Показываю наглядно самый простой способ восстановить данные с NAND памяти смартфона, независимо от причины, по которой Вам это необходимо. В некоторых случаях телефон неработоспособен из-за повреждения процессора, залитой платы без возможности восстановления, в некоторых телефон заблокирован, а данные необходимо сохранить.
Мне посчастливилось работать в компании fix-oscomp, подразделении компании ОСКОМП по ремонту цифровой техники. Здесь я и познакомился на практике с этим способом.
NAND это тип флеш-памяти, наиболее часто используемый в современных смартфонах.
Сегодняшний пациент Xiaomi Mi Max 3:
После залития перестал включаться.
Диагностика показала, что процессор скорее мертв, чем жив. Клиенту необходимы данные с телефона и возможно восстановление самого аппарата.
Плату очистили, но мы не можем заменить процессор, так как процессор и NAND память спарены по ключу и меняем мы их тоже в паре. В таком случае мы берем плату донор от более дешевой модели, в данном случае подойдет Xiaomi Redmi Note 5.
Прогреваем плату нижним подогревом.
Наносим флюс.
Прогреваем феном.
Снимаем NAND память.
Очищаем остатки флюса.
Проверяем контакты.
Устанавливаем память в считывающее устройство.
В нашем случае нам нужен раздел userdata и boot файлы.
Скорость до 10 MiB/s. Но ждать придется долго. Процесс чтения в среднем занимает 2 часа.
Таким образом можно увеличить объем памяти и ОЗУ при необходимости.
Записываем данные на память с донора.
Впаиваем память и процессор с донора, включаем и радуемся!
Спасибо за внимание!
Мне посчастливилось работать в компании fix-oscomp, подразделении компании ОСКОМП по ремонту цифровой техники. Здесь я и познакомился на практике с этим способом.
NAND это тип флеш-памяти, наиболее часто используемый в современных смартфонах.
Конструкция NAND по Wikipedia
Конструкция NAND — трёхмерный массив. В основе та же самая матрица, что и в NOR, но вместо одного транзистора в каждом пересечении устанавливается столбец из последовательно включенных ячеек. В такой конструкции получается много затворных цепей в одном пересечении. Плотность компоновки можно резко увеличить (ведь к одной ячейке в столбце подходит только один проводник затвора), однако алгоритм доступа к ячейкам для чтения и записи заметно усложняется. Также в каждой линии установлено два МОП-транзистора. Управляющий транзистор разрядной линии (англ. bit line select transistor), расположенный между столбцом ячеек и разрядной линией. И управляющий транзистор заземления, расположенный перед землёй (англ. ground select transistor).
Сегодняшний пациент Xiaomi Mi Max 3:
После залития перестал включаться.
Диагностика показала, что процессор скорее мертв, чем жив. Клиенту необходимы данные с телефона и возможно восстановление самого аппарата.
Плату очистили, но мы не можем заменить процессор, так как процессор и NAND память спарены по ключу и меняем мы их тоже в паре. В таком случае мы берем плату донор от более дешевой модели, в данном случае подойдет Xiaomi Redmi Note 5.
Прогреваем плату нижним подогревом.
Наносим флюс.
Прогреваем феном.
Снимаем NAND память.
Очищаем остатки флюса.
Проверяем контакты.
Устанавливаем память в считывающее устройство.
В нашем случае нам нужен раздел userdata и boot файлы.
Скорость до 10 MiB/s. Но ждать придется долго. Процесс чтения в среднем занимает 2 часа.
Таким образом можно увеличить объем памяти и ОЗУ при необходимости.
Записываем данные на память с донора.
Впаиваем память и процессор с донора, включаем и радуемся!
Спасибо за внимание!
