О, в самой статье есть фактическая неверность: авторы наблюдают не прямое туннелирование (direct tunneling), а фотон-стимулированное (photon-assisted). Рецензентам статьи за этот пропуск не зачёт.
Рисунок из статьи. Обычные и подбарьерные пути ионизации атома. (а) Обычный механизм прямого многофотонного перехода. Вертикальные стрелки представляют прямые возмущённые многофотонные переходы, приводящие к ионизации из основного состояния (−Ip) напрямую (слева) и через возбужденное состояние (−Ip*) (справа). (б) Схематическое изображение механизма ионизации, включающего динамику повторного столкновения под барьером. Электронный волновой пакет (красные колоколы) туннелирует из основного состояния, сожрая немного энергии от фотонов, при этом часть волнового пакета туннельно выходит и ионизацией атома (1), а другая часть отражается от барьерной стенки (синяя кривая) (2), и заселяет промежуточное ридберговское состояние (3). Последующая надбарьерная ионизация (4) из этого возбужденного состояния приводит к появлению сигнала резонанса Фримана в фотоэлектронном спектре.
Всё же следует понимать, что в работе изучается фотон-стимулированная ионизиция атома в неадиабатическом режиме, а не подбарьерное туннелирование электрона. Эффект туннелирования — это всего лишь часть модели, которая объясняет экспериментально наблюдающиеся отклонения энергетического спектра фотоэлектронов от нестационарных сдвигов Штарка при надбарьерной ионизацией атома под действием электромагнитного излучения (лазера). В рамках предложенной модели часть волнового пакета электрона выходит туннельно с низкими энергиями, часть - надбарьерно с высокоэнергичными резонансами. После выхода волновой пакет собирается в свободный электрон с конкретной энергией. Поскольку электронов много (атомом ионизуется много), часть электронов имеют низкие энергии, часть - высокие (согласно резонансам Фримана).
Итог: полученные результат никак не повлияет на гипотетическое уменьшение проектных норм при производстве микросхем. Это написано в аннотации: "В этом письме экспериментально демонстрируются эти особенности, подтверждая модель повторного столкновения под барьером, и даётся представление об этой динамике, расширяя наши знания об управлении туннельной динамикой в лазерной спектроскопии и аттосекундной физике."
Про "Минимальные межрасстояния сейчас - 2 нанометра": характерные расстояния на нижнем уровне металлизации -- больше 12-14 нм. Никаких 2 нм нет. Вас обманывают маркетологи.
Проектная норма 2 нм - это длина канала гипотетического планарного полевого транзистора, который имел бы характеристики трёхмерного транзистора, изготовленного по этой проектной норме. С учётом многослойности современных ИС (транзисторной части, не металлизации), эта самая проектная норма в знаменателе имеет количество слоёв. Реальные размеры транзисторов - 40 нм.
У нас занятия проводятся на площади режимного объекта. Можно поступить в магистратуру НГУ и записаться на курс. Вы откуда? В НГТУ есть тоже подобные курсы, там с доступом попроще.
Требования к устройствам для гражданского применения: время хранения 10 лет при 85°C. Для военного - 10 лет при 125°C.
Понятно что таких пролонгированных испытаний ещё никто не проводил. Но оценки показывают, что 10 лет RRAM может держать. Филамент за такое время спонтанно не образуется и не диссоциирует.
Действительно, мои знания сильно смешались. Synopsys -- единственная система полного проектирования микросхем от свойств и структуры отдельных материалов (недавно купленный пакет QuantumATK) до физического расположения элементов на подложке.
КНС всё же имеет свой рынок. Это в первую очередь космос, далее СВЧ приборы. А то, что КНИ и КНС не используются в современных топовых процессорах -- не показатель, что технология устарела.
Уарлщенно: в TCAD Synopsys моделируется физика (sdevice) и технология (sprocess) отдельных устройств, а в EDA Cadence разрабатывается микросхема целиком на основе блогов, выданных TCAD, включая всю цепочку от логической схемы до физического расположения элементов и иеиаллизации с последующей верификацией - решения обратной задачи получения логической схемы из физической и сравнения решения с входными данными. Плюс проверка на допуски по временныс задержкам, тепловыделению, энергопотреблению.
О, в самой статье есть фактическая неверность: авторы наблюдают не прямое туннелирование (direct tunneling), а фотон-стимулированное (photon-assisted). Рецензентам статьи за этот пропуск не зачёт.
