Comments 83
Интересно, а с какой целью Вы взялись за сей проект? Просто интерес или для каких-то практических целей?
в роликах многие вопросы освещены
Ну вот, зашёл почитать называется :(. На тытрубе комментарии к видео бывают подробней, чем у вас статья.
Нет там никакого рентгена. Самое рентгеноопасное в напыление — электроннолучевое, и даже там несколько кэв, смотровое стекло отфильтрует. А вот что интересно, так это ВАХ магнетронов: в ней есть участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, а значит, вроде как, должна быть генерация (как в генерирующих диодах, или лампах), не в рентгене, как мне кажется, а более длинноволновое, никто из присутствующих частотомером в напылительную установку не тыкал?
Какой-то у вас неправильный магнетрон. Где центральный магнит? В Элькуте или Максвеле его моделировали?
А для того чтобы сформировался нанослой, например какого либо металла на подложке, требуется сначала хорошенько атаковать металл электронами.
Зачем? Точно не ионами инертного газа?
В установках магнетронного распыления магнитная ловушка действительно нужна для локализации электронов, а если точнее для увеличения траектории электронов. Для того, чтобы образовалась электронная лавина, за время между столкновениями электрон должен успеть набрать доствточно энергии, для осуществления ионизации подвернувшегося атома. Но при низких давлениях, электрое может долететь до анода и ни с кем не столкнуться, поэтому создают скрещенные магнитные и электрические поля, чтобы заставить электрон двигаться по спирали и испытать достаточное кол-во столкновений для поддержания плазмы. Но самое важное, что распыляемая мишень является катодом, а материал мишени выбивается ионами рабочего газа (практически всегда аргона).
— а сколько у вас давление газовой среды под колпаком?
считали, привязывали к средней длине свободного пробега электрона?
мне кажется такой магнетрон, как у Вас не пойдёт, вернее в такой конфигурации
Надо же продольное магнитное поле, параллельное электрическому полю между катодом и анодом.
Мне кажется много.
На ХГНВД (Азот, гелий, смесь) макс 40 паскалей
ХГННД Сжатый воздух-10 паскалей
с этим как раз трудности…
а Вы попробуйте наружную и внутренние юбки (это «силовой» каркас) и наполнитель м/у ними.
Ну и опора (стол) должен быть, соответственно непроницаем и шлифован наверное.
Температур -/+ экстремальных у вас нет.
удалось получить около 20 П
Геттер и прочие причуды химического вакуумирования не пробовали?
Эффект вакуумной бомбы (тепло)?
Я теплом бутылки закупориваю( главное не переборщить, а то съедает пробуку бутылка)
Спросите в Бауманке на Э8.1 (или 2) не помню.
Раньше «Плазменные энергетические установки» была специальность.
Там помогут, разъяснят. Я уже всё позабыл.
Адекватный был народ, думаю и остался
«штурмовать» глубину конечно можно попробовать.
Геттеры, используют для других случаев: на один раз — для запаянных объёмов
бредовая идея (моя), если капсулу с гетером использовать как подставку/подложку, фиксатор для образца которому предстоят страдания в плазме?
Всё равно надо снимать/вынимать
:(
вообще-то спасибо автору за статью, интерес по вакууму появился.
Пойду почитаю, м.б. в быту использую
считаю цилиндрическую камеру из трубы с боковым фланцем
самое прочное тело всё же сфера, путь даже полусфера присобаченная на цилиндр.
Ну и + всякие тонкости о площади поверхности и объёме
т.к. у него стекло-думаю прочное важно, прозрачное тоже.
Так же эмиссия электронов (атомов) у стекла в вакууме меньше, чем у металлов (мне помнится так, хотя могу ошибаться, но вакуумные лампы корпус стекло (а не металл) и не цилиндр торцованный, а именно почти такой жекак в эксперименте.
+
Когда на стекло падают медленные электроны, стекло заряжается отрицательно, а при падении быстрых происходит эмиссия вторичных «е» из стекла, и стекло заряжается положительно= в этом случае положительный заряд стекла даст поле, которое «отсасывает» электроны из газа на стенки
вы неправы сразу по нескольким пунктам их предпосылкам и выводам из них.
