По сообщениям СМИ и интернет-источников, компания Samsung в течение нескольких недель может заявить о запуске массового производства чипов с применением 3-нанометрового технологического процесса.
Данный процесс предусматривает использование транзисторов с кольцевыми или GAA-затворами (Gate-All-Around). Как утверждают источники, по сравнению с транзисторами FinFET-архитектуры новый процесс обеспечит ряд новых характеристик:
снижение энергопотребления на 50%;
повышение производительности на 30%;
сокращение занимаемой площади на 45 %.
Если это произойдет, южнокорейская компания обойдет своего конкурента в сегменте производства полупроводниковой продукции, а именно, компанию TSMC. Тайваньский разработчик процессоров будет запускать массовый выпуск 3-нанометровых чипов только во второй половине 2022 года.
Кроме этого, появилась новость о разработке 2-нанометрового технологического процесса компанией Samsung, но коммерческое внедрение запланировано не раньше 2025 года. TSMC тоже приступила к созданию 2-нанометрового технологического процесса. Пробное производство компания планирует начать в 2024 году, а массовое производство также в 2025 году.
