Компания Samsung объявила о производстве карт памяти microSD с интерфейсом SD Express и ёмкостью 256 ГБ, а также о начале массового выпуска карт памяти microSD UHS-1 ёмкостью 1 ТБ.
Карты SD Express могут достигать скорости чтения до 800 МБ/с, что в четыре раза быстрее традиционных карт памяти UHS-1 (до 200 МБ/с). Их производительность эквивалентна показателям твердотельных накопителей в небольшом форм-факторе. Карты будут иметь динамическую тепловую защиту (DTG) для поддержания оптимальной температуры даже во время длительных сеансов использования.
Карты ёмкостью 1 ТБ объединяют восемь слоёв технологии V-NAND 8-го поколения. Они прошли тестирование и должны поддерживать надёжное использование даже при экстремальных температурах и иных условиях.
Версия microSD ёмкостью 256 ГБ поступит в продажу позднее в этом году. Версия ёмкостью 1 ТБ появится в продаже в третьем квартале 2024 года.
«Благодаря двум новым картам microSD компания Samsung предоставила эффективные решения для удовлетворения растущих потребностей мобильных компьютеров и встроенного в устройства искусственного интеллекта», — заявил Хангу Сон, вице-президент подразделения продуктов памяти компании.
Ранее эксперты CBL выяснили, что всё большее число USB-накопителей и карт памяти microSD выпускают с сомнительными компонентами — в том числе с низкокачественной NAND. Они предположили, что некачественные флэш‑чипы NAND могли быть изготовлены заслуживающими доверия компаниями, такими как SanDisk и Samsung, но не прошли контроль качества. Вместо того, чтобы избавиться от них, их отправили на широкий рынок.
