Как стать автором
Обновить
37
0
Буров Роман @RomanSansay

Информационные системы и технологии

Отправить сообщение
Это автомобильная плата и там полевик используется по сути как реле. Через него работает электромотор. Но токи там при нормальной работе меньше 10 Ампер. Интересно, что я хотел показать вам сам саму сборку, кристалл, технологию HEXFET, а не концентрировать внимание на поломке. Про поломку я писал с целью логически объяснить откуда у меня такая микросхема взялась. Ведь это очень повезло, что он так треснул и обнажил кристалл.
Мы опираемся на документацию от производителя. А если и там цифры на много завышают, то вообще не разберешься где правда, а где вымысел.
Он сгорел по причине замыкания через него, было нарушения его режима работы. Поэтому не возникает такого вопроса.
Чуть выше ответил. Формально все те же 1000Х. Но с учетом обрезки фото большого разрешения может быть чуть больше.
Это микроскоп ломо. У него максимальное приближение если формально по линзам — 1000х. В качестве подсветки галогеновая лампочка на 100 Ватт. А фотографировал на камеру телефона. Меня не покидает чувство, что можно было получить снимки более высокого качества, но пока не получается.
Да, наверное картинка относится к более ранней технологии hexfet. И затвор правильно конечно.
Речь в статье идет о памяти DDR SDRAM, а у Ангстрема другой тип памяти. В общем это было лишним в статье. Убрал.
Это прямо тема для отдельной статьи. Сборка микросхемы включает в себя много этапов — отбраковка чипов на пластине по электропараметрам, возможно утонение, резка пластин, выборка чипов, наклейка, внешний вид, сушка, разварка, корпусирование, проверка. Возможно еще какие-то этапы. На каждом этапе есть подготовка к основной операции.
Некачественная работа на любом этапе может запросто привести к браку, а это убытки. А брак имеет свойство появляться даже там, где его нее ждешь.
Если взять разварку. Да, машина варит перемычки, но у нее идет износ иглы для разварки и её надо менять через некоторое количество сварок. Сломать иглу также не трудно. Проволока закончилась — вставляешь новую, а её толщина бывает 20мкм, 25мкм, 30мкм и т.д. то есть тоньше волоса. Проволока от партии к партии меняется по составу, какой бы одинаковой она не была, требуется подстройка параметров сварки.
А еще каждая установка со своими «странностями» и глюками.
Много могу писать, но идея такая, что корпусирование ИМС это кропотливый процесс, где подводных камней как в горной реке. Вот что я имел ввиду под рутиной.
Спасибо. Схема китайская, спецификации нет в открытом доступе. Может только на китайском есть.
На то, что она горячая указывают косвенные признаки, например, питание от двух ШИМ данной схемы (1.2 и 3.3 вольта, но на 3.3в еще пару микрух сидят), а при малом потреблении ставят обычные стабилизаторы, и наличие теплораспределительной площадки на плате под самой микросхемой.
Персульфат аммония взял, завтра попробую что получится.
А может там и есть UBM. При таких размерах я не могу определить есть ли там слои металлов или нет. Спектральный анализ нужен. фото имеет 1000х увеличение. При таком приближении мир выглядит совсем по-другому.На фото видно очертания открытой площадки для смачивания шариком, а вот есть ли там что нибудь или нет, это такие интимные места, что узнавать наверное не у кого.
.
Убрал пока статью, на которую ты написал эту ответную статью, потому что там нашел в ней большую ошибку, а началось все с малого и обсуждения сути потери контакта шариком. Я решил заточить один кристалл видеокарты и найти там UBM слои и увидеть как они подключаются: напрямую к топологии или через проводники на расстоянии. Увиденное меня крайне озадачило, потому что там не было UBM, хотя я был уверен что он там есть.

Площадка сама по сути является топологией кристалла. Материал проводников и площадки — медь. Для предотвращения окисления кристалл покрывается слоем пассивации. А открытый участок меди, на который сажается припойный шарик, покрывается золотом для защиты от коррозии. Там нет UBM, хотя я писал, что есть. Теперь надо переосмыслить процессы, приводящие к отвалу и подкорректировать статью.
Не ремонт это. Ремонт это когда заказываешь микросхему в упаковке аналогичную, под инфракрасную станцию — выпаиваешь старую, впаиваешь новую. Вот ремонт. А погреть… я тоже грел, на чуть чуть хватило
Я не могу запретить вам это делать, делайте на свой страх и риск. Если соберешься это делать, то я не хочу брать на себя вину за твое здоровье, потому что советовал это делать.
Не получишь ты 3 месяца работы, тем более из духовки. И еще надышишься текстолита.
1. Из датащита: Software selectable 2.5 \ 3.2 \ 4.2 VREFOUT as bias voltage for analog input.
2. Programmable +10\+20\+30 dB boost gain for analog microphone. Вот это выбирается в драйвере звукового уст-ва точно. Так предполагаю они взаимосвязаны.

Также посчитал, что период удара сердца на графике составляет 1\12 секунды. То есть частота ударов сердца, если их соединить, составит 12 Гц. На частоте 10 Гц у АЦП усиление составляет -3dB. Если перевести в разы, то сигнал на этой частоте умножается на 0.78. То есть при входящем напряжении в 1 вольт у нас запишется амплитуда 0.78 вольт, что считаю не критичным.

Фух, как трудно общаться через переписку. На словах куда удобнее объяснять, а так каждое слово приходится обдумывать.
При частоте в 44 кГц частота Найквиста 22 кГц по теории. Не знаю как на практике.
Про напряжение на входе микрофона размышления были такие:
У нас выставляется в драйвере опорное напряжение на микрофон 2.5 \ 3.2 \ 4.2 В. Относительно этого напряжения и происходят колебания в плюс и в минус. Я выставлял 2.5 вольт на звуке, на устройстве своем тоже 2.5 вольт. А размах у меня шел rail-to-rail и ограничивался питающим напряжением. У второго усилителя до +5 вольт на выходе по идее должно было быть. Я предполагал звуковой чип должен оцифровывать диапазон от 0 до 5 вольт и давал ему этот диапазон. Может я еще чего не понимаю, но со звуком ничего не случилось, возможно потому, что мощность сигнала слабая.
Изображения не растягивал. Это хабр. Так изображения маленькие и большие аккуратные были, а он растянул. Про задавать размеры не подумал, попробую отредактировать завтра статью.
Вот источник данного материала.
edn.com/design/integrated-circuit-design/4440402/Aspects-of-IC-power-dissipation
Статья свежая, перевел, отредактировал, обсудил на форуме.
На русском искал, но находил не то, что хотел.
Огромное спасибо, то, что долго искал и не мог найти
1

Информация

В рейтинге
Не участвует
Откуда
Воронеж, Воронежская обл., Россия
Дата рождения
Зарегистрирован
Активность