В английской прессе уже успели связать увиденное с библейскими стихами: «At that time they will see the Son of Man coming in a cloud with power and great glory» (от Луки 21:27) и «For as the lightning comes from the east and flashes to the west, so will be the coming of the Son of man» (от Матвея 24:27).

Так, было отмечено, что 4 Гб памяти — это действительно power (мощь), хотя «the lightning comes from the east and flashes to the west» всё-таки назвали совпадением. Время покаяться и не делать ошибок?

Конечно не стоит принимать данную новость всерьёз — в кремнии в результате использования просвечивающей электронной микроскопии часто появляются тёмные линии, просто в данном случае эти линии смотрятся, как влияние святых.

Компания Spansion, один из самых крупных производителей флэш-памяти, сообщает о начале поставок продуктов новой «линейки» под названием NOR VS. Эта флэш-память специально ориентирована на OEM-производителей, разрабатывающих и выпускающих мобильные телефоны для стран с быстро растущим рынком подобной техники. Россия, кстати, тоже попала в этот список. Наравне с Китаем, Индией и прочими «быстроразвивающимися» странами.

Голландская кампания OOOMS, дизайнеры которой явно раскрепощены «лигалайзом», представила общественности «концептуальные модели» USB-накопителей. Флэшки выполнены из дерева в виде простых сучков и веточек.

Фирмы Intel Corporation и Micron Technology Inc. объявили о завершении разработки новой высокоскоростной технологии для NAND флэш-памяти, пятикратно ускоряющей передачу данных в сравнении с современными образцами. Претворением этой технологии в жизнь занимается созданное двумя компаниями совместное предприятие IM Flash Technologies.

Остальное на Ладошках

А я уже подумал что прогрес остановился…

Главная проблема современных флэшек и SSD-дисков на их основе — слишком короткий срок жизни микросхем. Несмотря на все ухищрения, сейчас одна ячейка выдерживает всего лишь около 10 000 циклов записи-стирания. Из-за недолговечности микросхем невозможно уменьшить размер ячеек и сделать более ёмкую память, потому что при производстве транзисторов с техпроцессом менее 20 нм срок жизни флэш-памяти уменьшится вообще до критических значений.

Именно в этом направлении сейчас работают лучшие умы в R&D-центрах крупнейших компаний из индустрии микроэлектроники. На этой неделе стало известно сразу о двух интересных разработках.

Компания Texas Memory System представила серверную стойку с 64 ТБ высокоскоростной флэш-памяти на борту. Устройство (названия ему вроде как не дали) способно выполнять до 800 тысяч операций ввода-вывода в секунду. Общая пропускная способность стойки — 12 ГБ в секунду. Энергопотребление этого монстра составляет 2,5 кВт.



Составлена стойка из восьми юнитов RamSan-500, каждый с быстродействием около 100 тысяч операций ввода-вывода в секунду и пропускной способностью в 1,5 ГБ в секунду. Такие показатели достигаются еще и наличием от 16 до 64 ГБ DDR-памяти на каждый юнит.

Устройство не только шустрое, но и удобное. Так, массив флэш-накопителей поддерживает горячую замену. При этом, по заявлению Texas Memory System, сохраняется целостность данных, а перестройка массива происходит менее чем за 15 минут.

В качестве областей применения для высокопроизводительного массива, в Texas Memory System видят работу с рендерингом и редактированиее видеоконтента, а также использование для обработки огромных баз данных.

via TGDaily

Как известно, флэш-память имеет весьма ограниченный ресурс циклов чтения и записи. Для тестирования SSD-дисков различных производителей разработано устройство Flash Destroyer (под лицензией Open Source), которое нагружает флэшки до тех пор, пока они не начинают сбоить. Счётчик демонстрирует процесс уничтожения EEPROM в реальном режиме времени.



Практически любой модуль флэш-памяти можно вывести из строя через 1 млн циклов записи. Flash Destroyer работает со скоростью 736 циклов записи и верификации в минуту, так что для прогона 1 млн циклов требуется примерно 22 часа.

Исходные файлы и чертежи для конструирования устройства доступны через Google Code. Его можно самостоятельно спаять или заказать уже готовое за $30.

Около 2х недель назад мы уже показывали вам сервис тестирования скорости флешек.
За это время мы успели протестировать около 1300 флешек.

9 месяцев назад мы уже показывали вам наш бенчмарк для флешек(раз, два, три). Здесь мы постараемся подвести итоги работы сайта usbflashspeed.com.

Вчера Intel и Micron объявили о начале массового производства первых в мире чипов двухбитной (MLC) флэш-памяти ёмкостью 128 Гбит с использованием норм 20-нм техпроцесса.

Чипы 128 Гбит будут продаваться в модулях по восемь штук в компактном форм-факторе на 128 гигабайт. Флэш-карты появятся в продаже во второй половине 2012 года, а SSD-диски из восьми и шестнадцати модулей (1-2 ТБ) — где-то в начале 2013-го.

Крупный тайваньский производитель флэш-памяти Macronix разработал технологию для увеличения срока жизни микросхем флэш-памяти с нынешних 10000 циклов записи до как минимум 100 000 000 циклов записи. Инженеры Macronix говорят, что срок жизни может быть и больше, в районе 1 миллиарда циклов. Для проверки этого нужно несколько месяцев.

Способ продления жизни флэш-памяти — довольно тривиальный, он обсуждался раньше, но до сих пор никто не мог его нормально реализовать. Речь идёт о подогреве микросхем на несколько миллисекунд до температуры 800°С.

