Компания Samsung 25 июля провела церемонию, посвящённую началу поставок первой партии своих 3-нм чипов, выполненных с использованием транзисторов GAA. Мероприятие посетили около 100 человек, включая министра торговли, промышленности и энергетики Южной Кореи Чжу Хен Хвана и всех ключевых сотрудников Samsung.
Осваивание нового процесса заняло у компании около пяти лет. Работы начались в 2017 году, в июне 2022 года Samsung запустила серийное производство чипов. По словам представителей Samsung Foundry, технологические препятствия при разработке 3-нм техпроцесса устранили с помощью сотрудничества как с другими подразделениями Samsung, так и производственными и инфраструктурными партнёрами компании.
3-нм чипы Samsung используют технологию транзисторов GAA (Gate All Around), обеспечивающую более эффективное энергопотребление и повышенную производительность в сравнении с уже используемой FinFET. Новое решение будут применять для выпуска процессоров, предназначенных для серверов, дата-центров, а также передовых чипсетов для смартфонов, планшетов, носимых устройств, ноутбуков, настольных компьютеров и другой электроники.
Новый техпроцесс позволил Samsung снизить энергопотребление на 45% и повысить производительность на 23% по сравнению с 5-нм чипами. Сейчас Samsung работает над улучшенной версией техпроцесса, где снижение энергопотребления достигнет 50%, а производительность вырастет ещё сильнее.
Впервые о планах начать разработку микросхем по 3-нм техпроцессу Samsung рассказала ещё в 2018 году. Тогда компания заявила, что уже к 2021 году она начнёт массовое производство электроники по технологии 3 нм. В апреле 2019 года Samsung инвестировала в передовое производство $116 миллиардов и уже январе 2020 года представила первый 3-нм транзистор по архитектуре GAAFET. В апреле 2020 года компания перенесла сроки начала массового производства на 2022 год из-за пандемии коронавируса.
Компания TSMC, основной конкурент Samsung на рынке производства чипов, планирует наладить серийный выпуск 3-нм чипов к концу 2022 года.
