На рисунках можно видеть слова «Линия FIB» — это линия среза, FIB — Focused Ion Beam. Пучками ионов галлия можно как резать материал, так и делать изображения. На картинках с электронного микроскопа, там где в левом нижнем углу нарисована кучка шариков — изображение получено в режиме FIB. Там, где электроны по орбите летают — это SEM, Scanning Electron Microscopy. В режиме FIB лучше видна разница между материалами, тогда как SEM показывает по большей части только топографию.
Мне кажется это отсылка к слогану компании Hallmark (производитель открыток): When you care enough to send the very best.
Когда вас достаточно заботит то, чтобы отправить лучшее.
Круто видеть то, что в обычном мире глазу недостижимо. Да ещё и как-то этим манипулировать. Будущее прям, ага.
Я только не понял, «отсутствующие via» по итогу — они таки отсутствующие, или чётко их определить не позволило разрешение оптического микроскопа, поэтому они на фото только «предположительно отсутствующие»?
Да, вопросы по перемычкам остались, но по косвенным признакам (остатки вольфрама в них, «разъеденные» края когда смотрели в эл. микроскоп и ряд других) все же списали на травление. Скорее всего в них есть «слабинка» — но не она причина неработоспособности чипа.
Просветите пожалуйста, о какого назначения микросхеме идет речь? Что-то цифро-аналоговое, с высоким напряжением, но где такое применяется? Радио что ли?
Спасибо. А зачем высокое напряжение? Ведь если входные сигналы имеют высокое напряжение — то их можно ослабить и уже низковольтными подать на АЦП. У вас ЦАПы с напряжением до 200В? Или это для защиты от внешних воздействий?
Ого, кажется это такая гиковская и относительно недорогая вещь, неужели рынок имеет достаточный объем чтобы окупить разработку отдельной микросхемы? Или ей все-же есть более популярное применение где-то еще?
Касательно «Мы как разработчики кристалла не беремся судить почему силицид не образовывается над поликремнием над DTI, если его ширина 180 нм. Фабрика изготовитель кристаллов также пришла к аналогичному заключению, и в качестве решения проблемы запретила водить над DTI поликремниевые проводники с шириной менее 1 мкм. »:
Вот на этом снимке:
Скрытый текст
Видно, что поликремний над DTI — ниже плоскости пластины, примерно ~150нм. Этого уже может быть достаточно, чтобы выйти из фокуса сканера, и реальное разрешение падает ниже 180нм, соответственно 1000нм детали даже вне фокуса пропечатаются, а вот 180нм — уже нет.
Все супер, только непонятно как происходит поиск проблем — автоматика какая-то или стравили слой — прошли «вручную» посмотрели, и т.д. Это сколько ж времени отнимает проверить слой, если это «вручную» делается?
Автора не угадал. Очень рад очередному подтверждению, что в Зелике жизнь микроэлектроники продолжается.
Не могу понять, чего в статье больше, гик-порно или патологоанатомии :)
В любом случае, очень увлекательно, спасибо.
BarsMonster попросите вскрыть. Это если послойное травление.
А если FIB и разрезы — то это и правда долго и дорого, такое вряд ли кто-то возьмется делать ради интереса.
Пока на столе только R1-1, перед новым годом придет R1 и если руководство против не будет, отправлю.
Можно наверно будет один рабочий, а один не рабочий.
Пробовали ли вы как то автоматизировать процесс? Например применить сегментацию изображений или 3Д реконструкцию по срезам?
Как называется эта область которой вы занимаетесь(желательно по английски, а лучше ссылку на пару документов)? что то типа неразрушающего контроля, верификации плат\чипов?
Гикпорн 5 или для чего вскрывают микросхемы