Comments 31
UFO just landed and posted this here
Обратного и не утверждается, но до настоящего времени микропроцессоры развиваются согласно предсказанию Мура.
UFO just landed and posted this here
Неверно? Разве динамика изменилась?
Честно говоря между «будет удваиваться» (удваивается) и «должно удваиваться» есть достаточно большая разница. И хотя закон все еще действует, закон не всегда действовал строго. Были периоды, когда рост замедлялся, были — когда ускорялся.
В английской версии вики есть отсылка на прогнозы, что после 2013 года произойдет замедление темпа роста.
В английской версии вики есть отсылка на прогнозы, что после 2013 года произойдет замедление темпа роста.
Уже писал в комментариях к другой статье (http://habrahabr.ru/blogs/hardware/136414/#comment_4538065)
При увеличении плотности (кол-ва бит на квадратный дюйм) неизбежно уменьшается время жизни данных
Описанное в статье, несомненно, прорыв, только до применения пройдёт минимум года два исследований, а устройства, которые выйдут на рынок, будут с менее запредельными параметрами и будут по характеристикам существенно ближе к нынешним, чем к теоретическим и лабораторным.
При увеличении плотности (кол-ва бит на квадратный дюйм) неизбежно уменьшается время жизни данных
Описанное в статье, несомненно, прорыв, только до применения пройдёт минимум года два исследований, а устройства, которые выйдут на рынок, будут с менее запредельными параметрами и будут по характеристикам существенно ближе к нынешним, чем к теоретическим и лабораторным.
Автора изобретения намного пессимистичнее, говорят о 20 годах, если получится. Хочу напомнить, что пока они сделали один бит из 12 атомов, даже не один байт.
Я дал минимальную оценку, то есть раньше чего не стоит даже думать об этом.
А почему такая маленькая оценка? За последнее время период перехода от лабораторных экспериментов к промышленному производству с десятилетий до годов/месяцев и постепенно сокращается. Плюс ко всему кто-то обещал где-то в период 2012-2020 революционный скачек технологий (технологическая сингулярность)
А почему такая маленькая оценка? За последнее время период перехода от лабораторных экспериментов к промышленному производству с десятилетий до годов/месяцев и постепенно сокращается. Плюс ко всему кто-то обещал где-то в период 2012-2020 революционный скачек технологий (технологическая сингулярность)
Я разговаривал с одним из авторов, он не надеется, что и через 20 лет произойдет промышленное внедрение этого устройства. Патент-то уже есть, но технологические проблемы там абсолютно другого масштаба, чем текущие. Даже охлаждение до 1 Кельвина — простая задача по сравнению с подавлением вибраций. Все известные мне лабы с СТМ находятся в специальных зданиях.
Лично я не могу представить как будут развиваться технологии даже через 10 лет, не то что через 20.
Ждём 20 лет и смотрим что будет ^_^
Ждём 20 лет и смотрим что будет ^_^
Вы не поверите, но в полупроводниковой индустрии (это там, где экспоненциальный рост и все такое) в 2001 году отлично представляли себе, что нужно сделать к 2011 году и какие будут сложности
Вот ITRS 2001 по милому моему сердцу front-end процессу.
Практически все в индустрии за последние 10 лет происходило по этому плану.
Так что люди, которые занимаются технологией себе все довольно ясно представляют.
Вот ITRS 2001 по милому моему сердцу front-end процессу.
Практически все в индустрии за последние 10 лет происходило по этому плану.
Так что люди, которые занимаются технологией себе все довольно ясно представляют.
«только до применения пройдёт минимум года два исследований, а устройства, которые выйдут на рынок, будут с менее запредельными параметрами и будут по характеристикам существенно ближе к нынешним» — вы описали экспоненциальный график развития существующих технологий.
И тем забавнее приставка «только».
30 лет такого «только» и технологическая сингулярность постучится в ваш дом под прикрытием миксера с бутербродницей.
И тем забавнее приставка «только».
30 лет такого «только» и технологическая сингулярность постучится в ваш дом под прикрытием миксера с бутербродницей.
В статье не раскрыта серьёзная и важная проблема, а именно неустойчивость сканнирующего туннельного микроскопа к вибрации. Один из авторов эксперимента строит специальную лабораторию под такой микроскоп — отдельное здание, имеет специальный фундамент, с дополнительными тоннами бетона, для виброустойчивости.
Осталось начать массовое производство СТМ. :)
> Hitachi подсчитали, что их жесткий диск использует в среднем около 800 000 атомов для хранения одного бита информации… простым математическим действием мы получаем результат, в котором 8 Гб флешка использует примерно 69 квадриллионов атомов.
zomg, если Вы пишете о памяти, то хотя бы потрудитесь разузнать, как физически бит на жестком диске отличается от flash cell transistor, например, floating gate…
zomg, если Вы пишете о памяти, то хотя бы потрудитесь разузнать, как физически бит на жестком диске отличается от flash cell transistor, например, floating gate…
Это влияет на количество атомов хранящих единицу информации?
Да, поскольку у HDD и у флешки различные принципы хранения информации, то, соответственно, и количество атомов, занятых хранением одного бита информации, будет существенно различаться.
Еще как!
Если не считать структуру и управляющие элементы, то в современной flash информация хранится в виде зарядов в поликремнии (или на дефектах), так вот в одной ячейке этих разрядов немного, менее 100.