ну да…
Я на плазменные энергетические установки проучился всего 3,5 года.Потом «ушёл в ракеты», посему по плазме всегда пишу «По моему мнению», " я предполагаю"
Но наш диалог уже уходит в сторону за рамки
не согласен. не вижу ничего плохого, если обсуждается конкретика и интересная( и смелая) поделка собственными руками.
Мы же не про грамотность или политику завели разговор?
А посты про космос и корабли вы действительно создали интересные.
Спасибо, буду стараться. Там ещё много.
про плазму я тоже пишу.
Это наверное лучшая версия( на гике у меня просто не было времени писать,, да и не умел «писать»): Победа над плазмой — новый метод для связи с космическим аппаратом
там много про плазму, но несколько специфическую (чему уж училсЯ)
В DLR поеду (договорился), там и побеседуем о плазме
В видео у автора вообще пивная кружка ;)
Кружка не пивная, это простая чашка )))
Основное замечание это магнетрон, корпус магнетрона нужно делать из магнитомягкой стали, что бы замкнуть на поверхности мишени как можно больше магнитных линий. Т.е. у правильного магнетрона «сзади» магнитного поля практически не будет.
Вакуум. Если вы хотите получать чистые металлические пленки, то нужен инертный газ (чем тяжелее, тем лучше).
Мы с магнетроном использовали аргон.
Простым форвакуумным насосом вы не сделаете чистую атмосферу. Нужна двуступенчатая откачка до хорошего вакуума с последующим натеканием аргона.
На воздухе у вас будет получаться букет из оксидов, нитридов и черт знает чего…
Качество покрытий. про подготовку поверхностей не буду говорить, а для того что бы получить равномерное покрытие, подложку нужно как минимум вращать. Металлические пленки желательно защищать, металлы в основном не стойки в атмосфере. Когда нужно было, мы наносили защитный слой из сапфира Al2O3 или оксида кремния электронным лучом.
Кстати, проще делать питание не на постоянном токе, а на обычной переменке 50 гц, плазма уже горит на 380в.
1. Рассчитайте необходимые слои на суперкомпьютере
2. Добейтесь в напылялке давления не выше 10е-5 Па
Товарищи Chroma и Semrock в общем-то правы, для напыления нужен вакуум лучше 10е-5 па. Но для расчета слоев супер компьютер вроде как не нужен, коллега писал программу для расчета на паскале на 486-том компе. В фильтре идет чередование слоев диэлектриков с высоким и низким коэффициентом преломления.
Высокий коэфф у вторидов (фторид свинца) для низкого почти все используют криолит Na3AlF6
И есть проблема получения оптически равномерного покрытия. Это достигается путем планетарного вращения стекляшки.
Полукустарно изготовить очень трудно, начиная с подготовки стекла — нужны плоскопаралельные заготовки, заканчивая напылением (для испарителей нужна вольфрамовая или молибденовая фольга) + планетарная карусель. После изготовления нужно герметизировать, в атмосфере абсолютно не стойко.
Если в кратце то так :))
Для этого нужно
1. источник ионов (мишень), а лучше несколько
2. ускоряющая система (по направлению к подложке)
3. отклоняющая и фокусирующая системы (для напыления только в заданных местах)
А теперь дробь: все это есть в цветной ЭЛТ-трубке. Даже вакуум (постарайтесь не потратить его бездарно;) ). Осталось прикрутить управление «на ардуине» и мы имеем 3д-принтер для микросхем «бытовой» стоимости.
[хи-хи mode off]
Теперь более серьезный вопрос: насколько реально можно сфокусировать поток вещества? Т.е. на какие микросхемы можно рассчитывать?
Теперь более серьезный вопрос: насколько реально можно сфокусировать поток вещества? Т.е. на какие микросхемы можно рассчитывать?
Ни насколько, магнетроном запылит почти все щели в камере (а дуговиком — вообще все). Рисовать — это к литографии.
