У меня есть привычка, которую я не очень люблю: складывать старые накопители в коробку из-под обуви на балконе. Когда кладу, думаю «ну ладно, потом разберусь». На одном фотки из поездки, на другом какие-то рабочие черновики, на третьем вообще непонятно что, но выкинуть жалко, вдруг пригодится.
Так вот, «потом» наступило примерно через тринадцать месяцев. Взял оттуда повидавший жизнь SSD (какой-то ноунейм с алика, купленный ради эксперимента), подключил через переходник. Диск опознался, SMART вроде бы в норме. Начал смотреть файлы. Папка с фотографиями открылась, но штук двадцать из трёхсот битые. Превьюшки есть, а сам снимок каша из пикселей, либо вообще ошибка чтения. Архив с документами — «архив повреждён». Ни вирусов, ни падений, ни скачков напряжения. Диск ��упо лежал в коробке и забыл часть того, что ему доверили.
Я, конечно, знал, что SSD не вечные. Но одно дело знать теоретически, а другое открыть папку и увидеть вместо фоток мусор. Это, мягко говоря, отрезвляет.
Для начала: а как вообще SSD запоминает информацию
Чтобы понять, почему данные теряются, надо сначала понять, как они записываются. И тут полезно сравнить SSD с классическим жёстким диском, но не ради ностальгии, а ради контраста.
Жёсткий диск (HDD) хранит данные, намагничивая крошечные участки на вращающихся металлических блинах. Головка чтения-записи проносится над поверхностью и либо намагничивает участок в нужном направлении, либо считывает, в каком направлении он уже намагничен. Всё это чистая классическая физика. Магнитное поле, если его не трогать, сохраняется очень долго. Выключенный жёсткий диск спокойно пролежит лет десять-пятнадцать и отдаст данные без единой ошибки. Есть истории, когда люди доставали из кладовки диски двадцатилетней давности и они работали. Магнитная запись вообще штука живучая, кассеты VHS тому подтверждение.
С SSD совсем другая история. Внутри любого твердотельного накопителя нет никаких движущихся частей: ни блинов, ни головок, ни моторчиков. Вместо этого микросхемы NAND-флеш-памяти. Массив из миллиардов микроскопических ячеек, каждая из которых по сути является хитро устроенным транзистором. И данные в этом транзисторе хранятся не магнитным полем, а электрическим зарядом. Буквально горсткой электронов, запертых в ловушке.
Плавающий затвор: как устроена ловушка для электронов
Обычный полевой транзистор штука простая: есть три контакта (исток, сток и затвор), подал напряжение на затвор — между истоком и стоком потёк ток, убрал напряжение — ток прекратился. Это переключатель, и ничего он не запоминает. Убрал питание и транзистор понятия не имеет, в каком состоянии был секунду назад.
Ячейка NAND-флеш это тот же транзистор, но с фокусом. Между управляющим затвором (тем, на который подают напряжение) и каналом (где течёт ток) инженеры вставили дополнительный проводящий слой. Его называют плавающий затвор. И вот что важно: этот дополнительный слой полностью окружён изолятором. Со всех сторон. Сверху слой оксида, снизу тоже слой оксида. Плавающий затвор висит внутри конструкции, как муха в янтаре. Ни к чему не подключён, ни с чем электрически не соединён.
Именно на этот изолированный островок и загоняют электроны при записи данных.
Процесс записи выглядит так: на управляющий затвор подают довольно высокое напряжение порядка 15–20 вольт. По меркам микроэлектроники это очень много; обычные логические схемы работают при напряжениях около одного вольта. Это высокое напряжение создаёт мощное электрическое поле, под действием которого электроны из канала транзистора протискиваются сквозь тончайший слой туннельного оксида и оказываются на плавающем затворе. Попали туда и всё, они в ловушке. Изоляция не даёт им выбраться обратно. Напряжение сняли, а электроны остались.
Есть электроны на затворе — одно состояние. Нет электронов — другое. Вот вам и бит информации.
При чтении контроллер SSD подаёт на управляющий затвор определённое напряжение (гораздо мен��ше, чем при записи) и смотрит: ток между истоком и стоком потёк или нет? Дело в том, что наличие электронов на плавающем затворе меняет так называемое пороговое напряжение транзистора — ту точку, при которой он «открывается» и начинает пропускать ток. Если электроны сидят на затворе, пороговое напряжение выше. Если затвор пуст, то ниже. Контроллер подаёт напряжение ровно посередине между этими двумя состояниями и проверяет, открылся транзистор или нет. Открылся — значит ноль. Не открылся — единица. (Или наоборот, но это уже детали реализации, суть та же.)
