Забыл. Реакция разложения трихлорсилана (SiH3Cl) в реакторе осуществляется в присутствии очень небольшого кремниевого слитка. Он является точкой роста кристаллов кремния — на него сам кремний и осаждается. Результат реакции — поликристаллический кремний высокой степени чистоты — около одной частицы примеси на миллион частиц кремния.
Берем песок в виде SiO2, нагреваем его в печах в присутствии SiC. Оба компонента вступают в реакцию, в результате чего получается твердый кремний, выделяется в виде газа SiO и угарный газ. Таким образом мы получили металлургический кремний, чистотой около 98%. Для микроэлектроники такой кремний не годится, его нужно дальше очищать. Для этого металлургический кремний при температуре 300 градусов подвергают воздействию соляной кислоты. Результат реакции — газообразный трихлосилан и газообразный водород. Затем трихлорсилан охлаждают (при нормальный условиях это жидкость), очищают от оставшихся примесей. Затем реакция проводится в обратном направлении — газообразный трихлорсилан взаимодействует с водородом, в результате чего образуется твердый чистый кремний и выделяется в виде газа соляная кислота. Дальше из этого кремния делают монокристаллические слитки необходимого диаметра (несколько методов роста кристаллов в зависимости от требуемого качества слитка), очищают (несколько методов очистки в зависимости от требуемой степени чистоты), режут на пластины.
Все это, конечно, замечательно. Но почему в качестве гигантов электронной промышленности указана Intel? Она, во-первых, не выращивает кристаллы. Во-вторых, она не выпускает в промышленных масштабах светодиоды, лазеры, высокочастотные транзисторы и пр.
И еще. Наверное, стоимость не 51-мм кристалла, а пластины диаметром 51 мм.
И еще. Наверное, стоимость не 51-мм кристалла, а пластины диаметром 51 мм.