Комментарии 40
Но вот как учили Хоровиц и Хилл, если схема зависит от параметров транзистора, то это плохая схема :) Там имелось ввиду, что не должно зависеть от таких параметров как h21, Vth и т.д.
Это правило никогда не подводило.
Так источник проблемы-то в том, что ММК оставлял резистор R1 висеть в воздухе. А он, как раз, и отвечает за измерение тока. В итоге на висящем входе имеем какое угодно напряжение, вот защита от сверхтока и срабатывает.
для верхнего плеча потребуется n-канальный транзистор (если мы не собираемся делать накачку), для нижнего P-канальный, а в общем случае сопротивление последнего ниже
А N канальный с P канальным не перепутаны?
Его надо горизонтально развернуть. Сток/исток по-другому.
Иначе COUT не сработает.
Если развернуть — будет работать по AND — COUT && DOUT.
Земля тут (-) от батарейки.
Иначе, что мы подаём на затвор T1? Относительно чего?
Этот же встроенный диод позволяет произвести начальный «запуск» системы. Посмотрите, как устроен «супердиод» на полевом транзисторе!
И да, список Ваших тем… Прямо Леонардо Да Винчи своего времени. Но тем интереснее почитать про BUCK-BOOST на микроконтроллере. А еще про регулируемые источники тока не нем же (это так, тонкий намек).
В общем, складывается впечатление, что после установки аккумулятора микросхема считает необходимым его зарядить (хоть на сколь угодно малую величину) и лишь затем готова разрешить ему работать как источник. Ну, во-первых, это довольно таки странное поведение
Нет, ничего странного. Во многих устройствах это как раз желаемое поведение — после установки аккумулятора устройство остаётся в безопасном выключенном состоянии и активируется только после подключения к зарядке.
Согласен, у каждого свои представления о странном, но документировать в любом случае надо.Страница 17 даташита:
When the battery is connected for the first time, the discharging circuit might not be enabled. In this case, short the V– pin to the VSS pin.
Alternatively, connect the charger between the Pack+ and Pack– terminals in the system.
Иногда достаточно просто прочитать))
Уже собирался пойти на сайт, может, выложили новую версию доки, но набрал в поиске по документу «first time» и вот оно, процитированное Вами предупреждение, специально в серой рамочке и с подзаголовком «Предупреждение».
Как же я мог такое пропустить — ответ простой: уникальные спецы по написанию документации из TI разместили это предупреждение в финале раздела 9.4.1 «Normal operation» (в самом начале страницы 17) и я естественно (или, как еще говорят, разумеется) на него внимания не обратил.
Ну где логика!!! Хотя и я тоже виноват — рекомендую всем читать до конца, а сам целые разделы пропускаю.
поиске в Инете и на форме е2е был обнаружен вопрос об аналогичной ситуации, на который гуру от TI дал несколько странноватый (на мой взгляд) ответ, что данная микросхема предназначена для работы со впаянными аккумуляторами, а вставляемый будет неприемлем.
Ответ этот не странный, если принять предположение что такое поведение side effect.
Вполне возможно, что контроллер именно и расчитан, на то что его припаяют к батарее, а после того протестируют (подключат питание), и больше батарею никогда не отключат. Про режим съемной батареи и вовсе не думали.
С этими контроллерами (не этой моделью, а вообще), есть еще забавный глюк, что иногда при низком напряжени аккумулятора они уходят в защиту (закрывают транзистор). Но штатный зарядник телефона (контроллер) не может их после этого зарядить. Помогает только подача внешнего питания отдельно.
Мне кажется, что такое поведение при съемной батарее, может быть завязано как раз на защиту по низкому напряжению аккумулятора.
Поменяйте местами третий и четвертый пункт голосования, пусть будет все! И котики!
Недобро то что и для изделий TI уже требуются танцы с бубном. Всё по тонкому и документация недостаточно проработанная.
Видимо, следствие чрезмерно раздутой продуктовой линейки (хотя в TI ещё год назад обещали её сильно сократить).
«Документация — это как секс. Если она хорошая, то все замечательно. А если не очень… это все равно лучше, чем ничего».
После вдумчивого анализа референсной схемотехники (она в даташите была) и особенно именования ножек в ней пришли к выводу, что у нас всего два явных кандидата в логически непротиворечивый способ именования этих ножек на чипе.
Но ведь наоборот, н-канальники в общем случае дешевле и сопротивление у них ниже
для верхнего плеча потребуется n-канальный транзистор (если мы не собираемся делать накачку), для нижнего P-канальный, а в общем случае сопротивление последнего ниже (и они дешевле), вот и выбирают такой способ.
Что-то не сходится. Видимо опечатка. Для нижнего (минус) N-канальный, а для верхнего — P-канальный.
транзисторы включены носиками друг к другу
А вот носиками могут быть и друг к другу.
А почему не "Затвор", "Сток", "Исток"? Вы же не наивная школьнице, поди? Вопрос не к вам, к автору
Уважаю, статья с формулами, обоснованиями, красивыми графиками. Заодно и молодого коллегу можно на всякий случай опустить, пусть знает кто тут "старшой". Но Вы же в Хабр статью пишете не для доярок (пусть уж простят меня родимые). Если честно, то это чушь какая то. Я (лет под 40 в теме) не понимаю носиков у транзисторов. Но подозреваю, что те ВСЕ, кто транзисторами называют даже радиоприёмники — обязательно поймут. Можно конечно делать умный вид и молчать, как будто, так и надо.
Я Вам, конечно, не советчик, но не подставляйтесь, что бы такие как я, не могли ни к чему придраться. Бывает общаешься с человеко, жаргон из него аж прёт, измеряет инф объёмы метрами и гектарами, а скажешь, что правильней кибибайтами или гибибайтами, смеётся, никогда о таком не слышал. Мощность ещё меряют в киловатах за час. Короче, не дайте к себе придраться.
Блин, пишите про мк!!! У вас очень интересно получается!)))
По выбору транзисторов. Напряжение аккумулятора 2.5… 4.2 В. Транзисторы должны быть выбраны с порогом перехода в ключевой режим не более 2.3 В. Два канала открытых транзисторов используются как датчик тока. Уровень срабатывания Vocc от 45 до 155 мВ. Выбираем транзисторы, чтобы на сопротивлении двух транзисторов при напряжении на затворе 2.5 В уровень напряжения при максимальном токе разряда не превышал Vocc. Сопротивление канала полевика сильно зависит от температуры. Смотрим график на транзистор. Сопротивление канала различается в разных партиях транзисторов. В документации часто указан разброс чуть ли не в два раза. При теоретическом подборе берем максимальное значение из документации.
К вопросу о странном (опять) и о выборе транзисторов