Как стать автором
Обновить

Исследователи «Сколтеха» запатентовали метод изготовления графеновых структур для гибкой электроники

Время на прочтение3 мин
Количество просмотров700

Исследователи «Сколтеха» запатентовали метод синтеза графеновых структур, при помощи которого можно создавать функциональные графеновые компоненты произвольной формы со 100-нм разрешением на гибкой прозрачной подложке для изделий гибкой и прозрачной электроники. Благодаря предложенному подходу удаётся избежать образования дефектов, возникающих в общепринятом на сегодня технологическом процессе переноса графена между подложками и приводящими к снижению качества. О технологии Хабру рассказали в пресс-службе университета.

На настоящий момент роль проводника в гибкой прозрачной электронике играют металлические сетки, внедрённые в полимер или стекло. В основном используются медь, серебро и, если говорить о совсем дорогих устройствах, золото и платина. Проблема в том, что, например, в случае металлических сеток, используемых для нагревания стекла, их можно лишь с натяжкой назвать прозрачными. Они неплохо справляются, но всё-таки даже самая тонкая сетка «съедает» где-то треть проходящего через неё света. Графен, обладая очень хорошей электропроводностью, — более прозрачный и менее заметный материал, так как металлические сетки зачастую видны невооруженным глазом. Кроме того, ряд исследований показывает, что графен обладает большей усталостной прочностью при изгибе, чем металлические сетки, а значит он прослужит дольше в качестве гибкого элемента.

Также стоит учитывать, что сырьё для изготовления графена несравнимо дешевле и экологичнее, чем для производства чистых металлов. И графен, в отличие от меди и серебра, не подвержен окислению.

Одна из трудностей на пути к широкому применению графена в гибкой прозрачной электронике связана с проблемой переноса этого материала с временной подложки, на которой производится синтез, на постоянную, которая придаёт ему форму, необходимую для данного устройства. Сейчас для этого используется метод Ленгмюра — Блоджетт, который плохо масштабируется и вносит в графен дефекты, ухудшая его характеристики. Учёные из Сколтеха предложили ему альтернативу.

«Для выращивания графена традиционно используется плоская временная подложка. В методе Ленгмюра — Блоджетт после синтеза её растворяют, и графеновая плёнка остаётся плавать на поверхности жидкости. Под неё подводят постоянную подложку нужной формы, и материал принимает эту форму — как раз в этот момент и происходит деформация листа графена, приводящая к возникновению дефектов», — пояснил один из изобретателей, аспирант «Сколтеха» Алексей Шиверский.

Как указал Сергей Абаимов, другой автор патента, старший преподаватель «Сколтеха»:

«Разработанный в „Сколтехе" метод предполагает, что временная подложка должна соответствовать итоговой форме. Постоянная подложка наносится со стороны графеновой плёнки, после чего временная удаляется. Так как графен осаждается сразу в нужной форме и его не нужно „натягивать“, по научному, драпировать, на конечную подложку, дефектов, например складок, не образуется. При этом за счёт 3D формы исходной подложки достигается существенное расширение возможностей по сравнению с традиционными методами, так как электронные схемы уже необязательно делать плоскими или с формой близкой к плоской, но как угодно сложными в трёхмерном пространстве с разрешением в сотни нанометров».

Также Абаимов уточнил ряд особенностей процесса.

«В патенте раскрывается конкретный оптимальный метод, испытанный в лаборатории: на медной каталитической подложке формируется маска из фотополимера в форме синтезируемой графеновой структуры. Затем подложка покрывается слоем хрома, после чего полимер удаляется и на ней остаётся негативная маска из хрома требуемой нам формы. Почему хром? Потому что он выдерживает высокую температуру синтеза графена и пассивирует его рост в закрытых областях. Однако патент не ограничивался данным методом, но также содержал положения общего характера — как в части описания, так и в формуле, охватывая широкий круг альтернативных подходов».

К удивлению Абаимова, заявку на сложный, многоуровневый патент одобрили сразу, сделав лишь правки технического характера. Он надеется, что работа найдёт широкое применение и обеспечит России передовые технологии в области гибкой и прозрачной электроники.

Теги:
Хабы:
+4
Комментарии1

Другие новости