Как стать автором
Обновить
  • по релевантности
  • по времени
  • по рейтингу

Коротко о новом: Samsung запустила в массовое производство первую в отрасли 3D Vertical NAND флэш-память с вертикальной компоновкой

Блог компании Samsung
Доброй пятницы, Хабр!

На прошлой неделе Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска флэш-памяти с объемной компоновкой 3D Vertical NAND (V-NAND), которая призвана сделать прорыв и обеспечить возможности для дальнейшего уменьшения NAND Flash. Новая 3D V-NAND флэш-память будет использоваться в широком спектре потребительской электроники и корпоративных решений, в том числе, во встроенных NAND и SSD-накопителях.

image
Читать дальше →
Всего голосов 19: ↑16 и ↓3 +13
Просмотры14.5K
Комментарии 4

Samsung запускает производство первой в отрасли флеш-памяти 3D V-NAND, имеющей 32 слоя ячеек памяти

Блог компании Samsung
Добрый день, Хабр!

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли флеш-памяти 3D V- NAND, имеющей в своей объемной структуре 32 вертикально сложенных слоя ячеек памяти.

image
Читать дальше →
Всего голосов 49: ↑47 и ↓2 +45
Просмотры31.2K
Комментарии 55

Samsung выпускает новый SSD-накопитель на основе технологии 3D V-NAND

Блог компании Samsung
Добрый день, Хабр!

В начале месяца компания Samsung Electronics представила новую линейку SSD-накопителей с передовой технологией 3D V-NAND на борту — Samsung 850 PRO. Новинка, представленная на глобальном саммите «SSD 2014» в Сеуле, призвана открыть новое поколение твердотельных дисков.

SSD-накопитель 850 PRO базируется на запатентованной технологии 3D V-NAND компании Samsung, представляющей собой вертикальную трехмерную структуру ячеек памяти и являющейся прорывом в преодолении существующих технологических пределов чипов с двухмерной структурой, используемых в традиционных накопителях.


Читать дальше →
Всего голосов 39: ↑31 и ↓8 +23
Просмотры28.8K
Комментарии 17

Samsung начинает массовый выпуск первых в отрасли модулей памяти DDR4 на базе технологии 3D TSV

Блог компании Samsung
Добрый вечер, Хабр!

Вчера Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли RDIMM памяти стандарта DDR4 емкостью 64 ГБ. Новые модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых, в свою очередь, состоит из четырех кристаллов DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Чипы отличаются низким энергопотреблением и производятся с использованием передового техпроцесса класса 20 нм. Микросхемы собираются в единый стек с помощью новейшего метода по сквозному соединению кристаллов под названием TSV (Through Silicon Via). Новые модули высокой плотности будут играть ключевую роль в дальнейшем развитии сегмента корпоративных серверов и облачных приложений, а также в диверсификации решений для центров обработки данных.


Читать дальше →
Всего голосов 47: ↑45 и ↓2 +43
Просмотры33.1K
Комментарии 18

Samsung начала массовое производство 3,2 ТБ 3D V-NAND SSD-памяти для серверов с интерфейсом NVMe

Блог компании Samsung
Добрый день, Хабр!

Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства твердотельных накопителей 3D V-NAND с интерфейсом NVMe и объемом памяти 3,2 ТБ, предназначенных для использования в высокопроизводительных корпоративных серверных системах hi-end сегмента.


Читать дальше →
Всего голосов 29: ↑27 и ↓2 +25
Просмотры23.7K
Комментарии 10

Samsung представила новую линейку SSD 850 EVO c 3-битными чипами флеш-памяти V-NAND

Блог компании Samsung
Добрый день, Хабр!

Samsung Electronics на днях представила новую линейку твердотельных накопителей 850 EVO, которая пополнила существующий модельный ряд SSD-дисков компании. Накопители созданы на базе технологии флеш-памяти 3D Vertical NAND с 3-битными ячейками и обеспечивают значительный прирост производительности и износостойкости по сравнению с предыдущим поколением. Если раньше подобные решения производились, преимущественно, для нужд корпоративного сегмента, то сейчас Samsung считает, что настало время и для обычных ПК. Новые SSD 850 EVO поступят в продажу в 53 странах Америки, Европы и Азии, начиная уже с этого декабря.
image
Читать дальше →
Всего голосов 9: ↑8 и ↓1 +7
Просмотры11.2K
Комментарии 0

Технология флеш-памяти 3D NAND

Блог компании OCZ Storage SolutionsКомпьютерное железоНакопители
Всем привет! Как вы знаете, современная планарная флеш-память NAND почти исчерпала свой потенциал. Основной её проблемой является то, что уменьшать размеры кристалла становится все труднее. По прогнозам экспертов, 14-15 нм технологические нормы станут пределом планарной флеш-памяти, по крайней мере на ближайшее время. А на смену ей придет технология «вертикальной» флеш-памяти – 3D NAND.

Читать дальше →
Всего голосов 16: ↑16 и ↓0 +16
Просмотры66.3K
Комментарии 14