Конструкция красивая, компактная, без движущихся частей, невероятно быстрая. Но есть одна принципиальная проблема, и она связана с тем самым механизмом, благодаря которому электроны вообще попадают на плавающий затвор.
Квантовое туннелирование: почему нельзя построить идеальный капкан для электрона
Электроны попадают на плавающий затвор не так, как вода переливается через край стакана. Они не перепрыгивают барьер из оксида, у них на это нет энергии. Они проходят сквозь него. Это явление называется квантовое туннелирование, и если вы не физик, оно звучит как бред.
Но давайте разберёмся повнимательнее, потому что именно здесь зарыта главная проблема.
В классической физике, к которой мы привыкли в быту, если перед вами стена вы через неё не пройдёте. Нужна дверь, лестница, или кувалда. Но в квантовой механике частица — это не шарик. Электрон описывается волновой функцией, и эта функция не обрывается резко на границе барьера. Она экспоненциально затухает внутри него, но если барьер достаточно тонкий, на другой стороне у волновой функции остаётся ненулевая амплитуда. А ненулевая амплитуда — это ненулевая вероятность обнаружить частицу по ту сторону. Электрон как бы «просачивается» сквозь стену, не разрушая её и не имея достаточной энергии, чтобы через неё перелезть.
Конкретный механизм, который используется при записи данных на NAND-флеш, называется туннелированием Фаулера–Нордхейма. При подаче высокого напряжения на управляющий затвор электрическое поле деформирует энергетический барьер, делает его (условно) тоньше. Вероятность туннелирования при этом резко подскакивает, и электроны массово прошивают слой оксида. При стирании данных полярность напряжения меняется на обратную, поле тянет электроны в другую сторону, и они выталкиваются с плавающего затвора обратно в канал.
Туннелирование — это и сам принцип работы NAND-памяти, и её же ахиллесова пята. Потому что туннелирование процесс вероятностный. Оно зависит от толщины барьера, от энергии частицы, от температуры. И вот ключевой момент: когда SSD выключен, когда никакого напряжения нет, барьер из туннельного оксида никуда не делся. Он на месте, он удерживает электроны. Но он не абсолютен. Вероятность того, что конкретный электрон спонтанно туннелирует обратно через барьер — без всякого внешнего поля, просто сам по себе — отлична от нуля.
Она крошечная. За одну секунду — исчезающе малая. За минуту — можно не думать. За день — можно не думать. За месяц — наверное, всё ещё можно не думать. Но за год? За два? За три? Помножьте эту крошечную вероятность на миллиарды электронов в миллиардах ячеек и на сотни миллионов секунд — и цифры перестают быть такими о которых можно не думать.
Каждый электрон, который самопроизвольно покинул плавающий затвор, сдвигает пороговое напряжение ячейки. Немножко. Чуть-чуть. Но если «беглецов» набирается достаточно, контроллер при следующем чтении подаёт своё контрольное напряжение, а транзистор ведёт себя не так, как ожидалось. Контроллер считает, что в ячейке записан ноль, а там была единица. Или наоборот. Бит изменился. Данные повреждены.
SSD забыл кусочек информации.
Стена толщиной в несколько десятков атомов
Давайте осознаем масштаб. Туннельный оксид — тот самый барьер, который стоит между «данные целы» и «данные потеряны» — представляет собой слой диоксида кремния толщиной примерно 7–8 нанометров.
Нанометр — это одна миллиардная часть метра. Для ощущения масштаба: расстояние между соседними атомами в структуре SiO₂ — порядка 0,16 нанометра. То есть если мысленно пройти сквозь туннельный оксид, по дороге встретишь от силы сорок-пятьдесят атомов. Весь барьер, вся стена тюрьмы, которая удерживает ваши фотки, документы и сохранения из игр — несколько десятков атомов.
И это в новом, свежем, только что с завода SSD. А дальше эта стена начинает разрушаться.
