Комментарии 45
Пропускать максимальный постоянный ток в открытом состоянии — это очень редкий случай. В более общих случаях считается мощность, выделяемая на транзисторе, потом уже по тепловому сопротивлению junction to case и тепловому сопротивлению радиаторов, имеющихся в магазе, рассчитывается конечная температура. И да, я бы не советовал превышать 100 градусов на транзисторах, а лучше 80, поскольку рядом могут находиться провода с плавящейся изоляцией или электролитические конденсаторы. А сам текстолит редко выдерживает более 140, но это уже в зависимости от сорта. Также, советую посмотреть график SOF (safe operation area) для транзистора. Нередко именно этот график ограничивает ток.
Рассеиваемая мощность прямо пропорционально зависит от пропускаемого тока.Эх, прямо на взлёте, и такой косяк. Для полевого транзистора рассеиваимая мощность пропорциональна квадрату тока)
Не всегда. В разных режимах можно иметь разный ток стока, но одинаковое напряжение сток-исток.
Не всегда.Да, не всегда. Указанное правило неприменимо к следующим случаям:
— Транзистор закрыт;
— Транзистор открыт, но не совсем;
— Транзистор неисправен;
— Транзистор не является полевым;
— Транзистор не является транзистором;
— Транзистор находится за горизонтом компактной чёрной дыры, где известные физические принципы не соблюдаются.
Извините, что сразу не уточнил)
А разве проволочки не находятся в жестком компаунде корпуса? Проводил такой эксперимент с жестким перегревом, случайно. Медные ножки у транзистора в TO220 стали жесткими и вскоре обломались заподлицо с корпусом. Но контакт с кристаллом остался.
Во-вторых, наличие компаунда никак не мешает электромиграции и разрушению места контактирования проволочки и вывода кристалла.
Понятно что автор теоретизировал про «сферического коня в вакууме», намного интереснее было бы эксперимент поставить.
Достаточно бесполезная информация в итоге получается, т.к. полевики в 90% случаев управляются с помощью ШИМ на частоте отличной от нуля. В итоге расчет становится куда интереснее и сильно далек от результатов из статьи.Полевики довольно часто применяются как силовые ключи на линии питания, так что почему бы и нет. Только это чаще p-канальные полевики, чем n-канальные.
Достаточно бесполезная информация в итоге получается
не всегда, напрімер в электронной нагрузке транзістор работает в лінейном режіме
Достаточно бесполезная информация в итоге получается, т.к. полевики в 90% случаев управляются с помощью ШИМ на частоте отличной от нуля.
Для полевых транзисторов указывается максимальный пиковый импульс тока, который не приводит к разрушению кристалла. Для этого импульса указывается время его работы. Если в это время укладывается один или несколько полных периодов работы шима — то расчёт можно заметно упростить.
То-есть не учитывать скорость нарастания температуры кристалла при каждом включении транзистора, а просто использовать общую температуру по больнице.
Достаточно бесполезная информация в итоге получается, т.к. полевики в 90% случаев управляются с помощью ШИМ на частоте отличной от нуля. В итоге расчет становится куда интереснее и сильно далек от результатов из статьи.
Возможно, именно потому, что полевики часто применяются для работы в динамическом режиме, с частотой управления, отличной от нуля, информация, про управление ими в статичном режиме, встречается редко. Вот и хотел статьёй заполнить некоторые пробелы.
Она настолько хороша, что я думаю ее как татуировку набить.
а именно – максимальный постоянный ток, который транзистор может через себя пропустить в ключевом режиме,
Так «постоянный» или в «ключевом режиме»? Вы уж определитесь, уважаемый. А вообще в даташитах всё подробно указано, — что, когда и где.
Дайте-ка видео, как этот транзистор держит 12 ампер в течении часа, посмотрю с интересом.
Не мог бы. Не люблю посылать в поисковики, но даже на русском языке миллион туториалов как написать хотя бы простую модель.
Если интересует пример моделей в моем модуле, то их прекрасно можно выдернуть из исходников проекта, в последних статьях я выложил проект в Altium Designer. Модели есть на все силовые компоненты и там же можно запустить симуляцию.
Я открыл ваши исходники и не нашел там ни профиля моделирования, ни модели транзисторов.
Вот все что на уровне транзистор
И BSIM3V3 для транзистора написать можете по даташиту? )
Хотя там есть параметр Junction-to-Foot, допустим, нам интересно именно тепловое сопротивление Junction-to-Ambient, а оно приведено только для времени менее 10 секунд.Там по сноске написано, что тепловое сопротивление для расчетов DC составляет 80°C/W («c. Maximum under Steady State conditions is 80°C/W»)
Из графика видно, что после 1000 секунд, значительный рост теплового сопротивления прекращается, значит для постоянного тока можно ориентироваться на это значение, итого 80 °C/Вт – тепловое сопротивление Junction-to-Ambient.Тепловое сопротивление это константа. На графике приведен рост разности температур Junction-Ambient с течением времени. В установившемся режиме эта разность численно равна тепловому сопротивлению, т.к. используется источник тепла мощностью 1Вт. График построен по математической модели и приведен с целью проиллюстрировать равнозначность последовательной (Partial-fraction/Tank/Foster/Pi) и параллельной (Continued-fraction/Filter/Cauer/T-model/Ladder) эквивалентных моделей теплового сопротивления. Более низкие значения «тепловых сопротивлений» отражают тепловую инерцию модели. При выполнении некоторых допущений эти значения можно использовать в расчетах, забыв про теплоемкость (которая и является причиной «роста теплового сопротивления» на графике).
Для того же SQM50P03-07 в даташите есть SOA, однако, как можно заметить, она приведена для окружающей среды, температурой в 25 °C (не наш случай)В данном случае прямо на графике указана температура корпуса Tc=25°C.
А по поводу первого — да, действительно там указано значение для постоянного тока, просто как обычно, когда нужно, не попался мне транзистор, в котором не было указано тепловое сопротивление для DC. Когда не надо только они и попадаются. А вставил я это просто потому, что хотел показать такой способ оценки теплового сопротивления.
Максимальный постоянный ток через полевой транзистор