![](https://habrastorage.org/getpro/habr/olpictures/16d/42a/bca/16d42abcac5dcce316574ea12af7e068.gif)
Трековая память состоит из магнитного нановолокна U-формы и двух магнитных головок для считывания и записи данных. Информация хранится в доменах, которые перемещаются по нановолокну. Из подобных U-структур можно штамповать высокоёмкие модули памяти. Похожие принципы хранения данных предлагали инженеры ещё 60-70-х гг прошлого века, но только с переходом на наноуровень стало возможным качественно улучшить характеристики.
Благодаря этой технологии вполне реальной становится возможность создать дешёвую энергонезависимую память, которая будет на порядки превосходить существующую по плотности и скорости работы. Идея создания такой памяти принадлежит одному из ведущих исследователей IBM Стюарту Паркину, который запатентовал её более четырёх лет назад (патент США № 6,834,005). С тех пор Паркин и ведёт разработки в специально оборудованной лаборатории IBM (фото).