Каждый цикл записи-стирания — это прогон электронов туда-сюда сквозь оксид. И каждый такой прогон оставляет повреждения в кристаллической структуре. Электрон, протискиваясь через решётку SiO₂, иногда выбивает атом из его положения или создаёт дефект-ловушку. Это как если бы в кирпичную стену каждый день кидали бы пригоршень камней, и каждый камешек вышибал бы по крошке от кирпича. Поначалу — ерунда. Через тысячу стена вроде бы стоит, но раствор между кирпичами уже не тот. Через десять тысяч — в стене полно микротрещин. Она ещё держит, но уже не так уверенно. (Аналогия не идеальная, но на что воображения хватило)
Применительно к SSD это означает вот что: чем больше данных вы записали на диск за всё время его жизни, тем хуже туннельный оксид справляется со своей работой. Тем легче электронам утекать с плавающего затвора. Тем быстрее теряются данные в обесточенном состоянии.
Совсем новый SSD может хранить данные без питания годами. А диск, который пережил тысячи циклов перезаписи, держит заряд уже значительно хуже. И это не поломка — это нормальный, предсказуемый физический процесс.
Что говорят стандарты: один год — это не гарантия, а минимум
Для потребительских накопителей требование такое: SSD, который полностью выработал свой ресурс записи (то есть количество циклов перезаписи исчерпано), должен сохранять данные при хранении без питания минимум один год при температуре не выше 30 °C.
Для корпоративных (серверных) SSD требование жёстче по температуре, но мягче по сроку: три месяца при 40 °C.
Тут стоит обратить внимание на несколько важных моментов:
Во-первых, это требование для полностью изношенного диска. Новый диск по тем же методикам может продержаться пять, семь, а то и десять лет — зависит от типа памяти и условий хранения. Но стандарт оперирует худшим случаем.
Во-вторых, один год — это не гарантия производителя вам лично. Это минимальная планка, которую диск обязан пройти при сертификации. Конкретный экземпляр может и лучше, и хуже — зависит от партии, температуры, удачи.
В-третьих, обратите внимание на температуру. 30 °C. Не «комнатная температура», а именно 30 градусов. Об этом поговорим отдельно, потому что температура — это второй ключевой фактор после износа.
SLC, MLC, TLC, QLC: как жадность подтачивает надёжность
Первые SSD использовали так называемую SLC-память (Single-Level Cell). Одна ячейка — один бит. Два состояния: электроны есть, электронов нет. Между этими двумя состояниями — огромный запас. Даже если с плавающего затвора утечёт пара десятков электронов, пороговое напряжение сдвинется, но до «границы» между нулём и единицей будет ещё далеко. Контроллер уверенно прочитает правильное значение.
Ресурс у SLC-ячеек — 50 000–100 000 циклов перезаписи. Хранение без питания — до десяти лет для нового диска. Шикарная технология. С одной оговоркой: один бит на ячейку — это очень, очень дорого. SLC-диски стоили дорого и объёмы имели смешные. Для серверов и промышленных систем — пожалуйста.
Производители задумались: а если мы научимся различать не два, а четыре уровня заряда на плавающем затворе? Тогда одна ячейка будет хранить уже два бита. Объём удваивается при той же площади кристалла. Профит. Так появилась MLC-память (Multi-Level Cell).
Потом кому-то пришло в голову: а давайте восемь уровней? Три бита на ячейку. TLC (Triple-Level Cell).
А потом: шестнадцать уровней? Четыре бита. QLC (Quad-Level Cell).
А сейчас на горизонте маячит PLC — пять бит на ячейку, тридцать два уровня заряда.
Казалось бы, отлично — плотность растёт, цены падают, все довольны. Но есть проблема, и она математическая.
В SLC контроллеру нужно отличить два состояния. Представьте себе шкалу от нуля до ста: одно состояние — около нуля, другое — около ста. Разница — пропасть. Ошибиться невозможно, даже если показания немного «уплыли».
В MLC — четыре состояния. Допустим, 0, 33, 66 и 100. Уже теснее, но жить можно.
В TLC — восемь: 0, 14, 28, 43, 57, 71, 86, 100. Между соседними уровнями — уже совсем немного места.
В QLC — шестнадцать. Расстояние между соседними уровнями — около шести-семи условных единиц. Чихнул — и ты уже в соседнем состоянии. А «чихнуть» — это и есть утечка нескольких электронов с плавающего затвора.
Дальше простая арифметика: в QLC-ячейке утечка десятка электронов может сдвинуть пороговое напряжение достаточно, чтобы контроллер перепутал один уровень с соседним. А один перепутанный уровень — это не один битый бит, а сразу четыре, потому что в QLC каждый уровень кодирует четыре бита. В SLC при той же самой утечке — ничего страшного, до ближайшей «границы» ещё ого-го.
