Micron начала поставки 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND TLC. По заявлениям компании, данные чипы обладают самой высокой плотностью на рынке, потому что объём одного кристалла может достигать 1 Тбит. Кроме выросшей плотности новые 232-слойные чипы флеш-памяти 3D NAND TLC будут иметь до двух раз увеличившуюся скорость записи и до 75% увеличившуюся скорость чтения по сравнению с предыдущими поколениями.
По сравнению с предыдущими поколениями уменьшилась и упаковка флеш-памяти: на 28%. Из-за этого в упаковке размером 11,5 × 13,5 мм вполне объединяются до шестнадцати 232-слойных кристаллов флеш-памяти 3D NAND TLC. Таким образом, можно получить чип объёмом 2 Тбайт и размером в три раза меньше SD-карты. Причем при очень плотной компоновке на 1 мм2 можно записать до 14,6 Гбит информации. По словам компании Micron, на один такой чип можно загрузить 340 часов видео в формате 4K.
Производитель чипов продолжает, как и раньше, использовать в новых разработках флеш-памяти собственную технологию CMOS under array (CuA), но уже шестого поколения. Это увеличивает плотность за счёт размещения CMOS под массивом ячеек. Также Micron применяет конструкцию флэш-памяти с двойным стеком: каждый готовый кристалл состоит из двух 116-слойных кристаллов, которые соединенны между собой с помощью процесса, называющегося последовательной укладкой.
В новых чипах Micron впервые применила технологию с шестиплоскостной архитектурой для памяти 3D NAND TLC. В чипах предыдущего поколения компания использовала четырёхплоскостную архитектуру. Переход на шестиплоскостную увеличил скорость передачи данных на 50% (до 2,4 Гбайт/с) по интерфейсу ONFI 5.0, что увеличило пропускную способность кристалла памяти. Плоскость — область кристалла флеш-памяти, отвечающая независимо на запросы ввода-вывода, — очень похожа на то, как каждое ядро центрального процессора выполняет операции параллельно. Поэтому увеличение количества плоскостей увеличивает производительность.
Кроме того, новые 232-слойные чипы флеш-памяти от Micron поддерживает новый интерфейс NV-LPPDR4 с пониженным энергопотреблением. Разработчики заявляют об уменьшении затрат энергии на бит до 30% по сравнению с интерфейсом предыдущего поколения. Но конкретных деталей или примеров от производителя нет. Также нет никакой информации о надёжности новых флеш-чипов памяти.