Всё же следует понимать, что в работе изучается фотон-стимулированная ионизиция атома в неадиабатическом режиме, а не подбарьерное туннелирование электрона. Эффект туннелирования — это всего лишь часть модели, которая объясняет экспериментально наблюдающиеся отклонения энергетического спектра фотоэлектронов от нестационарных сдвигов Штарка при надбарьерной ионизацией атома под действием электромагнитного излучения (лазера). В рамках предложенной модели часть волнового пакета электрона выходит туннельно с низкими энергиями, часть - надбарьерно с высокоэнергичными резонансами. После выхода волновой пакет собирается в свободный электрон с конкретной энергией. Поскольку электронов много (атомом ионизуется много), часть электронов имеют низкие энергии, часть - высокие (согласно резонансам Фримана).
Итог: полученные результат никак не повлияет на гипотетическое уменьшение проектных норм при производстве микросхем. Это написано в аннотации: "В этом письме экспериментально демонстрируются эти особенности, подтверждая модель повторного столкновения под барьером, и даётся представление об этой динамике, расширяя наши знания об управлении туннельной динамикой в лазерной спектроскопии и аттосекундной физике."
Про "Минимальные межрасстояния сейчас - 2 нанометра": характерные расстояния на нижнем уровне металлизации -- больше 12-14 нм. Никаких 2 нм нет. Вас обманывают маркетологи.
Проектная норма 2 нм - это длина канала гипотетического планарного полевого транзистора, который имел бы характеристики трёхмерного транзистора, изготовленного по этой проектной норме. С учётом многослойности современных ИС (транзисторной части, не металлизации), эта самая проектная норма в знаменателе имеет количество слоёв. Реальные размеры транзисторов - 40 нм.
Добрый день! Нам до уровня миэта ещё далеко. Дистанта нет.
У нас занятия проводятся на площади режимного объекта. Можно поступить в магистратуру НГУ и записаться на курс. Вы откуда? В НГТУ есть тоже подобные курсы, там с доступом попроще.
АФТИ ФФ НГУ.
Требуется изучить цифровую и аналоговую схемотехнику, основы физики полупроводников.
В семестре 17 недель, т. е. 16 лекций/семинаров. Плюс курс нужно делать годовым.
Сам запустил новую серию курсов по проектированию интегральных микросхем на ФФ НГУ.
Для struct s_avi_flags avi_flags[8] префикс const не нужен? А может этот массив глобальным сделать? Зачем стек нагружать?
Замечание к переводу: to solve a problem - решить задачу, а не проблему. Проблемы создают, а решают задачи.
Таковы требования. А оценки некоторых деятелей и 100+лет дают. Надо смотреть в корень: почему 10 лет? И только потом размышлять, много это или мало.
Хотите на века: высекайте в камне.
Требования к устройствам для гражданского применения: время хранения 10 лет при 85°C. Для военного - 10 лет при 125°C.
Понятно что таких пролонгированных испытаний ещё никто не проводил. Но оценки показывают, что 10 лет RRAM может держать. Филамент за такое время спонтанно не образуется и не диссоциирует.
MN101L
А где физика переключения? О чём эта статья? Где cbram, где vcram?
А всё хорошо. Токи малы у статики. Конденсатор не разряжается. Характерные поля переключений порядка межатомных полей, т. е. немного меньше пробивных.
Действительно, мои знания сильно смешались. Synopsys -- единственная система полного проектирования микросхем от свойств и структуры отдельных материалов (недавно купленный пакет QuantumATK) до физического расположения элементов на подложке.
Да, я про зарубежные. Пример с ходу: physics reports
Забыли (?) упомянуть, что некотрые издания выплачивают авторский гонорар, а не с авторов берут плату. И издания достаточно приличные.
В промышленных масштабах неон получают как побочный продукт в сталелитейной промышленности.
Журналисты -- они такие журналисты. Волков изнасиловали зайки...
КНС всё же имеет свой рынок. Это в первую очередь космос, далее СВЧ приборы. А то, что КНИ и КНС не используются в современных топовых процессорах -- не показатель, что технология устарела.
Уарлщенно: в TCAD Synopsys моделируется физика (sdevice) и технология (sprocess) отдельных устройств, а в EDA Cadence разрабатывается микросхема целиком на основе блогов, выданных TCAD, включая всю цепочку от логической схемы до физического расположения элементов и иеиаллизации с последующей верификацией - решения обратной задачи получения логической схемы из физической и сравнения решения с входными данными. Плюс проверка на допуски по временныс задержкам, тепловыделению, энергопотреблению.