А вся активная область состоит из примерно 500.000 атомов. И, кстати, в такой ячейке хранится 3 бита информации. При комнатной температуре. Если считать с контактами и control gate, то, конечно, больше, но ведь IBM тоже забыли посчитать атомы иглы СТМ, с помощью которой они снимают данные.
Если же считать для памяти, которая появится на рынке в ближайшие годы и уже работает в лаборатории (в ней заряды будут храниться на дефектах, числом менее 20), а весь размер активной зоны будет около 50000 атомных размеров.
Но, если говорить об «атомах хранящих бит» — то их будет около 10. И это при комнатной температуре.
Так что сравнивать магнитную память и flash по «количеству атомов, хранящих бит» это примерно как мягкое с холодным.
Если не считать структуру и управляющие элементы, то в современной flash информация хранится в виде зарядов в поликремнии (или на дефектах), так вот в одной ячейке этих разрядов немного, менее 100.
А вся активная область состоит из примерно 500.000 атомов. И, кстати, в такой ячейке хранится 3 бита информации. При комнатной температуре. Если считать с контактами и control gate, то, конечно, больше, но ведь IBM тоже забыли посчитать атомы иглы СТМ, с помощью которой они снимают данные.
Если же считать для памяти, которая появится на рынке в ближайшие годы и уже работает в лаборатории (в ней заряды будут храниться на дефектах, числом менее 20), а весь размер активной зоны будет около 50000 атомных размеров.
Но, если говорить об «атомах хранящих бит» — то их будет около 10. И это при комнатной температуре.
Так что сравнивать магнитную память и flash по «количеству атомов, хранящих бит» это примерно как мягкое с холодным.
Атомы иглы СТМ не хранят информацию, поэтому для одного бита информации необходимы как раз 12 атомов железа. Насколько я понял, IBM не собирается делать память на этом эффект. Пока. Интересно было найти границу возможного.
Тогда в современной флеш памяти (которая еще не в серии, но прекрасно работает в лаборатории при комнатной температуре) «атомов хранящих бит» — примерно 20-30. (все остальное — это для считывания).
Учитывая, что на основе такой ячейки можно сделать 3-х битный MLC, получается примерно 6-10 атомов на бит.
Так что никакого «прорыва» особо нет. Просто в IBM, похоже полюбили простенький PR на играх с STM с тех самых пор.
Учитывая, что на основе такой ячейки можно сделать 3-х битный MLC, получается примерно 6-10 атомов на бит.
Так что никакого «прорыва» особо нет. Просто в IBM, похоже полюбили простенький PR на играх с STM с тех самых пор.
А ссылочкой не поделитесь на эту лабораторную флеш-память? Уж что-то очень мало атомов надо.
Прорыв всё-таки есть — используют не ферромагнит, а антиферромагнит. Это означает, что не нужен заботится о stray field, которое как раз и является проблемой для современных хардов.
Прорыв всё-таки есть — используют не ферромагнит, а антиферромагнит. Это означает, что не нужен заботится о stray field, которое как раз и является проблемой для современных хардов.
en.wikipedia.org/wiki/SONOS
Правда статья сильно устаревшая. Ссылку на реальные документы дать не могу — их в открытом доступе просто нет, но принцип тот же.
Те ловушки, которые имеются в виду — маленькие (например, просто хитрой формы вакансия). Заряды хранятся именно на ловушках, так что если считать только их, то получается совсем мало…
Правда статья сильно устаревшая. Ссылку на реальные документы дать не могу — их в открытом доступе просто нет, но принцип тот же.
Те ловушки, которые имеются в виду — маленькие (например, просто хитрой формы вакансия). Заряды хранятся именно на ловушках, так что если считать только их, то получается совсем мало…
Спасибо за ссылку, очень интересно! Если я правильно понимаю, то бит в данной конфигурации — это заряд на нитриде кремния, которого 50 ангстрем, что будет минимум десятки атомов только по высоте. Думаю, нечестно считать только вакансии, у IBM реально было только 12 атомов.
Статьи в журналах есть про свежие наработки? Платные тоже ОК.
Статьи в журналах есть про свежие наработки? Платные тоже ОК.
Нитрид-то толстый (хотя, конечно, его толщина может быть и сильно меньше), но: нитрид — диэлектрик. В нем нет свободных зарядов вообще.
Они сидят на ловушках, которые суть точеные дефекты. И которых мало.
Так что если считать пресловутые «атомы, хранящие заряд», то их до сотни.
Не думаю, что что-то серьезное публикуют. Безопасность и все такое
Вот презентация довольно свежая, но по старому материалу.
www.ieee-jp.org/japancouncil/chapter/ED-15/2010/DL-talk_TIT_Oct_2010.pdf
Рекомендую посмотреть на страницу 7 — the next big thing: располагать 16 ячеек (вертикально) на той же площади, где (при хорошей литографии) можно воткнуть 3-4
Они сидят на ловушках, которые суть точеные дефекты. И которых мало.
Так что если считать пресловутые «атомы, хранящие заряд», то их до сотни.
Не думаю, что что-то серьезное публикуют. Безопасность и все такое
Вот презентация довольно свежая, но по старому материалу.
www.ieee-jp.org/japancouncil/chapter/ED-15/2010/DL-talk_TIT_Oct_2010.pdf
Рекомендую посмотреть на страницу 7 — the next big thing: располагать 16 ячеек (вертикально) на той же площади, где (при хорошей литографии) можно воткнуть 3-4
По тексту 800 000 против 12 = 66 тысяч раз. На картинке почему-то всего 100 раз.
Sign up to leave a comment.
1 бит на 12 атомах