Это будут 48-слойные чипы TLC емкостью 256 Гбит.


    Ну а что касается компании OCZ, то выход SSD-накопителей на основе трехмерной флеш-памяти BiCS, безусловно, входит в наши самые ближайшие планы. Дата выхода новых устройств будет зависеть от компании Toshiba, которая обещает наладить поставки чипов BiCS 3D NAND уже во второй половине текущего года.
    OCZ Storage Solutions
    39,00
    Компания
    Поделиться публикацией

    Комментарии 14

      +2
      Количество циклов перезаписи? Гарантированное время хранения? Промышленное применение?

        +3
        [шёпотом] пока никто не знает!
          0
          10 лет гарантии на MLC V-NAND у Samsung.
            0
            10 лет гарантии

            Стандарт по отрасли на SLC. Было бы интересно посмотреть на MLC с таким сроком хранения. Особенно в виде промышленного eMMC.
              0
              Стандартам свойственно меняться, когда-то и Parallel SCSI был мейнстрим, а SAS — нет. Индустрия хочет больше и дешевле. А если нет разницы, зачем платить больше?
              SLC и 3D NAND это, как я понял, слова-антонимы.
                0
                SLC/MLC/TLC — это всего лишь различные варианты использования ячеек. Если обвязка ячеек позволяет записать в них 8 уровней (для хранения 3 битов: [1] [2]), то реализовать в этой обвязке дополнительный режим с хранением всего 2 уровней уже проще. В частности, у Samsung V-NAND CTF часть 3D-массива используется как SLC: "Samsung's TurboWrite technology adds a SLC buffer layer to the flash. This takes place in the flash translation layer, which is a map of where data is stored on the SSD. The FTL can allocate data, telling a TLC cell to hold only 1-bit instead of three to increase the write transaction speed. Writing 1-bit is faster than writing three. The performance difference comes into play once all of the designated SLC-like area is full."; TurboWrite is also present in the 850 EVO.… 850 EVO TurboWrite SLC Buffer Size 120GB: 3GB 250GB:3GB 500GB:6GB 1TB:12GB
                  +1
                  Сейчас уже практически все производители SSD (по крайней все приличные) в TLC накопителях используют SLC кэш. Т.к. сама по себе современная TLC память ну очень тормозная.Собственно по ссылке с тестами самсунга это хорошо видно — 520 МБ/с в SLC режиме против 150 МБ/с в TLC на том же самом железе (контроллер и чипы памяти).
                  И это еще далеко не худший вариант (850 EVO вообще один из самых быстрых SOHO SSD на рынке) в запущенных случаях в дешевых TLC SSD реальная скорость записи всего около 30-50 МБ/с несмотря на то что запись идет сразу минимум по 4 каналам параллельно. Причем это скорость линейной записи — даже в несколько раз хуже обычных винчестеров.

                  И приходится этот мрак маскировать SLC кэшем, что в типичной пользовательской («домашней») нагрузке обычно спасает ситуацию, т.к. редко когда большой объем данных записывается за раз без перерывов. А в перерыве диск в фоновом режиме перепишет данные из SLC в TLC c низкой скоростью, а SLC сотрет, чтобы он был готов к записи следующей порции данных.
          0
          А как с охлаждением этих бутербродов?
            +1
            Учитывая что контроллер в ssd стремится распределить нагрузку по всем ячейкам равномерно то количество слоев бутерброда на нагрев не влияет сильно т. к. все равно вся нагрузка размазывается по всей поверхности а рассеять 5-10 ватт с поверхности жесткого диска не сложно.
            +3
            А что там слышно про давно анонсированную память 3D XPoint от Интел? Да и на мемристорах давно пора начать делать чудеса.
              +1
              Пока маркетинг не решит, что предыдущее поколоение окупилось — чудес не будет.
                0
                На мемристорах чудеса стоят очень дорого да и не думаю, что на них будет реализована память для классических компьютеров.
                  +1
                  3D XPoint оказалась перебрендированной фазовой памятью (той самой, что много лет назад как прорыв анонсировала Numonyx), ныне двухслойной. Небольшие партии соответствующих SSD-накопителей линейки Optane ожидаются уже в этом году, но только для корпоративного сектора и пока только в форм-факторе DIMM.
                  +1
                  Фото в формате PNG объёмом по несколько мегабайт. У вас все дома? %)

                  (Личные сообщения автор игнорирует.)

                  Только полноправные пользователи могут оставлять комментарии. Войдите, пожалуйста.

                  Самое читаемое