Вот грубая табличка — характеристики хранения без питания для нового диска при комнатной температуре:
Тип | Бит/ячейка | Уровней | Ресурс (циклов) | Хранение без питания |
|---|---|---|---|---|
SLC | 1 | 2 | 50 000 – 100 000 | до 10 лет |
MLC | 2 | 4 | 3 000 – 10 000 | 3–5 лет |
TLC | 3 | 8 | 1 000 – 3 000 | 1–3 года |
QLC | 4 | 16 | 300 – 1 000 | месяцы – 1 год |
Это для нового, ненагруженного диска. Изношенный — кратно хуже.
Теперь самое грустное: практически все потребительские SSD, которые сейчас продаются, — на TLC или QLC. SLC осталась в узких промышленных нишах, MLC почти вымерла в рознице. Ваш NVMe-накопитель, который стоит в ноутбуке — почти наверняка TLC. А бюджетные модели большого объёма, те что 2–4 ТБ по приятной цене — зачастую QLC.
Температура: экспонента, которая работает против вас
Мы поговорили про износ оксида и про тип памяти. Теперь третий фактор — температура, о которой я обещал поговорить чуть выше. И этот фактор, пожалуй, самый коварный, потому что на него обычно вообще не обращают внимания.
Вспомните про квантовое туннелирование. Вероятность того, что электрон спонтанно протуннелирует через барьер, зависит от нескольких параметров: толщины барьера, высоты энергетического барьера и... энергии самого электрона. А средняя энергия электронов — это и есть, грубо говоря, температура. Чем выше температура, тем энергичнее мечутся электроны, тем выше шанс, что какой-нибудь из них найдёт способ проскочить через оксидную стенку.
Зависимость тут не линейная, а экспоненциальная. Это значит, что повышение температуры на каких-нибудь 10 градусов может ускорить утечку заряда не на 10%, а в разы.
В стандартах это учтено, там приводятся разные сроки хранения для разных температур. Например, для полностью изношенного корпоративного SSD, который записывался при рабочей температуре 55 °C: при хранении при 25 °C — около двух лет (101 неделя). При 30 °C — существенно меньше. При 40 °C — три месяца. Разница между 25 и 40 градусами — не «чуть-чуть теплее», а почти восьмикратное сокращение срока.
Что это значит на практике?
SSD в ящике стола в прохладном офисе с кондёром — одна ситуация. А тот же SSD, забытый в бардачке машины — совершенно другая. Летом в закрытой машине на солнце температура поднимается до 60 градусов. При таких температурах данные на QLC-накопителе могут посыпаться за несколько недель.
Кстати, если продолжить логическую цепочку в другую сторону: при пониженной температуре утечка замедляется. В холодильнике (около 4 °C) — существенно. В морозилке (-18 °C) — ещё сильнее. Теоретически, в глубокой заморозке флеш-память может хранить данные неопределённо долго — десятилетиями, а то и столетиями. На форумах иногда обсуждают идею криогенного бэкапа.
Правда, есть нюанс: когда вы достаёте электронику из морозилки, на плате моментально конденсируется влага. Если включить диск, не дав ему прогреться и высохнуть, можно получить короткое замыкание и убить плату. Так что это скорее занятный факт, чем практический совет. Хотя, есть вариант упаковать в вакуумный пакет с силикагелем, но это, что сразу на ум пришло. Я бы просто сделал бэкап на жёсткий диск, если данные так важны.
3D NAND и charge trap: прогресс или топтание на месте?
Примерно с 2014–2015 года производители начали переходить от плоской NAND к трёхмерным структурам. Идея простая: если мы не можем делать ячейки мельче (потому что и так уже всё на пределе), давайте укладывать их слоями вверх. Как перейти от одноэтажного дома к многоэтажке.
Эта технология называется 3D NAND. Первые версии имели 32 слоя, потом 48, 64, 96, 128, 176... Сейчас на рынке есть чипы с 200+ слоями.
Параллельно с переходом на 3D многие производители сменили архитектуру ячейки. Вместо классического плавающего затвора из поликремния стали использовать charge trap flash. Разница вот в чём: в классическом плавающем затворе электроны сидят в проводнике. Если где-то в оксиде образуется дефект — «дырка» в стене — заряд утекает целиком, потому что ток распространяется по проводнику мгновенно. Один пробой и всё, ячейка пуста.
