Китайский институт микроэлектроники создал 22нм транзисторы

[alexshock]

130нм — 120 млн евро
90нм — 27 млн евро
не понял, куда она экспоненциально растёт…

[BarsMonster]

Покупки были в разное время, и не все из них были удачными :-)

[VikentiyR]

А у нас Сколково и Олимпиада(

А так я рад что технологии не стоят на месте.
Судя по публикациям сейчас каждый нанометр с трудом даётся.

[BarsMonster]

Да, сейчас не то что каждый нанометр — атомы в штуках считать уже можно.

[theschmidts]

Да, на картинках для FinFETов (Интеловских, например) атомные слои можно посчитать вручную (если делать нечего).
Хотя сам занимаюсь, но не устаю удивляться: как это все можно (контролируемо) создать, в огромных количествах, и чтобы оно еще работало. :)

[SADKO]

Транзистор создать, не тех процесс отладить.
Цены на светочувствительные CMOS матрицы растут экспоненциально их размерам, хотя тех процесс куда уж толще.
Единичный элемент создать, много ума не надо, а intel из таких элементов процессоры делает, и пусть обходится не без отбраковки, урезания, но всё-же их тонкий тех процесс, ещё и экономически выгодней процессов конкурентов.

[Fragster]

Здесь 22нм весь транзистор, у интела — реальный размер транзистора в несколько раз больше, 22нм размер самого маленького элемента (из-за происков маркетологов, которые любят «быстрее выше сильнее»). ЕМНИП, конечно.

[yurav]

Тут вопрос этот «22нм весь транзистор» существует в единственном экземпляре, или всё-таки воспроизводим серийно. Технологии уже давным-давно позволяют сделать не только 22нм, но и гораздо меньше, если речь идет о единичных транзисторах, или если цена не имеет значения. Интересно, как у китайских ученых с себестоимостью и серийностью дело обстоит…

[sielover]

Я бы отметил, что 0,543 нм — это параметр кристаллической решетки кремния, которая у него алмазноо типа. А реальное расстояние между атомами 0,23 нм, что тоже несложно заметить по масштабу фотографий.

[BarsMonster]

Да, вы правы, убрал это.

[agnostik]

Няня я у них поел

[theschmidts]

Только вот дислокации (которые эти самые «искусственно созданные дефекты кристаллической решетки») — они не для сжатия кремния в канале, а для его растяжения — для увеличения подвижности электронов в NMOS напряжение сжатия не нужно (как для дырок PMOS, например).
Метод называется SMT Интел его уже давно использует, для мобильных устройств такие транзисторы на подходят — токи утечки большие, поэтому IBM и примкнувшие к ним foundry такую технологию не используют, хотя мы ее проверяли и в производстве она как раз проста.

Молодцы, конечно, китайцы, но это все а) упертое старье, б) до технологии от одного транзистора еще очень далеко, а от технологии до чипа еще дальше… Но сам факт того, что они получили что-то, что было cutting age лет 6-7 назад — довольно серьезно.

[BarsMonster]

«Мы её проверяли в производстве» — это кто, если не секрет? :-)

[theschmidts]

Одна корейская компания. Мой теперешний начальник сотоварищи пару лет назад на IEDM про SMT выступал. Идея хорошая, но не для мобильных чипов.

[Flammar]

Эти дефекты в кремнии — они 1) долго продержатся? 2) не переместятся?

[BarsMonster]

Они навсегда, и никуда не денутся (по крайней мере если не греть до 800 градусов).

[Linloil]

Снимок получен электронным микроскопом? Я так понимаю в фотонный микроскоп отдельные атомы не увидеть

[Megas]

В фотонный конечно же не увидеть. Скорей всего фотография сделана с помощью СЭМ.

[BarsMonster]

В «фотонный» микроскоп это можно увидеть, только это должно быть гамма или рентгеновское излучение :-)
В общем да, электронный.

[theschmidts]

Это обычный cross-section TEM высокого разрешения.

[micbsv]

>Возможно в будущем технологии придется покупать уже у Китая.

Я думаю, что пока Китай гонится за миниатюризацией, в недрах Интела разрабатывается что-нибудь нейронно-оптическое.