Отказавшись от производства потребительских SSD на базе NAND и накопителей Optane, Intel тем не менее продолжает развитие инновационных гибридных продуктов в этой области для портативных гаджетов и серверов. К ним, в частности, относятся Intel Optane Memory with Solid State Storage — комбинированные устройства хранения компактного форм-фактора с основным 3D NAND хранилищем и кешем Optane. В этом году на смену линейки Н10 пришла более совершенная серия Н20.
Серия Н20 включает в себя два накопителя емкостью 512 Гб и 1 Тб с кеширующим элементом Optane объемом 32 Гб. Оба элемента памяти значительно переработаны по сравнению с предшественником: использованы чипы 3D XPoint второго поколения и 144-слойные NAND элементы. Усовершенствование аппаратной части привело к существенному росту скоростей чтения и записи. Давайте сравним устройства объемом в 1 Тб предыдущего и текущего поколений.
H10 | H20 | |
---|---|---|
Макс. последовательное чтение 100% | 2400 МБ/с | 3400 МБ/c |
Макс. последовательная запись 100% | 1800 MB/s | 2100 MB/s |
Макс. случайное чтение (интервал 8 ГБ) | 330000 IOPS | 390000 IOPS |
Макс. случайная запись (интервал 8 ГБ) | 250000 IOPS | 280000 IOPS |
Задержки, чтение | 7 мкс | 7 мкс |
Задержки, запись | 18 мкс | 12 мкс |
Потребление при работе | 5.8 Вт | 170 мВт |
Потребление при простое | 13 мВт | 35 мВт |
Коэффициент выносливости | 300 TBW | 370 TBW |
Наработка на отказ | 1.6 млн. ч. | 1.6 млн. ч. |
Intel Optane Memory H20 with Solid State Storage будет прежде всего отгружаться ОЕМ-производителям, выпускающим высококлассные мобильные компьютеры. Ну а мы, потребители, в свою очередь, сможем наслаждаться их производительностью.