Комментарии 31
Спасибо за обзор! Буду рекомендовать студентам.
Миландр ещё вроде какое то количество флешек делает, даже радстойких
И то же ОЗУ для систем с их микроконтроллерами
Кстати, я думал, что они производятся на том же нашем микроне и ангстреме, благо они чуть ли не в соседних зданиях сидят, не задумывался об этом, спасибо, что просветили)
Тогда тот же НИИИС или Модуль, чьи микросхемы с блоками памяти в составе часто в работе используем, тем более скорее всего зарубежом диффузятся. Совсем грустно тогда(
О да, как раз сейчас имею дело с Воронежскими ПЛИСами, очень странная субстанция, дружить их с НИИИСовским процом, Миландровской памятью и 3 разными АЦП от Модуля на отладочной плате это садомазо какое то, у всех разные напряжения логической единицы, разные интерфейсы, разная вообще адекватность))
Зато всё радстойкое
Так-то для ячеек флеш памяти требуется высокое напряжение для записи, только в нормальных микросхемах делают интегральные преобразователи, а тут что-то поленились, или не смогли этот узел сделать стойким, хз… Пусть хотя бы такая будет.
В обычной ситуации на плавающем затворе нет никакого заряда, и он не влияет на работу схемы, но если подать на управляющий затвор высокое напряжение, то напряженности поля будет достаточно для того, чтобы какое-то количество заряда попало в плавающий затвор, откуда ему потом некуда деться – даже если питание чипа отключено! Собственно, именно так и достигается энергонезависимость флэш-памяти – для изменения ее состояния нужно не низкое напряжение, а высокое.
Но заряд со временем всё равно рассасывается. И тут возникает резонный вопрос — а какое реальное безопасное время хранения данных на Flash при отсутствии питания? Вот на «классический» HDD диск записал данные, положил его на полку и через три года без проблем достал и данные считал (за 3 года с магнитными доменами ничего не случится). А что будет с SSD через три года?
Тут на хабре, вроде в этом году, была статья, идея которой в том, что USB флешки нужно периодически оставлять подключенными к ПК — во время простоя МК выполняет техническое обслуживание, которое тестирует блоки памяти и при необходимости замещает их из резервной области, одновременно с этим происходит обновление заряда плавающего затвора, что благотворно отражается на длительности хранения данных.
Я понимаю, это больше вопрос теоретический, так как если техникой периодически пользоваться, то этой проблемы и нет. Но вот под столом я попинаю комп 25-летней давности и если его в розетку включить, то он заработает. А что будет через 20 лет с современным ПК? Ни данных, ни ОС, ни даже EFI?)
Надо рыть сайт производителя приглянувшейся ИМС и искать отчёты о ресурсных испытаниях (в данном случае — retention bake, т.е. время хранения данных при повышенной температуре) и экстраполировать их (уравнение Аррениуса) на интресеующее время и рабочую температуру.
И тут возникает резонный вопрос — а какое реальное безопасное время хранения данных на Flash при отсутствии питания?Чипы NAND Flash обычно специфицируются на хранение информации при комнатной температуре в течение десяти лет.
Тут на хабре, вроде в этом году, была статья, идея которой в том, что USB флешки нужно периодически оставлять подключенными к ПКЭто касается скорости доступа, а не срока сохранения информации.
Про то, что Western Digital — NAND fabless — неверно. WD с приобретением San Disk получила их долю в joint venture с Toshiba. Потом Toshiba из-за долгов со строительством АЭС вознамерилась продать свою часть в этом joint venture, за эту часть разгорелась целая война. В итоге инвест фонды выкупили ту часть и где-то через год продали снова Toshiba и та организовала отдельную компанию Kioxia. То есть WD и Kioxia продолжают делить продукцию с тех же NAND фабрик.
В свете этого мне немного смешно читать о российских SSD контроллерах. Для чего они? Откуда NAND? Тут монстрам Ssd рынка самим не хватает. Или там речь о чем-то многолетней давности со смешной плотностью? Я о том, что кто ж продаст нормальный NAND просто так с завода, если толк от нее только в готовых продуктах с очень хорошей добавленной стоимостью. Можно, конечно, готовые ssd дербанить на микросхемы… Это если там в России военку и космос сильно припрет таким мародерством заниматься. Самим никогда такую фабрику не построить — чудовищно сложные технологии и тысячи внутренних разработок на которые ушли пара десятилетий. Спецы нескольких стран работают на такой памятью даже только для Kioxia-WD фабрик. Там даже Intel на этом поприще выдохлась. Да даже нормальный надежный SSD в России повторить не смогут. Имея опыт работы в России и в Штатах могу абсолютно уверенно это утверждать — ибо тоже куча технологий и ноу-хау. Даже если все украсть (я про всяких там APT хакеров лазиющих где ни попадя), надо еще украсть производства и 50% инженеров, чтоб такое поднять.
Так что есть, куда отечественные контроллеры девать, есть. А про собственные фабрики NAND Flash, разумеется, речи нет. Те, кто занимается бизнесом, а не распилами, обычно довольно реалистично смотрят на мир.
Знала, что есть разная память, но чем отличается или почему используется именно так даже не задумывалась.
PS: на тему конденсаторов в памяти — писал тут, собственно слои в DRAM:
Вообще ситуация с памятью — это такая лакмусовая бумажка импортозамещения. Если собственные процессоры, пусть «второго сорта отечественности» (своей разработки и производства на Тайване) как-то появились, что в части памяти fabless-разработка практически не развита, да и конкурировать там нечем, поэтому в этой части импортозамещение точно не заработает полноценно никак и никогда.
Термин не имеет прямой корреляции с физической структурой, SCM принципиально можно реализовать разными способами — как быстрый банк флэш (Samsung Z-SSD), как PCM (Intel Optane) или даже как DRAM с резервным источником питания.
Вспомнить всё. Разбираемся в полупроводниковой памяти