- источник ионов (мишень), а лучше несколько
- ускоряющая система (по направлению к подложке)
- отклоняющая и фокусирующая системы (для напыления только в заданных местах)
Это уже совсем другое вырисовывается, ближе к установкам ионной имплантации, только ниже определенного порога энергий имплантации не будет, а будет распыление поверхности подложки, а еще ниже — "прилипание", то о чем вы и говорите, так? Я о таком не слышал, зачем такое делать, это долго и очень дорого, есть ведь литография. А вот в качестве субмикронного 3D-принтера — вот это уже интересно! Но все равно — долго, и очень дорого. В общем, реальные ионные токи в установках ионного легирования после масс-сепаратора — не больше первых единиц миллиампера, возьмем 1мА. Если надо напечатать 3D-модель из… ну не знаю, пусть будет из алюминия, массой 1 мг, то надо будет перенести на подложку 2E19 атомов алюминия, или 2Е19Х1,62Е-19=3.2Кл. При токе 1 мА это 3200 секунд, почти час. По деньгам не скажу, но техника и технология высокого вакуума — это бездонная финансовая пропасть, в которую деньги можно самосвалами завозить.
Нечто подобное есть в составе электронных микроскопов, только там наоборот — сфокусированным ионным пучком (Хе) режут образцы.
Если верить ivansmith про достаточность 380В для напыления металла, то 380*1мА*час=.4ВтЧ. Да вроде не дорого.
Пусть микросхема 1см² зарисованная в 10 слоев Ал по 1мк + 10 слоев изолятора (Al₂O₃, но на кислород со всеми потребными ему киловольтами для имплантации пока забьем). Тогда имеем 0.02 мм³ при плотности 2.7 г/см³ = 2.7 мг/мм³ ⇒ надо 0.054 мг Ал ⇒ еще дешевле.
>Ни насколько, магнетроном запылит почти все щели в камере (а дуговиком — вообще все). Рисовать — это к литографии.
Вроде в соседних постах народ пишет, что умудряется фокусировать ионный луч.
А литография… она хороша при массовом производстве, а мне хочется не 100500 ардуин, а всего лишь по одной на каждую розетку и лампочку в моем особо умном доме. Во имя чего я готов и пару недель подождать, пока микросхемы напечатаются.
Бытовой 3д-принтер «для семьи, для дома», это совершенно другой, непривычный и удивительный баланс стоимости, времени и материалов, чем при массовом промышленном производстве. Это действительно постиндастриал, отменяющий большие фабрики, мировую торговлю, американский доллар и многое другое за счет повышенных требований к доступности информации и образованию людей. Например, посмотрите на Распространенность химических элементов в земной коре и вдумайтесь, что означает эта табличка. А означает она, что если выйти в произвольное чистое поле, например, на собственный двор, взять лопату и копнуть один раз, но от души, то на лопате останется в среднем грамм 200 Ал, полторасто — железа и много-много кремния на много-много ардуин. Только разделяй, очищай да используй. Если знаешь как.
написать можно всё, что угодно. Если коротко: или они, или вы сугубо неправы.
> всего лишь по одной на каждую розетку
Кипите ПЛИС и радуйтесь жизни!
> например, на собственный двор, взять лопату и копнуть
пожалуйста, продолжайте!
Повод для тех событий немного другой, но ягодки очень похожи. ИМХО.
http://almi.kirov.ru/news/izobreten-vakuumnyiy-tranzistor.html
http://www.pandia.ru/text/78/325/3338.php
Про откачать… судя по первой ссылке можно проще: при характерных размерах менее 200мк условие вакума выполняется и при атмосферном давлении. Т.е. можно ничего не откачивать специально :)
Но я не хочу начинать с микроламп, т.к. там высокие требования по геометрии (надо острия делать) и, главное, микролампы придется располагать редко т.к. надо где-то располагать 9 слоев метализации, а над микролампами нужно пустое пространство. С твердотельными транзисторами же немного проще: наляпал аллюминия по кратчайшему пути, вот тебе и дорожка-проводник. Подышал кислородом — вот она покрылась изолятором (главное, чтобы не насквозь). Можно сверху следующий слой проводников напылять. Хотя да, этап поиска вафли отменяется. Для эксперимента это может и лучше.
Все-таки моя цель — дальнейшее продвижение по пути самовоспроизводящегося «домашнего» 3Д-принтера, позволяющего пусть медленно, но производить ВСЕ бытовые предметы и технику. А эта тема дает возможность что-то сделать с вопросом микросхем.
Вопросы к специалистам:
1. Какие энергии (элВ) нужны напыления Ал на кремний.