В понедельник представители компании «Самсунг электроникс» заявили о начале производства трёхмерных вертикальных микросхем NAND. В чипах флэш-памяти нового типа благодаря структуре из слоёв кремния достигаются лучшие характеристики в сравнении с двумерными чипами; согласно заявлению корейской компании надёжность увеличится в 2—10 раз, а производительность процесса записи — в два раза. Таким образом, «Самсунг» стала первой компанией в мире, запустившей массовое прозводство 3Д-чипов NAND-памяти.

Новая технология будет использоваться в широком круге задач, в том числе и для создания твёрдотельных накопителей объемом от 128 гигабайт до 1 терабайта. Продольная плотность записи новых микросхем составляет 128 бит, и они построены на основе технологии объемной памяти с ловушкой заряда (3D Charge Trap Flash). Обычная Charge Trap Flash впервые была представлена «Самсунгом» ещё в 2006 году.

Количество вертикальных слоёв микросхем достигает 24, но их толщина измеряется нанометрами, поэтому даже в микрометровом масштабе утолщение не будет заметно. Эксперты отмечают, что пределы количества слоёв пока неизвестны: сегодня это 24, в следующем поколении будет 32, а затем и это число увеличится.

Многие современные технологии мы уже привыкли воспринимать как должное, не особо задумываясь, как они работают, что за ними стоит, какова история их развития. Касается это в том числе и компьютеров. Я уже писал об истории развития технологий хранения данных, наглядно показывающую эволюцию в этой отрасли. На этот раз я решил рассказать подробней про одну из технологий, активно используемых компанией LSI, про твердотельную, или SSD (Solid State Drive) память.

Аннотация

Анализ ошибок и технических сбоев — традиционно наименее раскрытая и наиболее интересная тема, которая как раз и показывает, насколько удачная была инженерная идея. Построив некоторое время назад сервер NAS из старого железа, мы начинаем анализ происходивших с ним отказов. В этой статье речь пойдет об отказах из-за загрузочной флэшки и их вероятных причинах. Даны рекомендации по выбору флэш-памяти. Отчасти применимо и к другим встраиваемым системам, например, бытовым видеорегистраторам.

Еще один NAS своими руками, часть 2: хорошие воспоминания*

*Рекламный слоган одного известного производителя памяти звучит «Good memories start here».

Практически все специалисты рекомендуют при выборе загрузочной флэшки не экономить и не использовать популярный бренд noname. Несмотря на корневую файловую систему FreeNAS версии 9 в режиме read-only, потребительские USB-флэшки компактного дизайна за полгода отказывали дважды, в обоих случаях примерно спустя пару месяцев эксплуатации. Причем оба использованных бренда, по мнению некоторых опрошенных представителей отрасли, вполне адекватные и уважаемые, в поставке откровенного брака незамеченные.


На фото: два вполне адекватных представителя крохотных флэшек на 8Гб и 16Гб

В чем же дело? Бесконечен ли ресурс чтения флэш-памяти? Попробуем разобраться.

Ранее мы рассматривали закон Мура применительно к конкуренции между Intel и IBM. Сегодня мы решили обратить внимание на сферу хранения данных и проанализировали заметку Wired.

Сегодня мы решили проанализировать заметку Рона Уилсона (Ron Wilson), который работает в компании Altea. Рон поделился своим мнением о том, как развитие флеш-памяти может изменить структуру ЦОД.

Пройдённый путь приближается к дистанции марафонского забега

Команда НАСА переформатировала постоянное запоминающее устройство марсохода «Оппортьюнити» после трёх месяцев, в течение которых приходилось обходиться хранением данных только в энергозависимой оперативной памяти.

20 марта было получено подтверждение, что процедура переформатирования прошла успешно. До этого в этом месяце марсоход переключился на использование обновлённой версии программного обеспечения, которая избегает использования проблемного седьмого банка памяти на борту аппарата.

Флэш-память износилась и не даёт нормально работать

После более, чем десятилетия на поверхности красной планеты, электронные элементы памяти марсохода «Оппортьюнити» деградируют — этот процесс хорошо знаком многим владельцам флэшек. Неисправности начались ещё полгода назад, и теперь в НАСА собираются обновить софт для учёта износа «железа».

В некоторые ячейки флэш-памяти записывать информацию уже невозможно. Это приводит к тому, что операционная система теряет данные и постоянно перезагружается, что затрудняет какую-либо научную работу. Информация теряется потому, что телеметрия и команды с Земли вынужденно хранятся в энергозависимой памяти, и когда ровер уходит в спящий режим для сохранения энергии батарей, она отключается.

Марсоход Opportunity продолжает бороздить поверхность Красной планеты, исправно отсылая собранную информацию в NASA. Сложно поверить, но через месяц пойдёт 12-й год его непрерывной работы!

По истечении такого срока эксплуатации неизбежно должны были возникнуть технические неполадки. Так оно и вышло, причём самым уязвимым элементом марсохода стала флэш-память. В октябре этого года флэш-память Opportunity даже пришлось отформатировать.

После форматирования ситуация не улучшилась. Бортовой компьютер многократно перезагружался, а инженеры перевели марсоход в режим работы без использования флэш-памяти. В таком режиме робот может частично функционировать, собирать научные данные и передвигаться, хотя и не способен сохранять информацию во время ночного сна.

Хорошая новость в том, что инженеры намерены всё-таки восстановить флэш-память.