Комментарии 18
PS: Я решил не переводить layout ибо не нашёл хорошего слова.По-русски layout называется «топология». Топология по-английски не называется «topology», а то, что по-английски называется topology, по-русски — «блок-схема» или " принципиальная схема".
Называть топологию topology — это типичная ошибка пишущих по-английски русскоязычных людей.
"вводятся ионные импланты Арсения"
Арсений сегодня взял отгул, вводите Геннадия!
Может, все-таки мышьяк по-русски?
Исправил
А ионные импланты типа Вас не смущают? Это ж всё-таки не про лечение зубов статья. "Производится легирование областей n-карманов мышьяком методом ионной имплантации".
Про технологию в целом написано чудовищным языком. К сожалению, это просто надо переписывать.
Про технологию в целом написано чудовищным языкомПро технологию написано английским языком и дословно переведено на русский без знания профильных терминов. Ставлю на то, что дело в англоязычном образовании автора статьи, я такой русский технический язык неоднократно видел у эмигрантов.
Казалось бы да, но нет. То, что написано в части "разбираемся в слоях" имеет мало общего с релевантной английской терминологией. Как минимум, я не вижу адекватной кальки для "покрыть N полупроводником", "вставляем диффузии типа P и типа N", "где диффузия (diff) соприкасается с PSDM", "вставляется слой поликремния", "поликремний испаряется", "микрочастицы (Что это вообще? Так тип дефектов называют обычно.) вставляются в области". Так можно написать только, если не знать и русскую, и английскую терминологию одновременно. Ну или иметь только практику "рисования", где логично "покрывать", "вставлять" и "соприкасать" полигоны, но никак не понимать сути происходящего с пластиной, и что из себя представляют физические слои представленные слоями дизайна, т.к. каша в маршруте начинается практически с самой первой литографии.
Тут, конечно, есть и вина skywater, т.к. могли бы маршрут свой описать хотя бы схематично. Я уже не говорю о явной провокации с иллюстрацией "Process Stack Diagram", т.к. это ничего общего с STI не имеет, более того, там результат принципиально другого маршрута FEOL изображён, и эта структура ну никак не может образоваться при использовании STI (см. различие по высоте затворного поликремния и на FOX).
Кремниевая подложка изначально легирована до p-типа, в ней уже создается n-карман. Сначала на пластину кладется поликремниевый затвор, потом имплантируются области p+ и n+, называется "техпроцесс с самосовмещением".
Не знаю как в этой технологии, но бывают отдельные сущности p-карман (p-well) и p-подложка (p-substrate). p-подложка - "пустое" пространство на пластине, где будут формироваться карманы. p-well - часто является опцией, в подложке формируется n-карман, в нем формируется p-карман, такой себе КНИ в объеме. Если перепутать p-well и p-sub можно прилететь на дополнительные фотошаблоны и маски, хотя программы физической верификации скорее всего это поймают.
Я тут до конца не понял, что они делают на самом деле. По картинке "Process Stack Diagram" имеются только n-well и p-sub. Никаких p-карманов нет. Да на ней даже STI нет. Но открываем описание приборов и видим совсем другое дело. Всё как у людей.
Раз 1.8V PMOS FET:
Два 1.8V NMOS FET:
Тот "Process Stack Diagram" скорее всего не полный в транзисторной части. Причём слоя p-well может и не быть в дизайне, а карман всё равно сделают :) На этапе преобразования дизайна в масочные слои автоматически его сгенерируют и ФШ закажут. С другой стороны, в перечне масок SKY130 он всё-таки не указан, а на структуре приборов есть :/ Что-то ребята темнят.
Отличная статья! Какая же чудовищная пропасть между коммерческими и открытыми САПР, наверное так же выглядело проектирование микросхем в 90-х на каком-нибудь NeXTcube.
"Какая же чудовищная пропасть между коммерческими и открытыми САПР"
Ну незнаю, не такая и далёкая. Да есть фичи, который отсутвуют, но без них можно жить. А если очень надо, то допилить всегда достаточно легко.
"Рубилитчицы" Intel, 1970.
В прошлом я был программистом, писал бэкенд на Node.js и разрабатывал под микроконтроллеры, но решил пересесть на что-то сложнее, попробовать себя, так сказать.
Сколько по времени это у вас заняло? Переход Node.js -> Разработчик ПЛИС
А какие языки программирования(помимо другого софта) вы используете (иногда я видел в вакансиях Python). Ну и еще вопрос, иногда требуется владение математическим аппаратом — Что под этим подразумевается(то что математика это понятно)))) Спасибо.
Node.js -> Разработчик ПЛИС занял несколько недель. Единственное, что мне было сложно это понять, что в Flip Flop-ах записанные данные появляются только в следующем такте. Остальное было просто и приятно. Особенно в этом помогли книги и статьи по тематике.
А какие языки программирования(помимо другого софта) вы используете (иногда я видел в вакансиях Python).
В основном Tcl/Tk, изредка Python. В ПЛИС и мире разработки микросхем всё в основном на SystemVerilog/Verilog.
Ну и еще вопрос, иногда требуется владение математическим аппаратом — Что под этим подразумевается
Ну булева логика. Плюс понимание многих принципов очень помогает понять, что происходит под капотом. Например считать расстояние от точки до точки, полигоны, их совмещение и так далее. В основном очень нужно знание микроэлектроники: транзисторов резисторов кондесаторов и тд и тп.
Как разработать микросхему, от идеи до результата. Часть 3. Схемотехническое представление и Layout