В CTF электроны ловятся не в проводнике, а в слое изолятора — нитрида кремния. Каждый электрон сидит там, где его поймали, и никуда не двигается. Если в одном месте образовался дефект, утекут только электроны из ближайшей окрестности. Остальные останутся на месте. Это как разница между воздушным шариком и пупырчатой пленкой: проткнул шарик и воздух вышел весь, проткнул шарик в пленке и вышло чуть-чуть, остальное на месте.
Для долговременного хранения данных CTF — это объективный шаг вперёд. 3D-ячейки с charge trap при прочих равных держат заряд лучше, чем планарные ячейки с плавающим затвором.
Но вот ключевая фраза: «при прочих равных». А прочие — не равны. Производители тут же воспользовались полученным запасом надёжности, чтобы впихнуть в каждую ячейку ещё больше бит. Появилась массовая QLC-память, которая без CTF была бы совсем уж ненадёжной, а с CTF — ну, терпимо. Плюс удешевление производства, плюс снижение требований к допускам...
В итоге для конечного пользователя ситуация осталась примерно такой же. Ячейки стали чуть надёжнее — и тут же стали хранить больше бит, съев весь запас. Прогресс вроде есть, а потребителю от него ни холодно ни жарко.
Почему включённый SSD не теряет данные
Если обесточенный SSD медленно забывает информацию, возникает логичный вопрос: а почему этого не происходит, пока диск работает? Я ведь не перезаписываю данные каждый день, многие файлы лежат месяцами — и ничего с ними не случается.
Ответ в контроллере. Тот самый маленький чип на плате SSD, который управляет всем хозяйством.
Контроллер постоянно мониторит состояние ячеек. У него есть мощные коды коррекции ошибок, которые при каждом чтении проверяют целостность данных. Современные SSD используют LDPC-коды, способные исправить довольно большое количество ошибок. Если при чтении контроллер видит, что количество ошибок в блоке растёт, значит заряд в ячейках начал «уплывать», и он перезаписывает данные в свежие ячейки. Заряд обновлён, счётчик ошибок обнулён, жизнь продолжается.
Кроме того, в фоне постоянно работают другие механизмы: сборка мусора, которая консолидирует данные и высвобождает блоки, и выравнивание износа, которое распределяет нагрузку по ячейкам равномерно. Оба эти процесса попутно обновляют заряд в ячейках.
У корпоративных SSD, которые стоят в серверах, есть ещё более продвинутый механизм — целенаправленное «освежение» данных (не знал, как лучше адаптировать на русский data refresh, но суть ясна). Прошивка периодически проходится по блокам, которые давно не перезаписывались, и обновляет их принудительно. Это расходует ресурс ячеек, но для серверов, где данные должны быть целы любой ценой, это оправдано.
В потребительских SSD таких специальных процедур обычно нет, но TRIM, фоновая сборка мусора и обычная повседневная работа с файлами создают достаточно активности, чтобы данные не залёживались критически долго.
Отсюда и вытекает один важный практический вывод, но о нём чуть позже.
А что с контроллером: всё ли решают ячейки?
Тут стоит сделать небольшое отступление. Я всё время говорил про ячейки, про заряд, про туннелирование — и может сложиться впечатление, что надёжность SSD определяется исключительно физикой NAND-памяти. Это не совсем так.
Контроллер и его прошивка играют колоссальную роль. Два SSD на одинаковых чипах памяти, но с разными контроллерами, могут вести себя очень по-разному. Один может иметь агрессивные алгоритмы коррекции и «освежения», другой экономить ресурс и надеяться на авось.
Таблица распределения файлов тоже хранится во флеш-памяти. Если побьётся она, диск может не просто потерять отдельные файлы, а вообще перестать определяться. Хороший контроллер хранит несколько резервных копий таблиц распределения и регулярно их обновляет. Плохой... ну, бывает по-разному.
Ещё один момент: конденсаторы на плате SSD. Корпоративные накопители часто имеют специальные конденсаторы, которые при внезапном отключении питания дают контроллеру несколько миллисекунд, чтобы сбросить буферные данные на флеш. Потребительские SSD такой роскоши обычно лишены. Если вырубить питание в момент записи — можно потерять н�� только записываемые данные, но и повредить структуру блока. И тогда при следующем включении часть данных окажется нечитаемой не из-за утечки заряда, а из-за незавершённой операции.
Впрочем, к теме забывания данных при хранении это относится косвенно. Просто имейте в виду: SSD — это не только ячейки. Это сложная система, и слабое звено может быть где угодно.