2. Сойдет ли Ал2О3 в качестве межслойного изолятора (толщина, потребная энергия ионов О)
3. Все-таки, что с возможностью и качеством фокусировки ионного пучка
4. Какие еще засады? Например, агдезия к кремнию, отжиг, защита от ренгена
> Al легко и парится и пылится магнетроном
2. Сойдет ли Ал2О3 в качестве межслойного изолятора (толщина, потребная энергия ионов О)
> а для какого слоя на какой подложке?
Для нанесения атомных слоев AlOx, которым многое по-барабану используют АЛД процесс с триметилалюминием и водным паром. Но не всякая структура такую баню переживает. Черт — деталях. Там еще и бабахнуть может.
3. Все-таки, что с возможностью и качеством фокусировки ионного пучка
> С этим всё замечательно, но в масс-спектрометрах. Парить некоторые соединениия с приятным латеральным соотношением можно совместной сублимацией. Но это — ультравысокий вакуум: оно вам надо?
4. Какие еще засады? Например, агдезия к кремнию, отжиг, защита от ренгена
> А рентген то вам зачем? Адгезиия и дифузия Al на Si — стандартные тех.процессы 70х. Об этом в книжках для студентов пишут, а у меня конь в вакууме надувается.
Но не всякая структура такую баню переживает
С А3Б5 (особенно с арсенидом) я бы побоялся, да, там и диссоциация, и химические реакции. Остальное полупроводниковое, их не так уж много, — запросто.
Там еще и бабахнуть может.
Это если по ошибке управляющая программа оба клапана откроет, а так ТМА поставляется в специальных баллонах, как раз для того, чтобы никуда не пришлось переливать. Эх, так и не дали мне на предыдущей работе молекулярным наслаиванием побаловаться, узнав, во сколько обойдутся свагилоковские клапана.
Возможность атмосферного давления при 200мк это очень интересно. Получается, надо «всего лишь» освоить низкоуровневое управление DVD или лучше Bluray резаком.
при характерных размерах менее 200мк условие вакума выполняется и при атмосферном давлении. Т.е. можно ничего не откачивать специально :)
Ошибаетесь на много порядков, при 200 мкм будет ионизация, и, как следствие — деградация автоэмиттера (будет бомбардироваться ионами). Единицы — десяток нанометров, или десятки нанометров, но заполненные гелием.
Жаль, придётся заливать микронный вакуум. Но мне кажется, он несколько дешевле сверхчистого легированного кремния, на несколько порядков даже?
Не забывайте, что в полевой эмиссии (кстати, называть её автоэлектронной не правильно, авто — значит "само", а электроны эмитируют не сами по себе, а под воздействием поля, потому — полевая, но все привыкли, так что пофигу:)) напряжение эмиссии зависит от расстояния в "какой-то там" степени (3/2 вроде) то есть 10в у НАСА (это очень хороший результат, сравним с GaN-транзисторами) с их 150нм, — это киловольты у вас с 0,2мм.
Да еще и структура эмиттера. Их ведь можно и алмазной нанопленкй покрыть, и нанотрубками сделать, тут целина непаханная, у НАСА и институтов есть и деньги, и человеко-часы, в одиночку можно даже не начинать.

Ну и я ошибся, давно этой темы не касался. Десятки и сотни нм. А то, что у НАСА написано
When the gap between the source and drain is of the order of 150nm the electrons do not collide. The mean free path of the electrons (the average length an electron can travel before hitting something) is more than 1μm.
То это еще не значит, что такой транзистор можно корпусировать, и продавать. Уверен, после испытаний на долговечность прямая Аррениуса будет очень неутешительной.
Мы используем плазму аргона для очистки LTO перед напылением и перед тем как сделать Ultrasonic Wirebonding (ультразвоковую пайку? помогите с переводом пожалуйста).
Плазма зажигается у нас в камере ВЧ разрядом и в устройстве напыления высоковольтным разрядом.
Общие замечания, плазма хорошо зажигается при давлении около .05-.1 мм ртутного столба (torr) или 6-13Па уже после стабилизации подачи аргона. То есть система сама по себе должна быть герметичной и держать давление менее 6 Паскалей без газа ионизации. Аргон идет как чистящий агент (как наждачка) плюс обработка плазмой инициирует поверхность и напыление намного лучше связывается с поверхностью.
Без плазмы я могу со стекла отмыть металлическое напыление ветошью со спиртом. После плазмы, только если поцарапать стекло.
Установка ионно-плазменного (магнетронного) напыления. Часть 1