Вчера Intel и Micron объявили о начале массового производства первых в мире чипов двухбитной (MLC) флэш-памяти ёмкостью 128 Гбит с использованием норм 20-нм техпроцесса.
Чипы 128 Гбит будут продаваться в модулях по восемь штук в компактном форм-факторе на 128 гигабайт. Флэш-карты появятся в продаже во второй половине 2012 года, а SSD-диски из восьми и шестнадцати модулей (1-2 ТБ) — где-то в начале 2013-го.
Хотя 128-гигабитные чипы выпускались и раньше, но переход на новый техпроцесс 20 нм означает снижение цены, более компактные размеры и меньшее энергопотребление. В частности, такие флэш-модули на 30% меньше по размеру, чем доступные сейчас на рынке модули аналогичной ёмкости, изготовленные по техпроцессу 25 нм.
Но самое главное, что новые флэш-карты будут поддерживать стандарт ONFI 3.0 и шину на частоте 333 млн передач в секунду (MT/s). Такая производительность особенно важна для SSD, ведь там «бутылочным горлышком» зачастую является именно интерфейс между SSD-контроллером и самой флэш-памятью, а теперь этот интерфейс сможет повысить, например, скорость последовательного чтения ровно в два раза по сравнению с самыми быстрыми современными SSD-дисками (в изготовленных по техпроцессу 25 нм частота составляет 166 MT/s).
Правда, эксперты с AnandTech огорчают, что из-за увеличения размера страницы памяти с 8 КБ до 16 КБ придётся разрабатывать новые контроллеры, так что мы ещё нескоро увидим более быстрые SSD-диски, вероятно, не раньше 2013 года.
Интересно, что в продаже до сих пор не появились флэш-карты на NAND-модулях по 64 Гбита (20 нм), их анонсировали в апреле и сделают только в январе 2012 года. Но они будут на старой шине ONFI 2.x (200 MT/s).
К сожалению, с переходом на новый техпроцесс надёжность флэш-памяти остаётся примерно на прежнем уровне: около 3000-5000 циклов записи для каждой ячейки. Но зато с миниатюризацией производства цены на флэшки скоро упадут ниже доллара за гигабайт.