Мифы и заблуждения: чего бояться, а чего — нет
Раз уж мы разобрались в физике, давайте разберём несколько популярных мифов и полуправд, которые я периодически замечал в сети.
«SSD за год в ящике потеряет все данные» — нет, не потеряет. Если диск новый и на TLC, то за год при комнатной температуре с ним, скорее всего, вообще ничего не случится. Проблемы начинаются при сочетании нескольких факторов: изношенный диск + тёплое хранение + длительный срок + QLC-память. Все четыре — и да, можно нарваться. Один-два — обычно ещё нормально.
«HDD надёжнее SSD для хранения» — для выключенного, лежащего на полке накопителя — да. HDD при нормальных условиях хранения (отсутствие ударов, влажности и экстремальных температур) может пролежать десять-пятнадцать лет и прочитаться без проблем. Но HDD боятся ударов, а SSD — нет. Для работающего в компьютере накопителя сравнение не в пользу HDD — там SSD и быстрее, и надёжнее в плане механических воздействий.
«Нужно раз в месяц подключать SSD, чтобы он не забыл данные» — раз в месяц — это перебор для нового диска. Но раз в полгода подключить на несколько часов — хорошая привычка. Контроллер при включении пробежится по ячейкам, скорректирует ошибки, обновит что нужно. А вот оставлять SSD с важными данными на год и больше без подключения уже рискованно, особенно если диск не первой свежести.
«USB-флешки теряют данные так же, как SSD» — и да, и нет. Флешки используют ту же NAND-память, но обычно без продвинутого контроллера и без мощного ECC. Дешёвые флешки зачастую на самой бюджетной памяти с минимальной коррекцией ошибок. Так что для долговременного хранения флешки — ещё хуже, чем SSD.
«Мой SSD в SMART показывает 100% здоровья, значит всё хорошо» — SMART показывает, сколько ресурса осталось с точки зрения циклов перезаписи. Он ничего не говорит о том, насколько хорошо ячейки держат заряд прямо сейчас. Два диска с одинаковым SMART-здоровьем, но разным временем хранения без питания, могут быть в совершенно разном состоянии.
Практические рекомендации: что с этим всем делать
Думаю хватит теории. Что конкретно делать, чтобы не остаться без данных?
Для повседневного использования — ничего особенного. Если SSD стоит в компьютере и компьютер регулярно включается, контроллер всё делает сам. Живите спокойно.
Для бэкапов и архивного хранения — SSD не подходит как единственная копия. Точнее так: SSD — отличная штука, чтобы быстро скопировать кучу файлов и перенести куда-то. Но оставлять SSD с единственной копией важных данных в ящике на годы — так себе идея. Для долговременного хранения лучше:
Жёсткий диск — самый доступный вариант. Хранит данные без питания много лет. Главное не ронять и не хранить во влажном подвале.
Оптические диски — DVD или Blu-ray. Обычные записываемые DVD живут лет пять-десять (зависит от качества болванки и условий хранения). Специальные архивные диски M-Disc — по заявлению производителя, до тысячи лет. Звучит как маркетинг, но ускоренные тесты старения подтверждают, что M-Disc значительно устойчивее обычных болванок.
Ленточные накопители — стандарт для корпоративного архивного хранения. LTO-ленты хранят данные 15–30 лет. Но привод стоит дорого, и для домашнего использования это экзотика.
Облако — если вы доверяете провайдеру. Большие облачные хранилища реплицируют данные на несколько площадок, и потеря данных там маловероятна. Но зависимость от подписки и интернета не для всех.
Для SSD, который лежит без дела — подключайте его хотя бы раз в полгода на несколько часов. Этого достаточно, чтобы контроллер прогнал диагностику и освежил данные в проблемных ячейках.
Для хранения SSD — прохладное сухое место. Не бардачок машины, не чердак, не балкон. Идеально — комнатная температура или чуть ниже. Антистатический пакет тоже не помешает.
Вместо заключения
К чему это я всё... Многие (и я в их числе) привыкли думать о цифровых данных как о чём-то вечном. Записал и всё, оно там навсегда. С книгами, высеченными в камне, это более-менее работает (хотя и камень разрушается). С намагниченными дисками — десятилетия. А с электронами, запертыми в ловушке из нескольких десятков атомов? Год, два, если повезёт, то пять. А потом электроны находят дорогу на свободу, и ваши фотки рискуют превратиться в пиксель арт.
